公开(公告)号：CN107046010A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201610082487.1

申请日：2016-02-05

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 张晓天 ,  雪克·玛力卡勒强斯瓦密 ,  牛志强 ,  胡照群 ,  何约瑟

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明涉及到一种可实现电压切换的电源管理装置，尤其是涉及到低端MOSFET晶片和高端MOSFET晶片并集成控制IC的电压转换装置及其制备方法。一个第一晶片倒装在第一安装区域，第一晶片正面的金属衬垫与位于第一安装区域的焊盘对接；一个第二晶片倒装在第二安装区域，第二晶片正面的金属衬垫与位于第二安装区域的焊盘对接；一个导电结构连接在结合垫和第一晶片背面的金属层之间，一个塑封体覆盖在基板正面，将第一、第二晶片和导电结构包覆在内。

公开(公告)号：CN107046010B

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201610082487.1

申请日：2016-02-05

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 张晓天 ,  雪克·玛力卡勒强斯瓦密 ,  牛志强 ,  胡照群 ,  何约瑟

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明涉及到一种可实现电压切换的电源管理装置，尤其是涉及到低端MOSFET晶片和高端MOSFET晶片并集成控制IC的电压转换装置及其制备方法。一个第一晶片倒装在第一安装区域，第一晶片正面的金属衬垫与位于第一安装区域的焊盘对接；一个第二晶片倒装在第二安装区域，第二晶片正面的金属衬垫与位于第二安装区域的焊盘对接；一个导电结构连接在结合垫和第一晶片背面的金属层之间，一个塑封体覆盖在基板正面，将第一、第二晶片和导电结构包覆在内。