抑制爬电现象的半导体器件及制备方法
摘要:
本发明涉及一种半导体器件,尤其涉及一种优化爬电距离的功率器件及其制备方法。具有一个芯片安装单元,芯片安装单元包括基座和一些引脚,并排的引脚间以非等距离方式设置并位于基座的一侧缘附近,一个芯片粘附在基座上,一个塑封体包覆基座、芯片,塑封体包括一个塑封延伸部包覆引脚的至少一部分来获得引脚间的一个较好的电气安全距离,以便改善器件的电压爬电距离。
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