发明授权
- 专利标题: 抑制爬电现象的半导体器件及制备方法
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申请号: CN201410012670.5申请日: 2014-01-10
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公开(公告)号: CN104779234B公开(公告)日: 2018-03-20
- 发明人: 牛志强 , 哈姆扎·耶尔马兹 , 鲁军 , 王飞
- 申请人: 万国半导体股份有限公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州,桑尼维尔,奥克米德大道475号
- 专利权人: 万国半导体股份有限公司
- 当前专利权人: 万国半导体国际有限合伙公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州,桑尼维尔,奥克米德大道475号
- 代理机构: 上海申新律师事务所
- 代理商 吴俊
- 主分类号: H01L23/49
- IPC分类号: H01L23/49 ; H01L23/31 ; H01L21/60 ; H01L21/56
摘要:
本发明涉及一种半导体器件,尤其涉及一种优化爬电距离的功率器件及其制备方法。具有一个芯片安装单元,芯片安装单元包括基座和一些引脚,并排的引脚间以非等距离方式设置并位于基座的一侧缘附近,一个芯片粘附在基座上,一个塑封体包覆基座、芯片,塑封体包括一个塑封延伸部包覆引脚的至少一部分来获得引脚间的一个较好的电气安全距离,以便改善器件的电压爬电距离。
公开/授权文献
- CN104779234A 抑制爬电现象的半导体器件及制备方法 公开/授权日:2015-07-15
IPC分类: