公开(公告)号：CN107546191B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201610839778.0

申请日：2016-09-22

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 薛彦迅 ,  牛志强

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/492 ,  H01L23/495 ,  H01L27/088 ,  H01L21/56 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/60

摘要： 提出一种半导体功率器件和制备方法。半导体功率器件包括引线框单元、两组或更多组单列直插引线组、两个或多个半导体芯片堆栈和一成型封装。每个半导体芯片堆栈包括一个高端半导体芯片、一个低端半导体芯片和一个将高端半导体芯片顶面连接到低端半导体芯片底面的夹片。方法包括制备具有多个引线框单元的引线框带；制备两组或更多组单列直插引线组；将两个或多个高端半导体芯片连接到每个引线框单元；将两个或多个高端半导体芯片都通过两个或多个第一夹片的各自夹片，分别连接到各自引线；将两个或多个低端半导体芯片各自的低端半导体芯片连接到两个或多个第一夹片的每个夹片上；使封装成型；并且分割引线框带和密封包装，制成半导体功率器件。

公开(公告)号：CN106373932B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201510442259.6

申请日：2015-07-24

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 薛彦迅 ,  哈姆扎·耶尔马兹 ,  何约瑟 ,  鲁军 ,  龚德梅

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L23/495 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49111

摘要： 本发明主要涉及功率半导体器件，是提供作为功率切换开关所用的一种功率半导体封装器件及其制备方法。用一个塑封体包覆芯片、基座及第一、第二引脚，第一、第二引脚分别设置在塑封体底面一侧的两个角部位置处，并设置第一、第二引脚各自的底面皆从塑封体的底面外露。

公开(公告)号：CN105304687B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201510418871.X

申请日：2015-07-16

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 管灵鹏 ,  马督儿·博德 ,  哈姆扎·耶尔马兹 ,  卡西克·帕德马纳班

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/732 ,  H01L29/739 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/40 ,  H01L29/808 ,  H01L29/78

摘要： 本发明主要涉及半导体功率器件，功率器件的端接结构包括多个端接组，形成在第一导电类型的轻掺杂外延层中，在第二导电类型的重掺杂半导体衬底上方。每个端接组都包括一个形成在第一导电类型的轻掺杂外延层中的沟槽。沟槽所有的侧壁都被交替导电类型的多个外延层覆盖，多个外延层沉积在两个对边上，并且沟槽所有的侧壁都与作为第一导电类型的最深处导电类型的两个最里面外延层之间的中心缝隙填充层基本对称。

公开(公告)号：CN105931983B

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201610074498.5

申请日：2016-02-02

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 秀明土子 ,  雷燮光

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L21/761 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/266 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823892 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/1058 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/732 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/808

摘要： 本发明提出了一种半导体器件及其制备方法，该器件包括P‑型半导体衬底、在半导体衬底上方的N‑型阱、在N‑型阱中被一个或多个P‑型隔离结构隔开的P型区、以及在P‑型区下方被隔离结构隔开的N‑型穿通阻挡层。与N‑型阱相比，穿通阻挡层重掺杂。P‑型区在两个隔离结构之间的宽度等于或小于N‑型穿通阻挡层的宽度。半导体器件可以是双极晶体管、CMOS器件或DMOS器件。利用本发明的技术，任意器件组合可以集成在一个单独芯片上。

公开(公告)号：CN104979346B

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201510146152.7

申请日：2015-03-30

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 雷燮光 ,  伍时谦 ,  王晓彬

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8234

摘要： 本发明涉及的一种开关电路包括导电类型相同的第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，并联在第一端和第二端之间。第一和第二MOS晶体管的栅极端分别耦合到控制端，接收控制信号，接通或断开开关电路，其控制信号以缓慢的切换速率，从第一电压电平切换至第二电压电平。第一MOS晶体管具有第一阈值电压，第二MOS晶体管具有第二阈值电压，第一阈值电压小于第二阈值电压。

公开(公告)号：CN105244347B

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201410318620.X

申请日：2014-07-07

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 牛志强 ,  潘华 ,  鲁明朕 ,  何约瑟 ,  鲁军

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/3754 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明公开一种嵌入式封装，包含：预填塑封料的引线框架，及设置其上的若干芯片，预填塑材料填充引线框架镂空结构，使引线框架形成一平面无镂空整体；围绕引线框架分布设置的引脚；金属片，连接在部分芯片上；第一层压层，其包覆在芯片、引线框架、金属片和引脚上；对应引脚、以及各个芯片中用于连接各个引脚的区域处，第一层压层设有由芯片或引脚的表面至第一层压层外表面的导电结构；各个芯片需连接引脚处的导电结构与引脚或其他芯片的导电结构电性连接。本发明将多芯片嵌入在预制的引线框架上，并被包覆在层压层中通过导电结构连接，提高热性能和电性能，便于完成柔性功率和逻辑混合设计，具有三维堆叠能力，可进行系统级封装。

公开(公告)号：CN108400161A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810174457.2

申请日：2011-05-25

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 哈姆扎·依玛兹 ,  陈军 ,  伍时谦 ,  李文军

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/45 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/47 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/866 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725

摘要： 本发明提出了一种含有多个沉积在半导体衬底的顶面附近的顶部接线端的半导体功率器件。每个顶部接线端都由一个端子接触层构成，作为半导体衬底的顶面附近的硅化物接触层。半导体功率器件的沟槽栅极从半导体衬底的顶面打开，每个沟槽栅极都由硅化层构成，作为一个凹陷的硅化物接触层，沉积在每个沟槽栅极上方，沟槽栅极周围的半导体衬底的顶面稍下。

公开(公告)号：CN107680950A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201710848054.7

申请日：2013-11-27

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 张晓天 ,  潘华 ,  鲁明朕 ,  鲁军 ,  哈姆扎·依玛兹

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/367 ,  H01L23/492 ,  H01L25/07 ,  H01L21/60

摘要： 本发明涉及一种多芯片叠层的封装结构及其封装方法，仅使用一个联结片设置于HS芯片的源极和LS芯片的漏极上实现其电性连接，导电损耗和开关损耗减小，且热耗散效率则得到增强。IC芯片绝缘地连接在联结片上，从而可以叠放到HS芯片及LS芯片所在平面的上方，以有效减少封装后的器件尺寸。本发明中可以将第一、第二载片台的底面暴露在塑封体外；还有多种方法，进一步将联结片上不连接IC芯片的一部分表面暴露在塑封体外；或者在联结片上进一步连接散热板，并使该散热板的一部分表面暴露在塑封体外；或者将散热板插入到塑封体预留的缺口中以接触联结片帮助散热。

公开(公告)号：CN105529939B

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201410514567.0

申请日：2014-09-30

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 李承柱 ,  詹姆斯朴 ,  张晓天 ,  潘恩伟 ,  丁宇 ,  金大钟 ,  韦恩·F·英格 ,  张光铭 ,  王晓彬

IPC分类号： H02M7/12 ,  H02M7/217

CPC分类号： H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111

摘要： 一种同步整流器包括一个分立开关器件和一个用于控制分立开关器件的控制器，分立开关器件和控制器都安装在一个公共晶片托盘上，并且封装在单独封装中。分立开关器件和控制器共同封装在单独封装中，在控制器端口和开关器件之间提供最短的连接路径，使控制器精确传感开关器件的电压，从而避免寄生电感效应，使控制器在精确的时间使能/禁止开关器件，从而改善功率耗散，提供工作效率。

公开(公告)号：CN104716117B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201310694427.1

申请日：2013-12-17

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 薛彦迅 ,  何约瑟 ,  鲁军 ,  石磊 ,  赵良 ,  潘赟

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

摘要： 本发明涉及一种多芯片器件及其的制备方法，提供一芯片安装单元，具有彼此分割开的第一、第二基座及多个引脚，将一第一芯片粘附至第一基座的顶面，利用导电结构将第一芯片正面的一部分焊垫电性连接至第二基座顶面的靠近第一基座的区域上，其中连接至第二基座的导电结构具有被键合在第二基座顶面上的端部，然后再在第二基座的顶面涂覆粘合材料以将一第二芯片粘附至第二基座的顶面。