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公开(公告)号：CN102856319A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210190224.4
申请日：2012-06-11
Applicant: 万国半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L29/66113 , H01L21/265 , H01L21/76224 , H01L21/822 , H01L27/0248 , H01L27/0255
Abstract: 本发明涉及一种带有低钳位电压的低电容瞬态电压抑制器，其包括，一个n+型衬底、一个在衬底上的第一外延层、一个形成在第一外延层中的掩埋层、一个在第一外延层上的第二外延层，以及一个形成在掩埋层下方的第一外延层中的植入层。植入层延伸到掩埋层上方。第一沟槽位于掩埋层的一边以及植入层的一边。第二沟槽位于掩埋层的另一边，并且延伸到植入层中。第三沟槽位于植入层的另一边。每个沟槽都内衬有电介质层。在第二外延层的顶面中，制备一组源极区。沟槽和源极区交替出现。在第二外延层中，制备一对植入区。
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公开(公告)号：CN105529939A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410514567.0
申请日：2014-09-30
Applicant: 万国半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/40245 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/4847 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111
Abstract: 一种同步整流器包括一个分立开关器件和一个用于控制分立开关器件的控制器，分立开关器件和控制器都安装在一个公共晶片托盘上，并且封装在单独封装中。分立开关器件和控制器共同封装在单独封装中，在控制器端口和开关器件之间提供最短的连接路径，使控制器精确传感开关器件的电压，从而避免寄生电感效应，使控制器在精确的时间使能/禁止开关器件，从而改善功率耗散，提供工作效率。
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公开(公告)号：CN105529939B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201410514567.0
申请日：2014-09-30
Applicant: 万国半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/40245 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/4847 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111
Abstract: 一种同步整流器包括一个分立开关器件和一个用于控制分立开关器件的控制器，分立开关器件和控制器都安装在一个公共晶片托盘上，并且封装在单独封装中。分立开关器件和控制器共同封装在单独封装中，在控制器端口和开关器件之间提供最短的连接路径，使控制器精确传感开关器件的电压，从而避免寄生电感效应，使控制器在精确的时间使能/禁止开关器件，从而改善功率耗散，提供工作效率。
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公开(公告)号：CN102856319B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210190224.4
申请日：2012-06-11
Applicant: 万国半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L29/66113 , H01L21/265 , H01L21/76224 , H01L21/822 , H01L27/0248 , H01L27/0255
Abstract: 本发明涉及一种带有低钳位电压的低电容瞬态电压抑制器，其包括，一个n+型衬底、一个在衬底上的第一外延层、一个形成在第一外延层中的掩埋层、一个在第一外延层上的第二外延层，以及一个形成在掩埋层下方的第一外延层中的植入层。植入层延伸到掩埋层上方。第一沟槽位于掩埋层的一边以及植入层的一边。第二沟槽位于掩埋层的另一边，并且延伸到植入层中。第三沟槽位于植入层的另一边。每个沟槽都内衬有电介质层。在第二外延层的顶面中，制备一组源极区。沟槽和源极区交替出现。在第二外延层中，制备一对植入区。
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