公开(公告)号：CN105304687A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510418871.X

申请日：2015-07-16

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 管灵鹏 ,  马督儿·博德 ,  哈姆扎·耶尔马兹 ,  卡西克·帕德马纳班

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/732 ,  H01L29/739 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/40 ,  H01L29/808 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明主要涉及半导体功率器件，功率器件的端接结构包括多个端接组，形成在第一导电类型的轻掺杂外延层中，在第二导电类型的重掺杂半导体衬底上方。每个端接组都包括一个形成在第一导电类型的轻掺杂外延层中的沟槽。沟槽所有的侧壁都被交替导电类型的多个外延层覆盖，多个外延层沉积在两个对边上，并且沟槽所有的侧壁都与作为第一导电类型的最深处导电类型的两个最里面外延层之间的中心缝隙填充层基本对称。

公开(公告)号：CN104701357B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201410716370.5

申请日：2014-12-02

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 卡西克·帕德马纳班 ,  马督儿·博德

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明提出一种金属带保护环沟槽短接本体区以缩小端接区的结构，其中形成在第一导电类型的半导体衬底中的半导体功率器件，包括一个有源区和一个包围着有源区并且设置在半导体衬底边缘附近的端接区。端接区包括多个用导电材料填充的沟槽，构成一个屏蔽电极，沿沟槽侧壁和沟槽底面通过电介质层绝缘，其中沟槽穿过半导体衬底顶面附近的第二导电类型的本体区垂直延伸到第一导电类型的表面屏蔽区。设置在表面屏蔽区下方的第二导电类型的掺杂区，穿过沟槽的底部延伸，并包围着沟槽底部。在半导体衬底的顶面上方设置至少一个金属接头，电连接到至少两个沟槽的屏蔽电极，并且短接至本体区。本发明在降低导通电阻的同时，能够提高功率器件可承受的击穿电压。

公开(公告)号：CN105304687B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201510418871.X

申请日：2015-07-16

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 管灵鹏 ,  马督儿·博德 ,  哈姆扎·耶尔马兹 ,  卡西克·帕德马纳班

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/732 ,  H01L29/739 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/40 ,  H01L29/808 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明主要涉及半导体功率器件，功率器件的端接结构包括多个端接组，形成在第一导电类型的轻掺杂外延层中，在第二导电类型的重掺杂半导体衬底上方。每个端接组都包括一个形成在第一导电类型的轻掺杂外延层中的沟槽。沟槽所有的侧壁都被交替导电类型的多个外延层覆盖，多个外延层沉积在两个对边上，并且沟槽所有的侧壁都与作为第一导电类型的最深处导电类型的两个最里面外延层之间的中心缝隙填充层基本对称。

公开(公告)号：CN106298932A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610420569.2

申请日：2016-06-13

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 马督儿·博德 ,  管灵鹏 ,  卡西克·帕德马纳班 ,  哈姆扎·耶尔马兹

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种MOSFET器件及端接结构，尤其涉及一种横向超级结MOSFET器件及端接结构，一种横向超级结MOSFET器件包括一个栅极结构、一个连接到横向超级结结构的第一立柱以及一个紧靠第一立柱的第二立柱。该横向超级结MOSFET器件包括第一立柱，当MOSFET接通时接收来自通道的电流，并将电流分配至横向超级结结构，用作漏极漂流区。位于第一立柱附近的第二立柱用于当MOSFET器件断开时，夹断第一立柱，防止MOSFET器件在漏极端承受的高电压接触栅极结构。在一些实施例中，横向超级结MOSFET器件还包括用于漏极、源极以及本体接触掺杂区梳的端接结构。

公开(公告)号：CN104300010A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201410278452.6

申请日：2014-06-20

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 马督儿·博德 ,  哈姆扎·依玛兹 ,  高立德 ,  卡西克·帕德马纳班

IPC: H01L29/808 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28035 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7832 ,  H01L29/8083

Abstract: 在一些实施例中，常态导通高压开关器件（“常态导通开关器件”）引入了沟槽栅极端和掩埋掺杂栅极区。在其他实施例中，所形成的表面栅极控制的常态导通高压开关器件带有沟槽结构，并且引入了表面栅极电极控制的表面通道。表面栅极控制的常态导通开关器件还引入了沟槽栅极电极和掩埋掺杂栅极区，以耗尽导电通道，帮助断开常态导通开关器件。因此利用现有的高压MOSFET制备工艺，可以轻松地制备常态导通开关器件，并与MOSFET器件集成。

公开(公告)号：CN104300010B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201410278452.6

申请日：2014-06-20

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 马督儿·博德 ,  哈姆扎·依玛兹 ,  高立德 ,  卡西克·帕德马纳班

IPC: H01L29/808 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28035 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7832 ,  H01L29/8083

Abstract: 在一些实施例中，常态导通高压开关器件（“常态导通开关器件”）引入了沟槽栅极端和掩埋掺杂栅极区。在其他实施例中，所形成的表面栅极控制的常态导通高压开关器件带有沟槽结构，并且引入了表面栅极电极控制的表面通道。表面栅极控制的常态导通开关器件还引入了沟槽栅极电极和掩埋掺杂栅极区，以耗尽导电通道，帮助断开常态导通开关器件。因此利用现有的高压MOSFET制备工艺，可以轻松地制备常态导通开关器件，并与MOSFET器件集成。

公开(公告)号：CN104009068B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201410057462.7

申请日：2014-02-20

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 胡军 ,  卡西克·帕德马纳班 ,  马督儿·博德 ,  哈姆扎·依玛兹

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/0615 ,  H01L21/02104 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明的各个方面提出了高压快速恢复沟槽二极管及其制备方法。该器件具有至少穿过顶部P-层和N-势垒层延伸的沟槽。导电材料沉积在沟槽中，电介质材料内衬导电材料和沟槽侧壁之间的沟槽。重掺杂P-区形成在沟槽之间的顶部P-层的顶部。浮动N-区形成在P-区下方。浮动N-区的宽度等于或大于P-区宽度。要强调的是，本摘要必须使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，本摘要符合以上要求。应明确，本摘要将不用于解释或局限权利要求书的范围或意图。

公开(公告)号：CN104009068A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410057462.7

申请日：2014-02-20

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 胡军 ,  卡西克·帕德马纳班 ,  马督儿·博德 ,  哈姆扎·依玛兹

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/0615 ,  H01L21/02104 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明的各个方面提出了高压快速恢复沟槽二极管及其制备方法。该器件具有至少穿过顶部P-层和N-势垒层延伸的沟槽。导电材料沉积在沟槽中，电介质材料内衬导电材料和沟槽侧壁之间的沟槽。重掺杂P-区形成在沟槽之间的顶部P-层的顶部。浮动N-区形成在P-区下方。浮动N-区的宽度等于或大于P-区宽度。要强调的是，本摘要必须使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，本摘要符合以上要求。应明确，本摘要将不用于解释或局限权利要求书的范围或意图。

公开(公告)号：CN106298932B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201610420569.2

申请日：2016-06-13

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 马督儿·博德 ,  管灵鹏 ,  卡西克·帕德马纳班 ,  哈姆扎·耶尔马兹

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种MOSFET器件及端接结构，尤其涉及一种横向超级结MOSFET器件及端接结构，一种横向超级结MOSFET器件包括一个栅极结构、一个连接到横向超级结结构的第一立柱以及一个紧靠第一立柱的第二立柱。该横向超级结MOSFET器件包括第一立柱，当MOSFET接通时接收来自通道的电流，并将电流分配至横向超级结结构，用作漏极漂流区。位于第一立柱附近的第二立柱用于当MOSFET器件断开时，夹断第一立柱，防止MOSFET器件在漏极端承受的高电压接触栅极结构。在一些实施例中，横向超级结MOSFET器件还包括用于漏极、源极以及本体接触掺杂区梳的端接结构。

公开(公告)号：CN105448738B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201510551001.X

申请日：2015-08-31

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 卡西克·帕德马纳班 ,  马督儿·博德 ,  管灵鹏 ,  张磊 ,  哈姆扎·耶尔马兹

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/26586 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7823

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括一个利用N和P型同步倾斜注入到沟槽侧壁中，制备而成的超级结结构。N和P同步倾斜注入使用不同的注入能量和不同扩散速率的掺杂物，以至于退火后，形成交替的N和P薄半导体区。交替的N和P薄半导体区构成一个超级结结构，其中所形成的空间电荷平衡区提高了半导体器件的击穿电压性能。