公开(公告)号：CN103579020B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201210279093.7

申请日：2012-08-07

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 薛彦迅 ,  哈姆扎·耶尔马兹 ,  何约瑟 ,  鲁军 ,  黄平 ,  石磊 ,  段磊 ,  龚玉平

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明一般涉及一种半导体器件的制备方法，更确切的说，本发明旨在提供一种在晶圆级芯片的封装步骤中获得较薄的芯片以及提高晶圆机械强度的封装方法。先在芯片的金属焊盘上焊接金属凸块，然后形成一圆形的第一塑封层覆盖在晶圆的正面，并研磨减薄第一塑封层，之后在第一塑封层上实施切割以形成相应的切割槽。在晶圆的背面实施研磨以形成一圆柱形凹槽，在晶圆暴露在圆柱形凹槽内的底面上沉积一层金属层，然后将晶圆的周边部分切割掉并沿切割槽对第一塑封层、晶圆、金属层实施切割。

公开(公告)号：CN102194788B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201110072894.1

申请日：2011-03-17

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 鲁军 ,  孙明 ,  何约瑟 ,  刘凯 ,  石磊

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/49 ,  H01L25/07 ,  H01L21/60 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/29 ,  H01L24/37 ,  H01L24/38 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/40249 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84345 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/84 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了一种引线框封装，具有第一、第二、第三和第四导电结构，一对半导体晶片设置在它们之间，限定了一个堆栈式结构。第一和第二结构与第一结构分离开来，并重叠。半导体就设置在第一和第二结构之间。半导体晶片具有电连接到第一和第二结构的接头。一部分第三结构与一部分第二结构位于同一平面内。第三结构耦合到半导体晶片上。一个额外的半导体晶片连接到第一和第二结构的其中之一上。第四结构与额外的半导体晶片电接触。设置成型混料，将一部分所述的封装与设置在体积中的成型混料的子部分密封起来。

公开(公告)号：CN104347431A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310310373.4

申请日：2013-07-23

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 何约瑟 ,  薛彦迅 ,  鲁军 ,  石磊 ,  黄平 ,  赵良

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L2224/32245 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/367 ,  H01L23/49568 ,  H01L24/32

Abstract: 本发明涉及一种暴露器件顶面和底面的封装结构及其制作方法，用以封装一个厚度减薄的芯片，该芯片的顶部源极依次电性连接对应位置的接触体和源极引脚，顶部栅极则依次电性连接对应位置的接触体和栅极引脚；而芯片的底部漏极依次电性连接了框架的承载部分和接触部分，以及接触部分上的漏极引脚。这些引脚由第一塑封体、第二塑封体绝缘隔离。封装结构的顶面齐平用来与其他外部器件进行电性连接。还将与芯片的底部漏极电性连接的框架承载部分的底面暴露设置，从而有效改善器件散热效果。

公开(公告)号：CN103579020A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201210279093.7

申请日：2012-08-07

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 薛彦迅 ,  哈姆扎·耶尔马兹 ,  何约瑟 ,  鲁军 ,  黄平 ,  石磊 ,  段磊 ,  龚玉平

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/563 ,  H01L21/78 ,  H01L24/14

Abstract: 本发明一般涉及一种半导体器件的制备方法，更确切的说，本发明旨在提供一种在晶圆级芯片的封装步骤中获得较薄的芯片以及提高晶圆机械强度的封装方法。先在芯片的金属焊盘上焊接金属凸块，然后形成一圆形的第一塑封层覆盖在晶圆的正面，并研磨减薄第一塑封层，之后在第一塑封层上实施切割以形成相应的切割槽。在晶圆的背面实施研磨以形成一圆柱形凹槽，在晶圆暴露在圆柱形凹槽内的底面上沉积一层金属层，然后将晶圆的周边部分切割掉并沿切割槽对第一塑封层、晶圆、金属层实施切割。

公开(公告)号：CN103545268A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201210234845.8

申请日：2012-07-09

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 薛彦迅 ,  何约瑟 ,  哈姆扎·耶尔马兹 ,  鲁军 ,  石磊 ,  赵良 ,  黄平

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明一般涉及一种半导体功率器件及其制备方法，更确切的说，本发明旨在提供一种具有底部源极的功率器件及其制备方法。该功率器件的底部源极从塑封体底部外露出来，而且该功率器件还具有可以选择是否从塑封体顶部外露的金属电极，以及包含减小衬底电阻的超薄芯片，从而提供具有极佳电气性能和散热性能的半导体功率器件。

公开(公告)号：CN101996889A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200910167313.5

申请日：2009-08-13

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 石磊 ,  汪利民 ,  赵良

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种超薄封装工艺，包括步骤1：刻蚀；对引线框架进行顶部刻蚀，形成载片台和若干引脚；步骤2：贴片；将芯片放置在载片台上；步骤3：金属连接；用金属导体连接芯片和引脚；步骤4：塑封；将芯片，载片台和引脚包封在塑封体内，基板的底部凸出于塑封体的底部；步骤5：研磨；将基板的底部研磨除掉；步骤6：电镀；在载片台和引脚底座的底部镀上金属层；步骤7：切割；对已经镀好金属层的半成品进行切割操作，将芯片一颗颗独立开来。本发明由于用研磨步骤替代了现有技术的底部刻蚀操作，能有效的减小封装的厚度，可实现超薄的半导体封装，并且可降低成本，保证封装工艺的高精确度。

公开(公告)号：CN101685810A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200910175998.8

申请日：2009-09-15

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 石磊 ,  赵良 ,  刘凯

IPC: H01L23/492 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49562 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49551 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/72 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/73251 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/72 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体组件封装的夹片，其包含有一包含有窗口阵列与至少一导电指状结构的金属薄片。每一该导电指状结构具有一第一末端与一第二末端。在窗口之一处，第一末端是电性连接至金属薄板。在第二末端处，每一导电指状结构是提供电性连接至半导体组件的上半导体区域或者是引线框架。

公开(公告)号：CN104716117B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201310694427.1

申请日：2013-12-17

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 薛彦迅 ,  何约瑟 ,  鲁军 ,  石磊 ,  赵良 ,  潘赟

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及一种多芯片器件及其的制备方法，提供一芯片安装单元，具有彼此分割开的第一、第二基座及多个引脚，将一第一芯片粘附至第一基座的顶面，利用导电结构将第一芯片正面的一部分焊垫电性连接至第二基座顶面的靠近第一基座的区域上，其中连接至第二基座的导电结构具有被键合在第二基座顶面上的端部，然后再在第二基座的顶面涂覆粘合材料以将一第二芯片粘附至第二基座的顶面。

公开(公告)号：CN103545268B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201210234845.8

申请日：2012-07-09

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 薛彦迅 ,  何约瑟 ,  哈姆扎·耶尔马兹 ,  鲁军 ,  石磊 ,  赵良 ,  黄平

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明一般涉及一种半导体功率器件及其制备方法，更确切的说，本发明旨在提供一种具有底部源极的功率器件及其制备方法。该功率器件的底部源极从塑封体底部外露出来，而且该功率器件还具有可以选择是否从塑封体顶部外露的金属电极，以及包含减小衬底电阻的超薄芯片，从而提供具有极佳电气性能和散热性能的半导体功率器件。

公开(公告)号：CN102456654B

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201110355157.2

申请日：2011-10-26

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 冯涛 ,  牛志强 ,  龚玉平 ,  吴瑞生 ,  黄平 ,  石磊 ,  何约瑟

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/495 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/34 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L24/73 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/7827 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/0616 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73255 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099

Abstract: 一种无衬底的复合功率半导体器件包括一个很薄的衬底，以及一个位于衬底顶面上的顶部金属层。衬底和外延层的总厚度小于25微米。焊料隆起焊盘形成在顶部金属层上方，成型混料包围着焊料隆起焊盘，并使焊料隆起焊盘至少部分裸露出来。