公开(公告)号：CN104347431B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310310373.4

申请日：2013-07-23

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 何约瑟 ,  薛彦迅 ,  鲁军 ,  石磊 ,  黄平 ,  赵良

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L2224/32245 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种暴露器件顶面和底面的封装结构及其制作方法，用以封装一个厚度减薄的芯片，该芯片的顶部源极依次电性连接对应位置的接触体和源极引脚，顶部栅极则依次电性连接对应位置的接触体和栅极引脚；而芯片的底部漏极依次电性连接了框架的承载部分和接触部分，以及接触部分上的漏极引脚。这些引脚由第一塑封体、第二塑封体绝缘隔离。封装结构的顶面齐平用来与其他外部器件进行电性连接。还将与芯片的底部漏极电性连接的框架承载部分的底面暴露设置，从而有效改善器件散热效果。

公开(公告)号：CN103000537B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201110290446.9

申请日：2011-09-15

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 薛彦迅 ,  黄平 ,  何约瑟 ,  哈姆扎·耶尔马兹 ,  鲁军 ,  鲁明联

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/31 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明一般涉及一种半导体器件的封装体及其制备方法，更确切的说，本发明涉及一种在晶圆级封装技术中，将芯片进行整体封装而使其并无裸露在塑封料之外的封装结构及其制备方法。在本发明所提供的晶圆级封装结构中，利用重分布技术将分布在芯片顶面的焊垫重新布局设计成位于覆盖芯片的顶部绝缘介质层中的排列焊点，并通过形成在硅衬底中的通孔及通孔中填充的金属材料，将芯片顶面的一些电极或信号端子连接到位于芯片底面的底面电极金属层上。并且晶圆级封装结构中所包含的顶部塑封体与底部塑封体能较好的将芯片无缝隙的密封，形成良好的机械保护和电气保护。

公开(公告)号：CN104124176A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201310145656.8

申请日：2013-04-24

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 薛彦迅 ,  哈姆扎·耶尔马兹 ,  何约瑟 ,  石磊 ,  赵良 ,  黄平 ,  吴平丽

IPC: H01L21/50 ,  H01L51/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L2224/73104 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/56 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/83986

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件的制备方法，更确切的说，本发明旨在提供一种在晶圆级的方式上达到制备应用在倒装安装工艺上的半导体器件的方法。在晶圆正面覆盖第一塑封层形成其中的基准线，翻转晶圆至其背面朝上，在晶圆减薄后在其背面沉积一金属层，并翻转晶圆至金属层朝下，之后在金属层上粘附一层粘贴膜，沿着基准线实施切割，形成正面带有顶部塑封层和背面带有底部金属层的晶片，以获得多个半导体器件。同时翻转粘贴膜和各晶片，并在各顶部塑封层上粘附另一层粘贴膜，剥离各底部金属层上所粘附的粘贴膜之后，在无翻转的条件下将半导体器件拾取并安装至承载基板上以实现倒装安装。

公开(公告)号：CN103325673A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201210093902.5

申请日：2012-03-23

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 薛彦迅 ,  黄平 ,  何约瑟

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明一般涉及一种超薄芯片的制备方法，更确切的说，本发明旨在提供一种支持从晶圆背面实施切割的芯片封装方法以实现制备超薄芯片。本发明先行在晶圆的正面覆盖一支撑结构，之后于晶圆的背面进行研磨，并在减薄后的晶圆的背面的中心区域沉积一层金属层，并且减薄后的晶圆的背面位于金属层的边缘与晶圆的边缘之间的区域构成一环形带。利用穿透摄影设备在环形带区域内对切割线进行探测，用于探测切割线在水平方向上从金属层下方延伸至环形带下方的延伸部分，同时利用切割刀沿着任意一条切割线两端的所述延伸部分所构成的直线对减薄后的晶圆以及金属层进行切割。

公开(公告)号：CN103208430A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201210026966.3

申请日：2012-01-17

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 鲁军 ,  牛志强 ,  何约瑟 ,  黄平 ,  龚玉平 ,  薛彦迅 ,  张晓天 ,  鲁明联

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L2224/06181 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明一般涉及一种超薄芯片的制备方法，更确切的说，本发明旨在提供一种利用热压焊球技术以在晶圆级塑封工艺中实现超薄芯片的方法。本发明首先在晶圆上进行植球，将焊球植于设置在芯片正面的金属衬垫上，并对晶圆进行加热，将焊球软化；之后利用一个热压板同时于所有焊球的顶端进行施压，在焊球的顶端形成一个平面化的顶面；再进行晶圆级的塑封工艺，形成覆盖在晶圆的正面的一层塑封层，其中，任意一个焊球的的顶面均暴露于该塑封层之外；最后再减薄晶圆的厚度以获得超薄芯片。

公开(公告)号：CN103000537A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201110290446.9

申请日：2011-09-15

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 薛彦迅 ,  黄平 ,  何约瑟 ,  哈姆扎·耶尔马兹 ,  鲁军 ,  鲁明联

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/31 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明一般涉及一种半导体器件的封装体及其制备方法，更确切的说，本发明涉及一种在晶圆级封装技术中，将芯片进行整体封装而使其并无裸露在塑封料之外的封装结构及其制备方法。在本发明所提供的晶圆级封装结构中，利用重分布技术将分布在芯片顶面的焊垫重新布局设计成位于覆盖芯片的顶部绝缘介质层中的排列焊点，并通过形成在硅衬底中的通孔及通孔中填充的金属材料，将芯片顶面的一些电极或信号端子连接到位于芯片底面的底面电极金属层上。并且晶圆级封装结构中所包含的顶部塑封体与底部塑封体能较好的将芯片无缝隙的密封，形成良好的机械保护和电气保护。

公开(公告)号：CN103579020B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201210279093.7

申请日：2012-08-07

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 薛彦迅 ,  哈姆扎·耶尔马兹 ,  何约瑟 ,  鲁军 ,  黄平 ,  石磊 ,  段磊 ,  龚玉平

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明一般涉及一种半导体器件的制备方法，更确切的说，本发明旨在提供一种在晶圆级芯片的封装步骤中获得较薄的芯片以及提高晶圆机械强度的封装方法。先在芯片的金属焊盘上焊接金属凸块，然后形成一圆形的第一塑封层覆盖在晶圆的正面，并研磨减薄第一塑封层，之后在第一塑封层上实施切割以形成相应的切割槽。在晶圆的背面实施研磨以形成一圆柱形凹槽，在晶圆暴露在圆柱形凹槽内的底面上沉积一层金属层，然后将晶圆的周边部分切割掉并沿切割槽对第一塑封层、晶圆、金属层实施切割。

公开(公告)号：CN104347431A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310310373.4

申请日：2013-07-23

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 何约瑟 ,  薛彦迅 ,  鲁军 ,  石磊 ,  黄平 ,  赵良

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L2224/32245 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/367 ,  H01L23/49568 ,  H01L24/32

Abstract: 本发明涉及一种暴露器件顶面和底面的封装结构及其制作方法，用以封装一个厚度减薄的芯片，该芯片的顶部源极依次电性连接对应位置的接触体和源极引脚，顶部栅极则依次电性连接对应位置的接触体和栅极引脚；而芯片的底部漏极依次电性连接了框架的承载部分和接触部分，以及接触部分上的漏极引脚。这些引脚由第一塑封体、第二塑封体绝缘隔离。封装结构的顶面齐平用来与其他外部器件进行电性连接。还将与芯片的底部漏极电性连接的框架承载部分的底面暴露设置，从而有效改善器件散热效果。

公开(公告)号：CN103579020A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201210279093.7

申请日：2012-08-07

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 薛彦迅 ,  哈姆扎·耶尔马兹 ,  何约瑟 ,  鲁军 ,  黄平 ,  石磊 ,  段磊 ,  龚玉平

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/563 ,  H01L21/78 ,  H01L24/14

Abstract: 本发明一般涉及一种半导体器件的制备方法，更确切的说，本发明旨在提供一种在晶圆级芯片的封装步骤中获得较薄的芯片以及提高晶圆机械强度的封装方法。先在芯片的金属焊盘上焊接金属凸块，然后形成一圆形的第一塑封层覆盖在晶圆的正面，并研磨减薄第一塑封层，之后在第一塑封层上实施切割以形成相应的切割槽。在晶圆的背面实施研磨以形成一圆柱形凹槽，在晶圆暴露在圆柱形凹槽内的底面上沉积一层金属层，然后将晶圆的周边部分切割掉并沿切割槽对第一塑封层、晶圆、金属层实施切割。

公开(公告)号：CN103545268A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201210234845.8

申请日：2012-07-09

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 薛彦迅 ,  何约瑟 ,  哈姆扎·耶尔马兹 ,  鲁军 ,  石磊 ,  赵良 ,  黄平

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明一般涉及一种半导体功率器件及其制备方法，更确切的说，本发明旨在提供一种具有底部源极的功率器件及其制备方法。该功率器件的底部源极从塑封体底部外露出来，而且该功率器件还具有可以选择是否从塑封体顶部外露的金属电极，以及包含减小衬底电阻的超薄芯片，从而提供具有极佳电气性能和散热性能的半导体功率器件。