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公开(公告)号：CN102938383B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201210414976.4
申请日：2009-06-05
申请人： 万国半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/16 , H01L2224/05568 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2224/32145 , H01L2224/73253 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15153 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 本发明公开了一种标准芯片尺寸封装。所述标准芯片尺寸封装提供了与芯片两侧上的凸点装置触点的电连接。所述封装在一个标准构型上连接在一个印刷电路板上。本发明同时公开了制造所述标准芯片封装的方法。
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公开(公告)号：CN102456654B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201110355157.2
申请日：2011-10-26
申请人： 万国半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/495 , H01L21/60
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L21/6835 , H01L21/76897 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/495 , H01L23/49524 , H01L23/49537 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/34 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L24/73 , H01L24/94 , H01L25/50 , H01L27/088 , H01L29/0657 , H01L29/7827 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68359 , H01L2221/68381 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/04034 , H01L2224/04105 , H01L2224/05009 , H01L2224/05025 , H01L2224/051 , H01L2224/05139 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05571 , H01L2224/0603 , H01L2224/0616 , H01L2224/06181 , H01L2224/1184 , H01L2224/16245 , H01L2224/291 , H01L2224/32245 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/73253 , H01L2224/73255 , H01L2224/73263 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10155 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/2064 , H01L2924/3511 , H01L2224/03 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2924/00012 , H01L2224/37099
摘要： 一种无衬底的复合功率半导体器件包括一个很薄的衬底，以及一个位于衬底顶面上的顶部金属层。衬底和外延层的总厚度小于25微米。焊料隆起焊盘形成在顶部金属层上方，成型混料包围着焊料隆起焊盘，并使焊料隆起焊盘至少部分裸露出来。
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公开(公告)号：CN102945811B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210413924.5
申请日：2009-06-05
申请人： 万国半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/16 , H01L2224/05568 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2224/32145 , H01L2224/73253 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15153 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 本发明公开了一种标准芯片尺寸封装。所述标准芯片尺寸封装提供了与芯片两侧上的凸点装置触点的电连接。所述封装在一个标准构型上连接在一个印刷电路板上。本发明同时公开了制造所述标准芯片封装的方法。
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公开(公告)号：CN102360728B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201110356096.1
申请日：2009-01-15
申请人： 万国半导体股份有限公司
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种基于引线框架的分立功率电感。该功率电感包括顶部和底部引线框架，其引脚形成围绕单一闭环磁芯的线圈。线圈包括顶部和底部引线框架之间的内部和外部连接段的内连接，和夹在顶部和底部引线框架之间的磁芯。顶部和底部引线框架的引脚中的若干个具有非线性阶梯结构，以此使得顶部引线框架的引脚可以耦合相邻的底部引线框架的引脚，以围绕磁芯形成线圈。本发明的优点在于：其提供一紧凑的功率电感并最大化单元区域内的电感系数。本发明的功率电感还提供了一种将小物理尺寸与最小匝数结合的功率电感，其具有较小的覆盖面积和较薄的轮廓。另外，本发明所述的功率电感可以简单地通过应用现有的半导体封装技术低成本高产量地生产。
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公开(公告)号：CN102360730B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201110356562.6
申请日：2009-01-15
申请人： 万国半导体股份有限公司
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种基于引线框架的分立功率电感。该功率电感包括顶部和底部引线框架，其引脚形成围绕单一闭环磁芯的线圈。线圈包括顶部和底部引线框架之间的内部和外部连接段的内连接，和夹在顶部和底部引线框架之间的磁芯。顶部和底部引线框架的引脚中的若干个具有非线性阶梯结构，以此使得顶部引线框架的引脚可以耦合相邻的底部引线框架的引脚，以围绕磁芯形成线圈。本发明的优点在于：其提供一紧凑的功率电感并最大化单元区域内的电感系数。本发明的功率电感还提供了一种将小物理尺寸与最小匝数结合的功率电感，其具有较小的覆盖面积和较薄的轮廓。另外，本发明所述的功率电感可以简单地通过应用现有的半导体封装技术低成本高产量地生产。
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公开(公告)号：CN101964332B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201010238649.9
申请日：2010-07-20
申请人： 万国半导体股份有限公司
发明人： 冯涛
IPC分类号： H01L23/482 , H01L29/78 , H01L21/60
CPC分类号： H01L29/0657 , H01L23/3171 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/94 , H01L2224/02371 , H01L2224/03011 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0362 , H01L2224/05548 , H01L2224/05558 , H01L2224/05572 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/06182 , H01L2224/08225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48666 , H01L2224/48744 , H01L2224/48747 , H01L2224/48755 , H01L2224/48766 , H01L2224/83805 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/157 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/01079 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01013 , H01L2924/01047 , H01L2224/03 , H01L2224/83 , H01L2224/48 , H01L2224/05552
摘要： 本发明提出了一种半导体器件封装晶片及其制备方法。此器件封装晶片可以包括具有位于器件衬底的前表面上的一个或多个前电极的器件衬底，并且相应地电连接到形成在前表面附近的器件衬底中的一个或多个器件区域。在器件衬底的后表面上制备一个背部导电层。此背部导电层电连接到形成在器件衬底的后表面附近的器件衬底中的一个器件区域上。一个或多个导电延伸部分，相应地形成在与背部导电层电接触的器件衬底的一个或多个侧壁上，并延伸到器件衬底的一部分前表面上。在器件衬底的后表面上黏接一个支持衬底。
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公开(公告)号：CN102938383A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210414976.4
申请日：2009-06-05
申请人： 万国半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/16 , H01L2224/05568 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2224/32145 , H01L2224/73253 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15153 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 本发明公开了一种标准芯片尺寸封装。所述标准芯片尺寸封装提供了与芯片两侧上的凸点装置触点的电连接。所述封装在一个标准构型上连接在一个印刷电路板上。本发明同时公开了制造所述标准芯片封装的方法。
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公开(公告)号：CN101814485B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200910202890.3
申请日：2009-05-21
申请人： 万国半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L23/64 , H01L23/48 , H01L23/29 , H01L23/495 , H01L23/13 , H01L23/14 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/56 , H01L21/78
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014
摘要： 本发明公布了一种具有堆栈式电感和集成电路芯片的小型功率半导体封装及其生产方法，该封装具有大额定电感且封装引脚小，包括一具有底部功率IC芯片、顶部功率电感和由引线框架或者印刷电路板制成的中间电路衬底的键合堆栈。功率电感包括具有闭合磁环的电感磁芯。电路衬底包括位于电感磁芯下方的第一组底部半线圈形成的导电单元。第二组顶部半线圈形成的导电单元位于电感磁芯的上方，由连接导线、三维互连板或者上层引线框架的引线制成，每个单元的两个末端连接到相应的底部半线圈形成的导电单元，从而共同形成围绕电感磁芯的电感线圈。一种顶部密封胶将电感磁芯、顶部半线圈形成的导电单元、底部半线圈形成的导电单元和电路衬底密封保护起来。
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公开(公告)号：CN102456654A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110355157.2
申请日：2011-10-26
申请人： 万国半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/495 , H01L21/60
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L21/6835 , H01L21/76897 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/495 , H01L23/49524 , H01L23/49537 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/34 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L24/73 , H01L24/94 , H01L25/50 , H01L27/088 , H01L29/0657 , H01L29/7827 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68359 , H01L2221/68381 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/04034 , H01L2224/04105 , H01L2224/05009 , H01L2224/05025 , H01L2224/051 , H01L2224/05139 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05571 , H01L2224/0603 , H01L2224/0616 , H01L2224/06181 , H01L2224/1184 , H01L2224/16245 , H01L2224/291 , H01L2224/32245 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/73253 , H01L2224/73255 , H01L2224/73263 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10155 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/2064 , H01L2924/3511 , H01L2224/03 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2924/00012 , H01L2224/37099
摘要： 一种无衬底的复合功率半导体器件包括一个很薄的衬底，以及一个位于衬底顶面上的顶部金属层。衬底和外延层的总厚度小于25微米。焊料隆起焊盘形成在顶部金属层上方，成型混料包围着焊料隆起焊盘，并使焊料隆起焊盘至少部分裸露出来。
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公开(公告)号：CN101552093B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200910003340.9
申请日：2009-01-15
申请人： 万国半导体股份有限公司
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种基于引线框架的分立功率电感。该功率电感包括顶部和底部引线框架，其引脚形成围绕单一闭环磁芯的线圈。线圈包括顶部和底部引线框架之间的内部和外部连接段的内连接，和夹在顶部和底部引线框架之间的磁芯。顶部和底部引线框架的引脚中的若干个具有非线性阶梯结构，以此使得顶部引线框架的引脚可以耦合相邻的底部引线框架的引脚，以围绕磁芯形成线圈。本发明的优点在于：其提供一紧凑的功率电感并最大化单元区域内的电感系数。本发明的功率电感还提供了一种将小物理尺寸与最小匝数结合的功率电感，其具有较小的覆盖面积和较薄的轮廓。另外，本发明所述的功率电感可以简单地通过应用现有的半导体封装技术低成本高产量地生产。
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