公开(公告)号：CN102194699B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201110038619.8

申请日：2011-02-10

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 常虹 ,  苏毅 ,  李文军 ,  翁丽敏 ,  陈开宇 ,  金钟五 ,  陈军

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/283 ,  H01L27/088 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明涉及一种用于制备半导体器件的方法，包括利用第一掩膜形成多个沟槽。沟槽包括源极传感沟槽，位于终止区外面以及两个相邻的有源区之间。利用第二掩膜，制成一个中间介质区，将第一和第二传导区分隔开。利用第三掩膜，形成连接到第一传导区的第一导电接头，以及连接到第二传导区的第二导电接头，并形成一个源极金属区。利用第四掩膜，形成到栅极金属区的接触。半导体器件含有一个源极传感接头，位于终止区外面以及器件的有源区外面。

公开(公告)号：CN101447453B

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200810176769.3

申请日：2008-11-18

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 潘梦瑜 ,  何增谊 ,  陈开宇

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7811 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种用于在沟槽MOSFET器件的顶部增设ESD保护模块时在晶片处理工艺期间防止沟槽MOSFET的栅氧化损坏的方法和器件结构。该ESD保护模块具有低温氧化(LTO)底层，该底层的图案化工艺被发现会引起栅氧化损坏。该方法包括：a)在晶片上制造若干沟槽MOSFET；b)在晶片的顶部增设能防止LTO图案化工艺损坏栅氧化的Si3N4绝缘层；c)在Si3N4绝缘层的顶部增设若干ESD保护模块；和d)移除Si3N4绝缘层的不位于ESD保护模块下方的部分。在一个实施例中，氢氟酸被用作图案化LTO的第一刻蚀剂，而热磷酸被用作移除部分Si3N4绝缘层的第二刻蚀剂。

公开(公告)号：CN102194699A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110038619.8

申请日：2011-02-10

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 常虹 ,  苏毅 ,  李文军 ,  翁丽敏 ,  陈开宇 ,  金钟五 ,  陈军

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/283 ,  H01L27/088 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明涉及一种用于制备半导体器件的方法，包括利用第一掩膜形成多个沟槽。沟槽包括源极传感沟槽，位于终止区外面以及两个相邻的有源区之间。利用第二掩膜，制成一个中间介质区，将第一和第二传导区分隔开。利用第三掩膜，形成连接到第一传导区的第一导电接头，以及连接到第二传导区的第二导电接头，并形成一个源极金属区。利用第四掩膜，形成到栅极金属区的接触。半导体器件含有一个源极传感接头，位于终止区外面以及器件的有源区外面。

公开(公告)号：CN101447453A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810176769.3

申请日：2008-11-18

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 潘梦瑜 ,  何增谊 ,  陈开宇

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7811 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种用于在沟槽MOSFET器件的顶部增设ESD保护模块时在晶片处理工艺期间防止沟槽MOSFET的栅氧化损坏的方法和器件结构。该ESD保护模块具有低温氧化(LTO)底层，该底层的图案化工艺被发现会引起栅氧化损坏。该方法包括：a)在晶片上制造若干沟槽MOSFET；b)在晶片的顶部增设能防止LTO图案化工艺损坏栅氧化的Si3N4绝缘层；c)在Si3N4绝缘层的顶部增设若干ESD保护模块；和d)移除Si3N4绝缘层的不位于ESD保护模块下方的部分。在一个实施例中，氢氟酸被用作图案化LTO的第一刻蚀剂，而热磷酸被用作移除部分Si3N4绝缘层的第二刻蚀剂。