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公开(公告)号:CN1890802A
公开(公告)日:2007-01-03
申请号:CN200480036581.9
申请日:2004-12-09
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L23/28
CPC classification number: H01L24/48 , H01L23/49555 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05599 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/371 , H01L2224/37599 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/84801 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/0106 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一半导体封装,包含一导线架,其具有若干条引线以及一导线架平台,该导线架平台具有与其耦接的一芯片,该若干条引线的至少其中之一具有一外部部件,其相对于该封装的底面向上倾斜;金属连接物,用以将芯片连接至该若干条引线;以及一树脂本体,用以封装该芯片、金属连接物以及一部分的导线架。
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公开(公告)号:CN1839471B
公开(公告)日:2011-03-16
申请号:CN03826785.3
申请日:2003-07-14
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
CPC classification number: H01L24/85 , H01L21/4821 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/50 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/04042 , H01L2224/05552 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/05647 , H01L2224/0603 , H01L2224/45139 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/49431 , H01L2224/85447 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/12041 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2224/78 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2924/01049
Abstract: 一种半导体集成电路的封装,包含一导线架(108),该导线架(108)包含一设置于晶粒(100)下的导线架平台(103a)及一设置于该晶粒中至少两个邻近侧面的接合金属区域(101a)。此接合金属区域(101a)的增加会增加此金属区域(101a)和晶粒(100)之间相互连接的数目,以减少电阻和电感。此外,如果从封装的塑料壳体(106)伸展出的外部终端设备的表面区域在未达到最大值时继续增加,就能够更快速进行散热并且减少外部终端阻力。此集成电路适用于MOSFET装置,并且将上述接合金属区域(101a)作为源极(101)。该接合金属区域可以是“L”形状、“C”形状、“J”形状、“I”形状,或者是上述形状的任何组合。
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公开(公告)号:CN101552272B
公开(公告)日:2011-01-19
申请号:CN200810177718.2
申请日:2008-11-12
Applicant: 万国半导体股份有限公司
Abstract: 一种具有单向模块化以及对称双向模块化能力的瞬态抑制二极管(TVS)电路,集成有电磁干扰(EMI)滤波器,设置在具有第一种导电形式的半导体衬底上。集成有EMI滤波器的TVS电路还包括用于对称双模块结构的设置于表面的接地端,以及用于单向模块结构的设置于半导体衬底底部的接地端,输入和输出端设置于顶部表面,半导体衬底上设置有至少一个稳压二极管和若干个电容,用于将接地端直接电容耦合到输入端及输出端,而无需介入浮体区域。
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公开(公告)号:CN101552272A
公开(公告)日:2009-10-07
申请号:CN200810177718.2
申请日:2008-11-12
Applicant: 万国半导体股份有限公司
Abstract: 一种具有单向模块化以及对称双向模块化能力的瞬态抑制二极管(TVS)电路,集成有电磁干扰(EMI)滤波器,设置在具有第一种导电形式的半导体衬底上。集成有EMI滤波器的TVS电路还包括用于对称双模块结构的设置于表面的接地端,以及用于单向模块结构的设置于半导体衬底底部的接地端,输入和输出端设置于顶部表面,半导体衬底上设置有至少一个稳压二极管和若干个电容,用于将接地端直接电容耦合到输入端及输出端,而无需介入浮体区域。
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公开(公告)号:CN100442482C
公开(公告)日:2008-12-10
申请号:CN200480036581.9
申请日:2004-12-09
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L23/28 , H01L23/495
CPC classification number: H01L24/48 , H01L23/49555 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05599 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/371 , H01L2224/37599 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/84801 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/0106 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一半导体封装,包含一导线架,其具有若干条引线以及一导线架平台,该导线架平台具有与其耦接的一芯片,该若干条引线的至少其中之一具有一外部部件,其相对于该封装的底面向上倾斜;金属连接物,用以将芯片连接至该若干条引线;以及一树脂本体,用以封装该芯片、金属连接物以及一部分的导线架。
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公开(公告)号:CN1839471A
公开(公告)日:2006-09-27
申请号:CN03826785.3
申请日:2003-07-14
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
CPC classification number: H01L24/85 , H01L21/4821 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/50 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/04042 , H01L2224/05552 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/05647 , H01L2224/0603 , H01L2224/45139 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/49431 , H01L2224/85447 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/12041 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2224/78 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2924/01049
Abstract: 一种半导体集成电路的封装,包含一导线架(108),该导线架(108)包含一设置于晶粒(100)下的导线架平台(103a)及一设置于该晶粒中至少两个邻近侧面的接合金属区域(101a)。此接合金属区域(101a)的增加会增加此金属区域(101a)和晶粒(100)之间相互连接的数目,以减少电阻和电感。此外,如果从封装的塑料壳体(106)伸展出的外部终端设备的表面区域在未达到最大值时继续增加,就能够更快速进行散热并且减少外部终端阻力。此集成电路适用于MOSFET装置,并且将上述接合金属区域(101a)作为源极(101)。该接合金属区域可以是“L”形状、“C”形状、“J”形状、“I”形状,或者是上述形状的任何组合。
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