公开(公告)号：CN105702677A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510831137.6

申请日：2015-11-25

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 马督儿·博德 ,  曾文江 ,  翁丽敏

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/74 ,  H01L29/861 ,  H01L29/866 ,  H01L21/82 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L21/283 ,  H01L21/822 ,  H01L27/0262 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1016 ,  H01L29/43 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66371 ,  H01L29/7412 ,  H01L27/0641 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/82 ,  H01L23/481 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/866 ,  H01L2221/1068

Abstract: 本发明涉及一种用于高浪涌和低电容的TVS结构。一种瞬态电压抑制（TVS）器件形成在第一导电类型的外延层中，外延层位于半导体衬底上方。TVS器件还包含多个打开的接触沟槽，延伸到第二导电类型的掺杂多晶硅层填充的外延层底部，其中沟槽还被第二导电类型的重掺杂区包围。TVS器件还包含一个金属接触层，沉积在外延层的顶面上，外延层电连接到Vcc电极，其中金属接触层还直接接触掺杂多晶硅层以及第二导电类型的重掺杂区。

公开(公告)号：CN105702677B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201510831137.6

申请日：2015-11-25

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 马督儿·博德 ,  曾文江 ,  翁丽敏

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/74 ,  H01L29/861 ,  H01L29/866 ,  H01L21/82 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L21/283 ,  H01L21/822 ,  H01L27/0262 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1016 ,  H01L29/43 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66371 ,  H01L29/7412

Abstract: 本发明涉及一种用于高浪涌和低电容的TVS结构。一种瞬态电压抑制（TVS）器件形成在第一导电类型的外延层中，外延层位于半导体衬底上方。TVS器件还包含多个打开的接触沟槽，延伸到第二导电类型的掺杂多晶硅层填充的外延层底部，其中沟槽还被第二导电类型的重掺杂区包围。TVS器件还包含一个金属接触层，沉积在外延层的顶面上，外延层电连接到Vcc电极，其中金属接触层还直接接触掺杂多晶硅层以及第二导电类型的重掺杂区。