公开(公告)号：CN105702732B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201510821015.9

申请日：2015-11-24

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 李亦衡 ,  管灵鹏 ,  薛宏勇 ,  顾一鸣 ,  向泱 ,  黄士彰 ,  谢卡尔·拉玛莫西 ,  李文军 ,  常虹 ,  马督儿·博德 ,  保罗·托鲁普 ,  哈姆扎·依玛兹

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/4236 ,  H01L21/28008 ,  H01L27/088 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66613 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 多个栅极沟槽形成在有源晶胞区中的半导体衬底中。一个或多个其他沟槽形成在不同区域。每个栅极沟槽都具有在底部的第一导电材料，以及在顶部的第二导电材料。在栅极沟槽中，第一绝缘层将第一导电材料与衬底隔开，第二绝缘层将第二导电材料与衬底隔开，第三绝缘层将第一导电材料和第二导电材料隔开。一个或多个其他沟槽都含有一部分第一导电材料，呈半U型，在其他沟槽底部，以及第二导电材料在其他沟槽顶部。在其他沟槽中，第三绝缘层将第一导电材料和第二导电材料隔开。第一绝缘层的厚度大于第三绝缘层的厚度，第三绝缘层的厚度大于第二绝缘层的厚度。

公开(公告)号：CN106057895A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610215555.7

申请日：2016-04-08

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 薛宏勇 ,  雷燮光 ,  黄士彰 ,  林靖凯 ,  李文军 ,  杨易昌 ,  邓觉为

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的实施例提出了一种沟槽功率MOSFET器件的自对准接头。该器件具有一个氮化层，位于栅极沟槽中导电材料上方，以及每两个邻近的接触结构之间的那部分台面结构上方。还可选择，该器件具有一个氧化层，在栅极沟槽中的导电材料上方，以及每两个邻近的接触结构之间的那部分台面结构上方。要强调的是，本摘要是为了满足摘要的要求，允许研究人员或其他读者快速掌握技术方案的主旨内容。提交本专利应理解，它不会被用来解释或限制权利要求书的范围或含义。

公开(公告)号：CN106057895B

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201610215555.7

申请日：2016-04-08

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 薛宏勇 ,  雷燮光 ,  黄士彰 ,  林靖凯 ,  李文军 ,  杨易昌 ,  邓觉为

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的实施例提出了一种沟槽功率MOSFET器件的自对准接头。该器件具有一个氮化层，位于栅极沟槽中导电材料上方，以及每两个邻近的接触结构之间的那部分台面结构上方。还可选择，该器件具有一个氧化层，在栅极沟槽中的导电材料上方，以及每两个邻近的接触结构之间的那部分台面结构上方。要强调的是，本摘要是为了满足摘要的要求，允许研究人员或其他读者快速掌握技术方案的主旨内容。提交本专利应理解，它不会被用来解释或限制权利要求书的范围或含义。

公开(公告)号：CN105702732A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510821015.9

申请日：2015-11-24

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 李亦衡 ,  管灵鹏 ,  薛宏勇 ,  顾一鸣 ,  向泱 ,  黄士彰 ,  谢卡尔·拉玛莫西 ,  李文军 ,  常虹 ,  马督儿·博德 ,  保罗·托鲁普 ,  哈姆扎·依玛兹

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/4236 ,  H01L21/28008 ,  H01L27/088 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66613 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7831

Abstract: 多个栅极沟槽形成在有源晶胞区中的半导体衬底中。一个或多个其他沟槽形成在不同区域。每个栅极沟槽都具有在底部的第一导电材料，以及在顶部的第二导电材料。在栅极沟槽中，第一绝缘层将第一导电材料与衬底隔开，第二绝缘层将第二导电材料与衬底隔开，第三绝缘层将第一导电材料和第二导电材料隔开。一个或多个其他沟槽都含有一部分第一导电材料，呈半U型，在其他沟槽底部，以及第二导电材料在其他沟槽顶部。在其他沟槽中，第三绝缘层将第一导电材料和第二导电材料隔开。第一绝缘层的厚度大于第三绝缘层的厚度，第三绝缘层的厚度大于第二绝缘层的厚度。