公开(公告)号：CN106057895B

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201610215555.7

申请日：2016-04-08

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 薛宏勇 ,  雷燮光 ,  黄士彰 ,  林靖凯 ,  李文军 ,  杨易昌 ,  邓觉为

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的实施例提出了一种沟槽功率MOSFET器件的自对准接头。该器件具有一个氮化层，位于栅极沟槽中导电材料上方，以及每两个邻近的接触结构之间的那部分台面结构上方。还可选择，该器件具有一个氧化层，在栅极沟槽中的导电材料上方，以及每两个邻近的接触结构之间的那部分台面结构上方。要强调的是，本摘要是为了满足摘要的要求，允许研究人员或其他读者快速掌握技术方案的主旨内容。提交本专利应理解，它不会被用来解释或限制权利要求书的范围或含义。

公开(公告)号：CN106057895A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610215555.7

申请日：2016-04-08

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 薛宏勇 ,  雷燮光 ,  黄士彰 ,  林靖凯 ,  李文军 ,  杨易昌 ,  邓觉为

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的实施例提出了一种沟槽功率MOSFET器件的自对准接头。该器件具有一个氮化层，位于栅极沟槽中导电材料上方，以及每两个邻近的接触结构之间的那部分台面结构上方。还可选择，该器件具有一个氧化层，在栅极沟槽中的导电材料上方，以及每两个邻近的接触结构之间的那部分台面结构上方。要强调的是，本摘要是为了满足摘要的要求，允许研究人员或其他读者快速掌握技术方案的主旨内容。提交本专利应理解，它不会被用来解释或限制权利要求书的范围或含义。

公开(公告)号：CN105826386A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610033164.3

申请日：2016-01-19

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 李文军 ,  保罗·托鲁普 ,  常虹 ,  李亦衡 ,  向泱 ,  邓觉为 ,  薛宏勇 ,  顾一鸣

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提出了一种位于半导体衬底中的半导体功率器件，该半导体功率器件包含一个有源晶胞区和一个端接区。该半导体功率器件还包含多个栅极沟槽，形成在有源晶胞区中半导体衬底的顶部，其中每个栅极沟槽都用导电栅极材料部分填充，沟槽的顶部用高密度等离子（HDP）绝缘层填充。该半导体功率器件还包含位于栅极沟槽之间的半导体衬底的台面结构区，其中台面结构区凹陷下去，顶部台面结构表面垂直位于HDP绝缘层的顶面以下，其中覆盖在导电栅极材料上方的HDP绝缘层构成一个凸起边界限定层，包围着栅极沟槽之间有源晶胞区中的凹陷台面结构区。