公开(公告)号：CN101271855A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810086658.3

申请日：2008-03-21

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 楼盈盈 ,  李铁生 ,  王宇 ,  安荷·叭剌

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/306 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66734 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种测定蚀刻深度的方法，一种形成屏蔽栅极沟槽(SGT)结构的方法以及一种半导体装置晶圆。在具有沟槽的底层的一部分上形成材料层。用材料填充所述的沟槽。在材料层测试区域之上设有抗蚀性涂层。所述的抗蚀性涂层不覆盖所述的沟槽。所述的材料层被同方向地蚀刻。从涂层下材料的蚀刻特性来测定蚀刻深度。上述方法可应用于形成SGT结构。晶圆包括材料层，所述的材料层至少设置在半导体晶圆表面的一部分上；抗蚀性涂层，所述的抗蚀性涂层包括一个设置在材料层一部分上的三角形测试区域；标尺，所述的标尺标识在接近于测试区域的底层表面上。

公开(公告)号：CN101271855B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200810086658.3

申请日：2008-03-21

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 楼盈盈 ,  李铁生 ,  王宇 ,  安荷·叭剌

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/306 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66734 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种测定蚀刻深度的方法，一种形成屏蔽栅极沟槽(SGT)结构的方法以及一种半导体装置晶圆。在具有沟槽的底层的一部分上形成材料层。用材料填充所述的沟槽。在材料层测试区域之上设有抗蚀性涂层。所述的抗蚀性涂层不覆盖所述的沟槽。所述的材料层被同方向地蚀刻。从涂层下材料的蚀刻特性来测定蚀刻深度。上述方法可应用于形成SGT结构。晶圆包括材料层，所述的材料层至少设置在半导体晶圆表面的一部分上；抗蚀性涂层，所述的抗蚀性涂层包括一个设置在材料层一部分上的三角形测试区域；标尺，所述的标尺标识在接近于测试区域的底层表面上。

公开(公告)号：CN101271856B

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200810086659.8

申请日：2008-03-21

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 李铁生 ,  王宇 ,  楼盈盈 ,  安荷·叭剌

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/306 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L22/34 ,  H01L22/12 ,  H01L22/14 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种测定蚀刻深度的方法，一种形成屏蔽栅极沟槽(SGT)结构的方法和一种半导体装置晶圆。在具有沟槽的底层的一部分上形成材料层。用材料填充所述的沟槽。在材料层的测试区域上放置抗蚀性涂层，从而定义位于抗蚀性涂层之下的测试结构。抗蚀性涂层不覆盖沟槽。同向蚀刻材料，测量与测试结构电阻改变有关的信号。通过信号测定测试结构的横向底切DL，通过DL测定蚀刻深度DT。晶圆包括形成电桥的一个或多个测试结构。穿过连接洞的一个或多个金属连接线电连接所述的测试结构。所述的抗蚀性涂层在测试结构之上。

公开(公告)号：CN101271856A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810086659.8

申请日：2008-03-21

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 李铁生 ,  王宇 ,  楼盈盈 ,  安荷·叭剌

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/306 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L22/34 ,  H01L22/12 ,  H01L22/14 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种测定蚀刻深度的方法，一种形成屏蔽栅极沟槽(SGT)结构的方法和一种半导体装置晶圆。在具有沟槽的底层的一部分上形成材料层。用材料填充所述的沟槽。在材料层的测试区域上放置抗蚀性涂层，从而定义位于抗蚀性涂层之下的测试结构。抗蚀性涂层不覆盖沟槽。同向蚀刻材料，测量与测试结构电阻改变有关的信号。通过信号测定测试结构的横向底切DL，通过DL测定蚀刻深度DT。晶圆包括形成电桥的一个或多个测试结构。穿过连接洞的一个或多个金属连接线电连接所述的测试结构。所述的抗蚀性涂层在测试结构之上。