公开(公告)号：CN102270660B

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201010552507.X

申请日：2010-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 亚历山大·卡尼斯基 ,  段孝勤 ,  吴国铭 ,  黄伟宗

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明提供了一种位于基板上的沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管结构及其形成方法，其采用自对准接触物因而可降低沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管的间距尺寸。该晶体管结构包括：第一沟槽与第二沟槽，位于基板上，第一沟槽与第二沟槽衬覆有栅极介电层并为栅极多晶硅所填满；自对准源极接触物，位于第一沟槽与第二沟槽之间，自对准源极接触物连接于源极金属；栅极接触物，位于沟槽之上，沟槽接触物连接于栅极金属与位于第一沟槽内的栅极多晶硅；源极区，环绕自对准源极接触物，其中源极区具有凸出形态。上述自对准接触物借由蚀刻露出的硅区域而形成，无须使用光刻光掩模与对准情形。因而可免除对准容忍度并可降低间距尺寸。

公开(公告)号：CN102117770B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201010537781.X

申请日：2010-11-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 亚历山大·卡尼斯基 ,  段孝勤 ,  韩良恺 ,  曾铕寪 ,  谢元智 ,  林宏桦

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L29/66712 ,  H01L21/78 ,  H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种支撑与握持包括垂直型场效应晶体管形成于其前侧表面的半导体晶片的支撑结构的形成方法。于一实施例中，提供具有一前侧表面与一后侧表面的一半导体晶片，其中该前侧表面包括为多个切割道所分隔的一个或多个芯片。自后侧表面薄化上述半导体晶片至一既定厚度。形成多个图案化金属构件于经薄化的后侧表面上以支撑上述半导体晶片，其中此些图案化金属构件分别大体覆盖一芯片且大体未覆盖此些切割线。沿此些切割线切割上述半导体晶片，以分隔用此一个或多个芯片用于后续芯片封装之用。本发明可降低于晶片握持、传输、加工与切割时的晶片毁损风险。

公开(公告)号：CN102129900A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201010170233.8

申请日：2010-04-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶德强 ,  匡训沖 ,  刘铭棋 ,  喻中一 ,  赵治平 ,  亚历山大·卡尼斯基

IPC: H01C17/075 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/20 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76865 ,  H01L27/016 ,  H01L28/24

Abstract: 本发明提供一种薄膜电阻器的制造方法，包括：形成一掺杂区于一半导体基板中；形成一介电层于该基板上；形成一薄膜电阻器于该介电层上；于该薄膜电阻器进行回火之前，形成一接触孔于该介电层中，其中该接触孔露出一部分的该掺杂区；以及于形成该接触孔之后，对该薄膜电阻器实施一快速热回火。本发明可减少工艺时间，且经调整后的薄膜电阻器(TFR)特性不会因后续第二次的回火步骤而受影响。

公开(公告)号：CN102117770A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN201010537781.X

申请日：2010-11-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 亚历山大·卡尼斯基 ,  段孝勤 ,  韩良恺 ,  曾铕寪 ,  谢元智 ,  林宏桦

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L29/66712 ,  H01L21/78 ,  H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种支撑与握持包括垂直型场效应晶体管形成于其前侧表面的半导体晶片的支撑结构的形成方法。于一实施例中，提供具有一前侧表面与一后侧表面的一半导体晶片，其中该前侧表面包括为多个切割道所分隔的一个或多个芯片。自后侧表面薄化上述半导体晶片至一既定厚度。形成多个图案化金属构件于经薄化的后侧表面上以支撑上述半导体晶片，其中此些图案化金属构件分别大体覆盖一芯片且大体未覆盖此些切割线。沿此些切割线切割上述半导体晶片，以分隔用此一个或多个芯片用于后续芯片封装之用。本发明可降低于晶片握持、传输、加工与切割时的晶片毁损风险。

公开(公告)号：CN109494219B

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN201711204383.4

申请日：2017-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑光茗 ,  亚历山大·卡尼斯基 ,  段孝勤 ,  周建志 ,  陈奕升 ,  陈奕寰 ,  范富杰

IPC: H01L27/088

Abstract: 本公开涉及集成电路与其形成方法。在一些实施例中，第一氧化物组成位于中电压区中的基板上。第一高介电常数介电组成位于低电压区中的基板上，而第二高介电常数介电组成位于中电压区中的第一氧化物组成上。第一栅极与基板之间隔有第一高介电常数介电组成。第二栅极与基板之间隔有第一氧化物组成与第二高介电常数介电组成。

公开(公告)号：CN109427562B

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN201711241717.5

申请日：2017-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘铭棋 ,  李汝谅 ,  蔡嘉雄 ,  陈逸群 ,  亚历山大·卡尼斯基 ,  余振华

IPC: H01L21/18

Abstract: 提供一种半导体芯片的形成方法，包括：提供硅承载晶片，其具有第一面及第二面，其中外延III‑V族半导体区及氧化区设置在第一面上，且外延III‑V族半导体区及氧化区具有从硅承载晶片的第一面量起大抵相同的高度，外延III‑V族半导体区侧壁接触氧化区侧壁；在外延III‑V族半导体区及氧化区顶表面形成共晶接合层；接合互补式金氧半晶片至共晶接合层；随后去除硅承载晶片；单粒化互补式金氧半晶片以形成三维集成电路，其皆包含互补式金氧半基板及III‑V族光学装置，互补式金氧半基板及III‑V族光学装置分别对应互补式金氧半晶片及III‑V族光学装置的一部分。

公开(公告)号：CN102190274B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201110021179.5

申请日：2011-01-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 亚历山大·卡尼斯基 ,  薛福隆

IPC: B81B3/00 ,  G01B7/02

CPC classification number: G01B7/003 ,  A63F13/06 ,  A63F13/211 ,  A63F13/24 ,  A63F2300/1043 ,  A63F2300/105 ,  G01P3/52 ,  G01P15/125 ,  G01P15/16

Abstract: 本发明提供一种微机电系统装置，该装置适用于感测机械位移，包括至少一第一电容器，具有第一和第二电容器极板，第一和第二电容器极板设置于彼此相距为一间距的位置，第一和第二电容器极板具有不同功函数并且互相电性连接，其中第一和第二电极板之一可相对于另一者移动，使得第一和第二电容器极板间的上述间距随着一外力改变，流经第一电容器的电流代表在特定的时间内上述间距改变的速度。本发明提供的运动感测器较快速、便宜和/或精准无误。

公开(公告)号：CN102270660A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201010552507.X

申请日：2010-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 亚历山大·卡尼斯基 ,  段孝勤 ,  吴国铭 ,  黄伟宗

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明提供了一种位于基板上的沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管结构及其形成方法，其采用自对准接触物因而可降低沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管的间距尺寸。该晶体管结构包括：第一沟槽与第二沟槽，位于基板上，第一沟槽与第二沟槽衬覆有栅极介电层并为栅极多晶硅所填满；自对准源极接触物，位于第一沟槽与第二沟槽之间，自对准源极接触物连接于源极金属；栅极接触物，位于沟槽之上，沟槽接触物连接于栅极金属与位于第一沟槽内的栅极多晶硅；源极区，环绕自对准源极接触物，其中源极区具有凸出形态。上述自对准接触物借由蚀刻露出的硅区域而形成，无须使用光刻光掩模与对准情形。因而可免除对准容忍度并可降低间距尺寸。

公开(公告)号：CN109494219A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201711204383.4

申请日：2017-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑光茗 ,  亚历山大·卡尼斯基 ,  段孝勤 ,  周建志 ,  陈奕升 ,  陈奕寰 ,  范富杰

IPC: H01L27/088

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/02 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/04 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

Abstract: 本公开涉及集成电路与其形成方法。在一些实施例中，第一氧化物组成位于中电压区中的基板上。第一高介电常数介电组成位于低电压区中的基板上，而第二高介电常数介电组成位于中电压区中的第一氧化物组成上。第一栅极与基板之间隔有第一高介电常数介电组成。第二栅极与基板之间隔有第一氧化物组成与第二高介电常数介电组成。

公开(公告)号：CN109427562A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201711241717.5

申请日：2017-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘铭棋 ,  李汝谅 ,  蔡嘉雄 ,  陈逸群 ,  亚历山大·卡尼斯基 ,  余振华

IPC: H01L21/18

Abstract: 提供一种半导体芯片的形成方法，包括：提供硅承载晶片，其具有第一面及第二面，其中外延III-V族半导体区及氧化区设置在第一面上，且外延III-V族半导体区及氧化区具有从硅承载晶片的第一面量起大抵相同的高度，外延III-V族半导体区侧壁接触氧化区侧壁；在外延III-V族半导体区及氧化区顶表面形成共晶接合层；接合互补式金氧半晶片至共晶接合层；随后去除硅承载晶片；单粒化互补式金氧半晶片以形成三维集成电路，其皆包含互补式金氧半基板及III-V族光学装置，互补式金氧半基板及III-V族光学装置分别对应互补式金氧半晶片及III-V族光学装置的一部分。