公开(公告)号：CN100399542C

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200510102776.5

申请日：2005-09-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾铕寪 ,  黄松辉 ,  刘坤赐

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1031 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种内连线结构及其形成方法，此形成方法包括在一导电区域上形成一第一介电材料，在该第一介电材料上形成一第一绝缘介电材料，在该第一绝缘介电材料中形成一第一开口，使用一第二介电材料覆盖该第一开口，在该第一绝缘介电材料之上形成一第二绝缘介电材料，在该第二绝缘介电材料中形成一第二开口，该第二开口是形成于该第一开口之上，并且与该第一开口互相连接，以及使用一导电金属填充该第一与该第二开口，用以使该等开口中的该导电金属与该导电区域电性相连。本发明可改善半导体装置中集成电路的性能与可靠度，并可降低制造成本。

公开(公告)号：CN101989610B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201010237420.3

申请日：2010-07-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾铕寪 ,  吴林峻 ,  林裕庭

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示一种集成电路与背面及正面受光型图像传感器，该集成电路包括一基底，其具有一接合焊盘区及一非接合焊盘区。一相对大的介层窗(via)形成于接合焊盘区的基底上，称之为“巨型介层窗”。巨型介层窗在朝向基底的俯视外观中具有一第一尺寸(dimension)。而集成电路也包括多个介层窗，形成于非接合焊盘区的基底上。每一介层窗的俯视外观具有一第二尺寸，且第二尺寸大体小于第一尺寸。本发明可改善打线未叠置于接合焊盘、接合焊盘剥离、及内层介焊盘层龟裂等现有装置存在的问题。

公开(公告)号：CN102117770B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201010537781.X

申请日：2010-11-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 亚历山大·卡尼斯基 ,  段孝勤 ,  韩良恺 ,  曾铕寪 ,  谢元智 ,  林宏桦

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L29/66712 ,  H01L21/78 ,  H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种支撑与握持包括垂直型场效应晶体管形成于其前侧表面的半导体晶片的支撑结构的形成方法。于一实施例中，提供具有一前侧表面与一后侧表面的一半导体晶片，其中该前侧表面包括为多个切割道所分隔的一个或多个芯片。自后侧表面薄化上述半导体晶片至一既定厚度。形成多个图案化金属构件于经薄化的后侧表面上以支撑上述半导体晶片，其中此些图案化金属构件分别大体覆盖一芯片且大体未覆盖此些切割线。沿此些切割线切割上述半导体晶片，以分隔用此一个或多个芯片用于后续芯片封装之用。本发明可降低于晶片握持、传输、加工与切割时的晶片毁损风险。

公开(公告)号：CN102117770A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN201010537781.X

申请日：2010-11-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 亚历山大·卡尼斯基 ,  段孝勤 ,  韩良恺 ,  曾铕寪 ,  谢元智 ,  林宏桦

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L29/66712 ,  H01L21/78 ,  H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种支撑与握持包括垂直型场效应晶体管形成于其前侧表面的半导体晶片的支撑结构的形成方法。于一实施例中，提供具有一前侧表面与一后侧表面的一半导体晶片，其中该前侧表面包括为多个切割道所分隔的一个或多个芯片。自后侧表面薄化上述半导体晶片至一既定厚度。形成多个图案化金属构件于经薄化的后侧表面上以支撑上述半导体晶片，其中此些图案化金属构件分别大体覆盖一芯片且大体未覆盖此些切割线。沿此些切割线切割上述半导体晶片，以分隔用此一个或多个芯片用于后续芯片封装之用。本发明可降低于晶片握持、传输、加工与切割时的晶片毁损风险。

公开(公告)号：CN103258780B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201210269069.5

申请日：2012-07-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾铕寪 ,  苏淑慧

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。半导体器件包括形成在衬底上方的第一金属层部件。半导体器件包括形成在第一金属层部件上方的通孔。通孔具有凹陷形状。半导体器件包括形成在通孔上方的第二金属层部件。半导体器件包括形成在衬底上方的第一介电层部件。第一介电层部件与第一金属层部件相邻，并且部分地位于第一金属层部件上方。第一介电层部件包含氟。半导体器件包括形成在第一介电层部件上方的第二介电层部件。第一介电层部件和第二介电层部件各自都与通孔相邻。第二介电层部件不含有氟。本发明还提供用于形成大通孔的新工艺。

公开(公告)号：CN103258780A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201210269069.5

申请日：2012-07-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾铕寪 ,  苏淑慧

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。半导体器件包括形成在衬底上方的第一金属层部件。半导体器件包括形成在第一金属层部件上方的通孔。通孔具有凹陷形状。半导体器件包括形成在通孔上方的第二金属层部件。半导体器件包括形成在衬底上方的第一介电层部件。第一介电层部件与第一金属层部件相邻，并且部分地位于第一金属层部件上方。第一介电层部件包含氟。半导体器件包括形成在第一介电层部件上方的第二介电层部件。第一介电层部件和第二介电层部件各自都与通孔相邻。第二介电层部件不含有氟。本发明还提供用于形成大通孔的新工艺。

公开(公告)号：CN101989610A

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN201010237420.3

申请日：2010-07-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾铕寪 ,  吴林峻 ,  林裕庭

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示一种集成电路与背面及正面受光型图像传感器，该集成电路包括一基底，其具有一接合焊盘区及一非接合焊盘区。一相对大的介层窗(via)形成于接合焊盘区的基底上，称之为“巨型介层窗”。巨型介层窗在朝向基底的俯视外观中具有一第一尺寸(dimension)。而集成电路也包括多个介层窗，形成于非接合焊盘区的基底上。每一介层窗的俯视外观具有一第二尺寸，且第二尺寸大体小于第一尺寸。本发明可改善打线未叠置于接合焊盘、接合焊盘剥离、及内层介焊盘层龟裂等现有装置存在的问题。

公开(公告)号：CN1815711A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200510102776.5

申请日：2005-09-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾铕寪 ,  黄松辉 ,  刘坤赐

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1031 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种内连线结构及其形成方法，此形成方法包括在一导电区域上形成一第一介电材料，在该第一介电材料上形成一第一绝缘介电材料，在该第一绝缘介电材料中形成一第一开口，使用一第二介电材料覆盖该第一开口，在该第一绝缘介电材料之上形成一第二绝缘介电材料，在该第二绝缘介电材料中形成一第二开口，该第二开口是形成于该第一开口之上，并且与该第一开口互相连接，以及使用一导电金属填充该第一与该第二开口，用以使该等开口中的该导电金属与该导电区域电性相连。本发明可改善半导体装置中集成电路的性能与可靠度，并可降低制造成本。