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公开(公告)号：CN104995739B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201480008928.2
申请日：2014-02-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L29/12 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/4941 , H01L21/0485 , H01L21/28 , H01L29/12 , H01L29/1608 , H01L29/401 , H01L29/417 , H01L29/45 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/66068 , H01L29/78 , H01L29/7802
Abstract: 一种碳化硅半导体器件(101)，包括碳化硅衬底(10)、主电极(52)、第一阻挡层(70a)以及互连层(60)。主电极(52)直接设置在碳化硅衬底(10)上。第一阻挡层(70a)设置在主电极(52)上且由不包含铝的导电材料制成。互连层(60)设置在第一阻挡层(70a)上，通过第一阻挡层(70a)与主电极(52)隔开，且由包含铝的材料制成。
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公开(公告)号：CN104662664B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201380048989.7
申请日：2013-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种碳化硅半导体器件(1)，包括元件区(IR)以及保护环区(5)。半导体元件(7)设置在元件区(IR)中。保护环区(5)在平面图中围绕元件区(IR)并且具有第一导电类型。半导体元件(7)包括具有与第一导电类型不同的第二导电类型的漂移区(12)。保护环区(5)包括线性区(B)以及接续连接至线性区(B)的曲率区(A)。通过将曲率区(A)的内周部(2c)的曲率半径(R)除以所述漂移区(12)的厚度(Tl)获得的值为不小于5且不大于10。因此，可提供能在提高击穿电压的同时抑制导通态电流降低的碳化硅半导体器件(1)。
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公开(公告)号：CN106716609B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201580051484.5
申请日：2015-08-31
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/316 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 一种碳化硅半导体装置(1)，其具有碳化硅基板(10)、栅绝缘膜(15)、栅电极(27)和层间绝缘膜(2)。碳化硅基板(10)具有主面(10a)。栅绝缘膜(15)设置在碳化硅基板(10)的主面(10a)上。栅电极(27)设置在栅绝缘膜(15)上。以覆盖栅电极(27)的方式设置层间绝缘膜(2)。层间绝缘膜(2)包含：第一绝缘膜(2a)，其与栅电极(27)接触、含有硅原子并且既不含磷原子也不含硼原子；第二绝缘膜(2b)，其设置在第一绝缘膜(2a)上并且含有硅原子以及磷原子和硼原子中的至少一种；和第三绝缘膜(2c)，其含有硅原子并且既不含磷原子也不含硼原子。第二绝缘膜(2b)具有与第一绝缘膜(2a)接触的第一面(2b1)、第一面(2b1)相反侧的第二面(2b2)、以及连接第一面(2b1)和第二面(2b2)的第三面(2b3)。第三绝缘膜(2c)与第二面(2b2)和第三面(2b3)中的至少一者接触。
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公开(公告)号：CN107068732A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611177191.4
申请日：2013-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种碳化硅半导体器件(1)，包括元件区(IR)以及保护环区(5)。半导体元件(7)设置在元件区(IR)中。保护环区(5)在平面图中围绕元件区(IR)并且具有第一导电类型。半导体元件(7)包括具有与第一导电类型不同的第二导电类型的漂移区(12)。保护环区(5)包括线性区(B)以及接续连接至线性区(B)的曲率区(A)。通过将曲率区(A)的内周部(2c)的曲率半径(R)除以所述漂移区(12)的厚度(Tl)获得的值为不小于5且不大于10，所述保护环区中的杂质浓度为不小于8×1012cm‑2且不大于1.4×1013cm‑2。因此，可提供能在提高击穿电压的同时抑制导通态电流降低的碳化硅半导体器件(1)。
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公开(公告)号：CN104662664A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380048989.7
申请日：2013-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/0638 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7802
Abstract: 一种碳化硅半导体器件(1)，包括元件区(IR)以及保护环区(5)。半导体元件(7)设置在元件区(IR)中。保护环区(5)在平面图中围绕元件区(IR)并且具有第一导电类型。半导体元件(7)包括具有与第一导电类型不同的第二导电类型的漂移区(12)。保护环区(5)包括线性区(B)以及接续连接至线性区(B)的曲率区(A)。通过将曲率区(A)的内周部(2c)的曲率半径(R)除以所述漂移区(12)的厚度(Tl)获得的值为不小于5且不大于10。因此，可提供能在提高击穿电压的同时抑制导通态电流降低的碳化硅半导体器件(1)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104285299A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201380024867.4
申请日：2013-04-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/41 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/417 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L21/0485 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/7802 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L29/41725
Abstract: 一种碳化硅半导体器件(1)包括碳化硅衬底(10)和接触电极(16)。碳化硅衬底(10)包括n型区(14)和与n型区(14)接触的p型区(18)。接触电极(16)与碳化硅衬底(10)接触。接触电极(16)包括包含TiSi的第一区域(5)和包含Al的第二区域(3)。第一区域(5)包括与n型区(14)接触的n接触区(5a)和与p型区(18)接触的p接触区(5b)。第二区域(3)被形成为与p型区(18)和n型区(14)接触，并且围绕p接触区(5b)和n接触区(5a)。因此，可以提供一种碳化硅半导体器件，该碳化硅半导体器件包括允许与碳化硅衬底中形成的p型杂质区和n型杂质区二者形成欧姆接触的电极。
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公开(公告)号：CN107068732B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201611177191.4
申请日：2013-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种碳化硅半导体器件(1)，包括元件区(IR)以及保护环区(5)。半导体元件(7)设置在元件区(IR)中。保护环区(5)在平面图中围绕元件区(IR)并且具有第一导电类型。半导体元件(7)包括具有与第一导电类型不同的第二导电类型的漂移区(12)。保护环区(5)包括线性区(B)以及接续连接至线性区(B)的曲率区(A)。通过将曲率区(A)的内周部(2c)的曲率半径(R)除以所述漂移区(12)的厚度(Tl)获得的值为不小于5且不大于10，所述保护环区中的杂质浓度为不小于8×1012cm‑2且不大于1.4×1013cm‑2。因此，可提供能在提高击穿电压的同时抑制导通态电流降低的碳化硅半导体器件(1)。
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公开(公告)号：CN106716609A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580051484.5
申请日：2015-08-31
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/316 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L23/53295 , H01L21/043 , H01L23/291 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/53223 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/51 , H01L29/66068 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种碳化硅半导体装置(1)，其具有碳化硅基板(10)、栅绝缘膜(15)、栅电极(27)和层间绝缘膜(2)。碳化硅基板(10)具有主面(10a)。栅绝缘膜(15)设置在碳化硅基板(10)的主面(10a)上。栅电极(27)设置在栅绝缘膜(15)上。以覆盖栅电极(27)的方式设置层间绝缘膜(2)。层间绝缘膜(2)包含：第一绝缘膜(2a)，其与栅电极(27)接触、含有硅原子并且既不含磷原子也不含硼原子；第二绝缘膜(2b)，其设置在第一绝缘膜(2a)上并且含有硅原子以及磷原子和硼原子中的至少一种；和第三绝缘膜(2c)，其含有硅原子并且既不含磷原子也不含硼原子。第二绝缘膜(2b)具有与第一绝缘膜(2a)接触的第一面(2b1)、第一面(2b1)相反侧的第二面(2b2)、以及连接第一面(2b1)和第二面(2b2)的第三面(2b3)。第三绝缘膜(2c)与第二面(2b2)和第三面(2b3)中的至少一者接触。
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公开(公告)号：CN105706221A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201480061004.9
申请日：2014-09-18
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/66 , H01L29/12 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/1608 , G01R31/2621 , G01R31/2856 , H01L21/0485 , H01L21/049 , H01L21/28 , H01L21/321 , H01L21/324 , H01L21/326 , H01L22/14 , H01L29/12 , H01L29/423 , H01L29/45 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/66068 , H01L29/78 , H01L29/7827
Abstract: 一种碳化硅半导体器件包括碳化硅衬底(10)、栅极绝缘膜(15)和栅电极(27)。碳化硅衬底(10)具有第一主表面(10a)和与所述第一主表面(10a)相反的第二主表面(10b)。所述栅极绝缘膜(15)被设置成接触所述碳化硅衬底(10)的所述第一主表面(10a)。所述栅电极(27)设置在所述栅极绝缘膜(15)上，使得所述栅极绝缘膜(15)位于所述栅电极(27)和所述碳化硅衬底(10)之间。在175℃的温度下向栅电极(27)施加-5V的栅电压达100小时的第一应力测试中，第一阈值电压和第二阈值电压之差的绝对值不大于0.5V，所述第一应力测试之前的阈值电压被定义为所述第一阈值电压并且所述第一应力测试之后的阈值电压被定义为所述第二阈值电压。因此，提供了阈值电压的波动可减弱的碳化硅半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN103262218A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180059838.2
申请日：2011-12-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 山田俊介
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/337 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/808
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/046 , H01L21/0485 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/66901 , H01L29/808
Abstract: 制备一种具有衬底表面（12B）的碳化硅衬底（10）。形成绝缘膜（15）以便覆盖衬底表面（12B）的一部分。在衬底表面（12B）上形成接触电极（16），以便接触绝缘膜（15）。接触电极（16）包含Al、Ti和Si原子。接触电极（16）包括由包含Al原子以及Si原子和Ti原子中的至少任一种的合金制成的合金膜（50）。对接触电极（16）进行退火以便碳化硅衬底（10）和接触电极（16）彼此建立欧姆连接。因此，在采用具有Al原子的接触电极的情况下，可提高绝缘膜的绝缘可靠性。
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