公开(公告)号：CN1941279A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610078447.6

申请日：2006-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李元榜 ,  吴子扬 ,  潘昇良 ,  林耀辉 ,  赖育志 ,  陈德芳 ,  林佩璇 ,  吴善华 ,  刘鸿兴

IPC: H01L21/00 ,  G03F7/36 ,  G03F7/42

Abstract: 一种使用纯H2O等离子体的原位实施方法，用来从基材或晶圆移除光阻层，而不会在基材或晶圆上累积电荷。以及，一种使用纯H2O等离子体或纯H2O蒸气的原位实施方法，用来从此基材或晶圆表面移除或释放经由一个或多个集成电路建构制程所累积的电荷。

公开(公告)号：CN116525442A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310210790.5

申请日：2023-03-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡国强 ,  林佩璇 ,  叶震亚 ,  江木吉

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/417

Abstract: 根据本发明的方法和器件包括具有诸如源极部件的第一晶体管端子和诸如另一源极部件的第二晶体管端子的衬底。在每个源极/漏极部件上形成接触结构。在形成接触结构之后，在接触结构之上的介电材料中形成通孔开口，填充通孔开口以形成从第一源极部件上的接触件延伸至第二源极部件上的接触件的非线性通孔。非线性通孔可以包括在顶视图中具有凸部分和/或凹部分的波状形的轮廓。本申请的实施例还涉及半导体器件和制造半导体结构的方法。