公开(公告)号：CN1770019A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510079870.3

申请日：2005-06-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李元榜 ,  吴子扬 ,  潘昇良 ,  林耀辉 ,  赖育志 ,  陈德芳

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/427 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明是有关于一种以临界(In－Situ)的方式从基板或晶圆剥除光阻层的方法，其是利用一H2O电浆配方(Recipe)在光阻剥除时，可实质地防止电荷累积在基板或晶圆上。应用上述同时移除光阻以及释放电荷的方法，由于是在晶圆在进行光阻剥除制程时，以临界的方式同时减少晶圆表面上电荷的累积，所以本发明与其它习知制程相比，本发明所用的方法不仅相对简单且有效率，更大幅降低制造时间、能源及成本。

公开(公告)号：CN101145523A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200710086796.7

申请日：2007-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘胜杰 ,  吴子扬 ,  潘昇良 ,  李元榜 ,  林耀辉

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L31/1884 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明是有关于一种图案化氧化铟锡薄膜的方法，该图案化氧化铟锡薄膜的方法至少包括下列步骤：形成一覆盖层于该氧化铟锡薄膜上；以及将该氧化铟锡薄膜的复数个暴露区域暴露在一气相蚀刻剂下，其中该气相蚀刻剂至少包括水。本发明包含形成覆盖层于此氧化铟锡薄膜上，以及将氧化铟锡薄膜的暴露区域暴露在水电浆下，利用水电浆来进行导电且透光的氧化铟锡薄膜的图案化。由于水电浆对氧化铟锡薄膜与上方的覆盖层和下方的介电层或基材之间具有优异的蚀刻选择比，因此经图案化后，可以获得相当优异的氧化铟锡薄膜边缘外型。再者，水电浆方法适用于包含氧化铟锡图案化的许多制程，这些制程包括但并不限于光学微机电系统的制程。

公开(公告)号：CN1941279A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610078447.6

申请日：2006-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李元榜 ,  吴子扬 ,  潘昇良 ,  林耀辉 ,  赖育志 ,  陈德芳 ,  林佩璇 ,  吴善华 ,  刘鸿兴

IPC: H01L21/00 ,  G03F7/36 ,  G03F7/42

Abstract: 一种使用纯H2O等离子体的原位实施方法，用来从基材或晶圆移除光阻层，而不会在基材或晶圆上累积电荷。以及，一种使用纯H2O等离子体或纯H2O蒸气的原位实施方法，用来从此基材或晶圆表面移除或释放经由一个或多个集成电路建构制程所累积的电荷。