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公开(公告)号：CN116525442A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310210790.5
申请日：2023-03-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/417
Abstract: 根据本发明的方法和器件包括具有诸如源极部件的第一晶体管端子和诸如另一源极部件的第二晶体管端子的衬底。在每个源极/漏极部件上形成接触结构。在形成接触结构之后，在接触结构之上的介电材料中形成通孔开口，填充通孔开口以形成从第一源极部件上的接触件延伸至第二源极部件上的接触件的非线性通孔。非线性通孔可以包括在顶视图中具有凸部分和/或凹部分的波状形的轮廓。本申请的实施例还涉及半导体器件和制造半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN111081757A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911007181.X
申请日：2019-10-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/772 , H01L21/335
Abstract: 本申请涉及一种半导体装置与其制作方法。源极/漏极区位于基板中。栅极结构位于基板上。栅极间隔物位于栅极结构的侧壁上。栅极间隔物与栅极结构具有实质上类似的高度。通孔位于源极/漏极区或栅极结构上，并电性连接至源极/漏极区或栅极结构。遮罩层位于栅极间隔物上。遮罩层的介电常数大于栅极间隔物的介电常数。遮罩层的第一侧与通孔相邻。介电层位于遮罩层的第二侧上，其中遮罩层位于介电层与通孔之间。
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公开(公告)号：CN114792657A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210066604.0
申请日：2022-01-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开涉及一种半导体装置，其中，一或多个主动区结构各自在垂直方向中垂直地向外凸出基板，并在第一水平方向中水平延伸。源极/漏极构件在垂直方向中位于主动区结构上。源极/漏极接点在垂直方向中位于源极/漏极构件上。源极/漏极接点包括底部与顶部。保护衬垫层位于源极/漏极接点的顶部的侧表面上，但不位于源极/漏极接点的底部的侧表面上。
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公开(公告)号：CN114512483A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210005203.4
申请日：2022-01-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/764 , H01L27/11
Abstract: 半导体装置包括栅极，位于基板上。源极/漏极，位于基板中。导电接点，位于源极/漏极上。气体间隔物，位于栅极与导电接点之间。第一构件，位于栅极上。第二构件，位于气体间隔物上。第二构件与第一构件不同。
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公开(公告)号：CN112510039A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010830146.4
申请日：2020-08-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 在此公开半导体装置及其制造方法。一种例示性的半导体装置包含基板；栅极结构，设置于基板及半导体装置的通道区上，其中栅极结构包含栅极堆叠及沿着栅极堆叠的多个侧壁设置的间隔物，栅极堆叠包含栅极介电层及栅极电极；第一金属层，设置于栅极堆叠上，其中第一金属层在栅极介电层及栅极电极上横向接触间隔物；以及栅极导孔，设置于第一金属层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110649022A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910560510.7
申请日：2019-06-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/768 , H01L21/8234 , H01L23/528
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置，包含：第一栅极结构和第二栅极结构，各自设置于基板之上；第一导电接触件和第二导电接触件，各自设置于基板之上；第一导孔，设置于所述第一导电接触件之上；第二导孔，设置于所述第二导电接触件之上；第一栅极接触件，设置于所述第一栅极结构之上；以及介电结构，设置于所述第一栅极结构之上和第二栅极结构之上。其中，介电结构的第一部分设置于第一导孔和第二导孔之间且电性隔离第一导孔和第二导孔；介电结构的第二部分设置于第一导孔和第一栅极接触件之间且电性隔离第一导孔和第一栅极接触件；介电结构的第一部分和第二部分各自包含单一类型的介电材料；第一导电接触件和第一导孔之间的第一界面在剖面图中构成所述第一导电接触件的上表面区域的第一百分比；第一栅极结构和第一栅极接触件之间的第二界面在剖面图中构成所述第一栅极结构的上表面区域的第二百分比。所述第一百分比大于所述第二百分比。
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公开(公告)号：CN113113405A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110143603.7
申请日：2021-02-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置。半导体装置包括源极结构与漏极结构位于基板上。半导体装置还包括源极通孔电性耦接至源极结构；以及漏极通孔电性耦接至漏极结构。源极通孔具有第一尺寸，漏极通孔具有第二尺寸，且第一尺寸大于第二尺寸。半导体装置亦可包含电性耦接至源极通孔的第一金属线路，以及电性耦接至漏极通孔的第二金属线路。源极通孔的第一尺寸符合第一金属线路的尺寸，而漏极通孔的第二尺寸符合第二金属线路的尺寸。第一金属线路可鄙第二金属线路宽。
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公开(公告)号：CN111223842A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911175431.0
申请日：2019-11-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/535 , H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，其中半导体装置的制造方法包括形成第一导电部件于介电层内。选择性地回蚀第一导电部件。形成蚀刻停止层于第一导电部件和介电层上，蚀刻停止层在第一导电部件上的高度与在介电层上的高度不同。图案化蚀刻停止层以暴露出第一导电部件的顶表面。横向蚀刻蚀刻停止层。在第一导电部件上沉积导电材料以形成第二导电部件。
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公开(公告)号：CN111081757B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN201911007181.X
申请日：2019-10-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/772 , H01L21/335
Abstract: 本申请涉及一种半导体装置与其制作方法。源极/漏极区位于基板中。栅极结构位于基板上。栅极间隔物位于栅极结构的侧壁上。栅极间隔物与栅极结构具有实质上类似的高度。通孔位于源极/漏极区或栅极结构上，并电性连接至源极/漏极区或栅极结构。遮罩层位于栅极间隔物上。遮罩层的介电常数大于栅极间隔物的介电常数。遮罩层的第一侧与通孔相邻。介电层位于遮罩层的第二侧上，其中遮罩层位于介电层与通孔之间。
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公开(公告)号：CN111223842B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN201911175431.0
申请日：2019-11-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/535 , H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，其中半导体装置的制造方法包括形成第一导电部件于介电层内。选择性地回蚀第一导电部件。形成蚀刻停止层于第一导电部件和介电层上，蚀刻停止层在第一导电部件上的高度与在介电层上的高度不同。图案化蚀刻停止层以暴露出第一导电部件的顶表面。横向蚀刻蚀刻停止层。在第一导电部件上沉积导电材料以形成第二导电部件。
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