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公开(公告)号：CN103247602A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210203689.9
申请日：2012-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/76895 , H01L21/823475 , H01L21/823871
Abstract: 公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。示例性半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底包括：设置在第一器件区中的第一器件，该第一器件包括第一栅极结构、在该第一栅极结构的侧壁上形成的第一栅极间隔件以及第一源极和漏极部件；以及设置在第二器件区中的第二器件，该第二器件包括第二栅极结构、在该第二栅极结构的侧壁上形成的第二栅极间隔件以及第二源极和漏极部件。该半导体器件还包括设置在第一和第二栅极间隔件上的接触蚀刻终止层(CESL)以及设置在第一和第二源极和漏极部件上的互连结构。该互连结构与第一和第二源极和漏极部件电接触并且与CESL相接触。本发明提供了半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN103578953B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210390924.8
申请日：2012-10-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/823437 , H01L21/823475 , H01L29/66545
Abstract: 公开了一种制造半导体集成电路(IC)的方法。该方法包括接收半导体器件。该方法还包括在位于半导体衬底上的预定区域中的MG堆叠件上形成分步成形硬掩模(SFHM)，实施MG凹陷，在半导体衬底上方沉积MG硬掩模，以及使MG硬掩模凹陷以从预定区域中的MG堆叠件完全去除MG硬掩模。
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公开(公告)号：CN103247602B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210203689.9
申请日：2012-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/76895 , H01L21/823475 , H01L21/823871
Abstract: 公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。示例性半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底包括：设置在第一器件区中的第一器件，该第一器件包括第一栅极结构、在该第一栅极结构的侧壁上形成的第一栅极间隔件以及第一源极和漏极部件；以及设置在第二器件区中的第二器件，该第二器件包括第二栅极结构、在该第二栅极结构的侧壁上形成的第二栅极间隔件以及第二源极和漏极部件。该半导体器件还包括设置在第一和第二栅极间隔件上的接触蚀刻终止层(CESL)以及设置在第一和第二源极和漏极部件上的互连结构。该互连结构与第一和第二源极和漏极部件电接触并且与CESL相接触。本发明提供了半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN103578953A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210390924.8
申请日：2012-10-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/823437 , H01L21/823475 , H01L29/66545
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体集成电路(IC)的方法。该方法包括接收半导体器件。该方法还包括在位于半导体衬底上的预定区域中的MG堆叠件上形成分步成形硬掩模(SFHM)，实施MG凹陷，在半导体衬底上方沉积MG硬掩模，以及使MG硬掩模凹陷以从预定区域中的MG堆叠件完全去除MG硬掩模。
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