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公开(公告)号：CN116487361A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310321302.8
申请日：2023-03-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其形成方法，其使用高kappa介电接合层而促进改进的热导率。在至少一个示例中，提供了包括第一衬底的器件。半导体器件层设置在第一衬底上，并且半导体器件层包括一个或多个半导体器件。前侧互连结构设置在半导体器件层上，并且接合层设置在前侧互连结构上。第二衬底设置在接合层上。接合层具有大于10W/m·K的热导率。
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公开(公告)号：CN110957260A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910894324.7
申请日：2019-09-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/764 , H01L21/336 , H01L29/10
Abstract: 鳍状场效晶体管的制作方法包括：形成至少三个半导体鳍状物于基板上，其中半导体鳍状物的第一半导体鳍状物、第二半导体鳍状物、与第三半导体鳍状物的长度方向实质上彼此平行，且第一半导体鳍状物与第二半导体鳍状物之间的空间小于第二半导体鳍状物与第三半导体鳍状物之间的空间；沉积第一介电层于半导体鳍状物的顶部与侧壁上，以形成沟槽于第二半导体鳍状物与第三半导体鳍状物之间，且沟槽的底部与两侧侧壁为第一介电层；以第一斜向离子布植工艺布植离子至沟槽的两侧侧壁的一者；以第二斜向离子布植工艺布植离子至沟槽的两侧侧壁的另一者；沉积第二介电层至沟槽中，且第一介电层与第二介电层的材料不同；以及蚀刻第一介电层。
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公开(公告)号：CN110648969A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910327232.0
申请日：2019-04-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 本发明实施例涉及制作集成电路结构的方法。方法包括形成栅极间隔物于半导体基板上的虚置栅极结构的多个侧壁上；对栅极间隔物进行第一布植工艺，其中第一布植工艺包括以硅原子轰击栅极间隔物的上侧部分；在进行第一布植工艺之后，对栅极间隔物的上侧部分进行第二布植工艺，其中第二布植工艺包括以碳原子轰击栅极间隔物的上侧部分；以及在进行第二布植工艺之后，将虚置栅极结构取代为高介电常数的栅极介电层与金属栅极结构，其中将虚置栅极结构取代为高介电常数的栅极介电层与金属栅极结构的步骤包括形成层间介电层。
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公开(公告)号：CN118116973A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410178479.1
申请日：2024-02-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L23/367 , H01L23/48 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体器件，包括器件层，所述器件层包括第一晶体管；在所述器件层的前侧上的第一互连结构；以及在器件层的背侧上的第二互连结构。第二互连结构包括电源导轨。该器件还包括接合到第一互连结构的载体衬底和接触载体衬底的第一散热层。本申请的实施例还提供了一种制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN114300416A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202011392694.X
申请日：2020-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种方法，包括形成鳍结构，该鳍结构包括在衬底之上交替堆叠的多个第一半导体层和多个第二半导体层。跨鳍结构形成虚设栅极结构。去除鳍结构的暴露的第二部分。使用包括含氢气体和含氟气体的气体混合物执行选择性蚀刻工艺，以使第一半导体层横向凹陷。在经横向凹陷的第一半导体层的相反端面形成内部间隔件。在第二半导体层的相反端面形成源极/漏极外延结构。去除虚设栅极结构以暴露鳍结构的第一部分。去除经横向凹陷的第一半导体层。形成栅极结构以围绕每个第二半导体层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110323151A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201811486095.7
申请日：2018-12-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/311 , H01L21/762
Abstract: 本公开提供一种半导体制造设备。此半导体制造设备包括：加工腔室、基板平台、反射镜以及加热机构。加工腔室用于进行蚀刻。基板平台被整合于前述加工腔室中，并配置以固定半导体晶圆。反射镜配置于前述加工腔室内，且将来自加热机构的热能朝前述半导体晶圆反射。加热机构嵌入于前述加工腔室中，且可操作前述加热机构以执行烘烤工艺，来移除在前述蚀刻期间产生的副产物，其中前述加热机构被整合于前述反射镜与前述加工腔室的气体分配板之间。相应地，本公开还提供一种半导体制造方法。
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公开(公告)号：CN113690142A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110335578.2
申请日：2021-03-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明说明半导体结构与其形成方法。方法包括：形成鳍状结构于基板上。鳍状结构可包括第一通道层与牺牲层。方法可进一步包括形成第一凹陷结构于鳍状结构的第一部分中，形成第二凹陷结构于鳍状结构的第二部分的牺牲层中，形成介电层于第一凹陷结构与第二凹陷结构中，以及进行无氧循环蚀刻工艺以蚀刻介电层，并露出鳍状结构的第二部分的通道层。进行无氧循环蚀刻工艺的步骤可包括进行第一蚀刻选择性的第一蚀刻工艺，以选择性蚀刻介电层而较少蚀刻鳍状结构的第二部分的通道层；以及进行第二蚀刻选择性的第二蚀刻工艺，以选择性蚀刻介电层而较少蚀刻鳍状结构的第二部分的通道层，且第二蚀刻选择性大于第一蚀刻选择性。
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公开(公告)号：CN112447850A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010825697.1
申请日：2020-08-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本公开描述用于形成包绕式栅极装置的技术，其中通过蚀刻交替地垂直堆叠在半导体层之间的缓冲层以释出半导体层。不同垂直高度堆叠的缓冲层包括不同的材料组成，相对于用于至少部分地去除缓冲层以释出半导体层的蚀刻剂，其产生不同的蚀刻速率。本公开还提供一种半导体结构。
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公开(公告)号：CN109841512A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811425883.5
申请日：2018-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/311
Abstract: 在一些实施例中，提供一种半导体装置的制造方法。多个虚设栅极堆叠形成于半导体基材上方。层间介电层形成于这些虚设栅极堆叠上方。将位于这些虚设栅极堆叠的顶表面上方的层间介电层的第一部分移除，使得层间介电层的第二部分留在这些虚设栅极堆叠之间。以多个金属栅极堆叠取代这些虚设栅极堆叠。于层间介电层的第二部分的顶表面及金属栅极堆叠的顶表面上方施予水。施予中性NF3自由基至水中，以蚀刻层间介电层。
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公开(公告)号：CN115565880A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210951697.5
申请日：2022-08-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本公开描述了半导体装置的形成方法，包含形成具有堆叠鳍片部分的鳍片结构于基板上。堆叠鳍片部分包含第一半导体层及第二半导体层，其中第二半导体层包含锗。半导体装置的形成方法更包含蚀刻鳍片结构以形成开口并通过开口以含氟气体蚀刻第二半导体层的一部份。
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