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公开(公告)号：CN112582401B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202010288169.7
申请日：2020-04-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 杨建勋
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 本发明描述了用于形成具有气隙的栅极间隔件结构以减小晶体管的栅极结构和源极/漏极接触件之间的寄生电容的方法。在一些实施例中，该方法包括在衬底上形成栅极结构，并且在栅极结构的侧壁表面上形成间隔件堆叠件—其中，间隔件堆叠件包括与栅极结构接触的内部间隔件层、位于内部间隔件层上的牺牲间隔件层和位于牺牲间隔件层上的外部间隔件层。该方法还包括去除牺牲间隔件层以在内部间隔件层和外部间隔件层之间形成开口，在内部和外部间隔件层的顶面上沉积聚合物材料，蚀刻内部和外部间隔件层的顶部侧壁表面以形成锥形顶部，以及沉积密封材料。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN114975061A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210329815.9
申请日：2022-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 本公开关于一种离子束蚀刻系统，包括配置以提供等离子体的等离子体腔室、屏栅、萃取格栅、加速器格栅和减速器格栅。屏栅接收屏栅电压以从等离子体腔室内的等离子体中萃取离子以形成穿过孔洞的离子束。萃取格栅接收萃取格栅电压，其中屏栅电压与萃取格栅电压之间的电压差决定离子束的离子电流密度。加速器格栅接收加速器格栅电压。萃取格栅电压和加速器格栅电压之间的电压差决定离子束的离子束能量。离子束蚀刻系统可更包括偏转器系统，偏转器系统具有位于孔洞周围的第一偏转器板和第二偏转器板，以控制离子束的方向。
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公开(公告)号：CN114883214A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210128406.2
申请日：2022-02-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种用于蚀刻工艺的实时补偿控制的设备、系统及方法，所述设备包含光束调节组合件以及机器学习装置。光束调节组合件配置成向所处理的衬底输出一或多个波长且从衬底接收一或多个反射波长。机器学习装置配置成处理一或多个反射波长以预测工艺变量且将所预测的工艺变量与所测量的工艺变量进行比较以获得比较结果。
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公开(公告)号：CN114121587A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110788799.5
申请日：2021-07-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/311
Abstract: 本公开提出一种等离子体蚀刻系统。等离子体蚀刻系统用于金属氧化物的自由基活化蚀刻。等离子体蚀刻系统包括腔室；配置以保持其上设置有一金属氧化物的芯片的芯片保持器；流体地连接至腔室，且配置以将气体供应至腔室的第一气体管线；配置以从气体产生等离子体的等离子体产生器；在等离子体产生器及芯片保持器之间，配置以增加来自等离子体的离子的动能的栅系统；在栅系统及芯片保持器之间，配置以产生电子且中和离子以产生自由基的中和器；以及流体地连接至腔室，且配置以将一前驱物供应到芯片上的第二气体管线。自由基促进通过前驱物的金属氧化物的蚀刻。
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公开(公告)号：CN103177951B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210074982.X
申请日：2012-03-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/283 , H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L21/28088 , H01L29/42376 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66553 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了一种半导体制造方法，该方法包括在半导体衬底上形成层间介电(ILD)层。ILD层具有由该ILD层的侧壁限定的开口。在该ILD层的侧壁上形成间隔元件。在邻近该间隔元件的开口中形成栅极结构。在实施例中，该侧壁间隔件还用于减小在开口中形成的栅极结构的尺寸(例如，长度)。本发明提供了用于半导体器件的栅极结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113126447B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202011606332.6
申请日：2020-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开实施例提供一种极紫外辐射源、产生极紫外辐射的方法及图案形成的方法。产生极紫外辐射的方法包括在极紫外辐射源设备中用激光同时照射两个或多个目标微滴以生成极紫外辐射，并通过成像镜收集并且引导从两个或多个目标微滴生成的极紫外辐射。
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公开(公告)号：CN115394626A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210842269.9
申请日：2022-07-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明实施例有关于包含工艺腔的离子束蚀刻系统。工艺腔包含被配置以提供等离子体的等离子体室。此外，工艺腔包含加速器栅，上述加速器栅具有包含第一加速器栅元件及第二加速器栅元件的多个加速器栅元件。第一导线耦接至第一加速器栅元件，被配置以将第一电压供应至第一加速器栅元件。第二导线耦接至第二加速器栅元件，被配置以将不同于第一电压的第二电压供应至第二加速器栅元件。通过第一洞的第一离子束由第一加速器栅元件控制，通过第二洞的第二离子束由第二加速器栅元件控制。
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公开(公告)号：CN115207081A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210529991.7
申请日：2022-05-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/8234
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及制造所述半导体装置的方法，此半导体装置具有不同配置的纳米结构通道区。所述半导体装置包括设置在基板上的鳍式结构、设置在鳍式结构上的纳米结构水平通道(nanostructured horizontalchannel；NHC)区堆叠、设置在NHC区堆叠内的纳米结构垂直通道(nanostructured vertical channel；NVC)区、设置在鳍式结构上的源极/漏极(source/drain；S/D)区，以及设置在NHC区和NVC区未被NHC区覆盖的多个部分和鳍式结构上的栅极结构。
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公开(公告)号：CN111092018A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911013778.5
申请日：2019-10-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336
Abstract: 提供一种半导体装置的形成方法，包括：形成一结构，其包括垂直堆叠在一基底上方的多个纳米线；沉积一介电材料层，其围绕上述纳米线；对上述介电材料层的一表面部分施行一处理工艺；选择性蚀刻上述介电材料层的上述表面部分；重复施行上述处理工艺与上述选择性蚀刻的步骤，直到局部暴露上述纳米线；以及形成一栅极结构，其接合上述纳米线。
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公开(公告)号：CN103177951A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210074982.X
申请日：2012-03-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/283 , H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L21/28088 , H01L29/42376 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66553 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了一种半导体制造方法，该方法包括在半导体衬底上形成层间介电(ILD)层。ILD层具有由该ILD层的侧壁限定的开口。在该ILD层的侧壁上形成间隔元件。在邻近该间隔元件的开口中形成栅极结构。在实施例中，该侧壁间隔件还用于减小在开口中形成的栅极结构的尺寸(例如，长度)。本发明提供了用于半导体器件的栅极结构。
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