公开(公告)号：CN111243958B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN201911180066.2

申请日：2019-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张毅敏 ,  程仲良 ,  张翔笔 ,  孙宏彰 ,  黄耀升 ,  吕育玮 ,  李芳苇 ,  方子韦 ,  赵皇麟

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体结构包括：衬底，包括第一区域和第二区域；第一沟道层，设置在第一区域中；第二沟道层，设置在第二区域中；第一介电层，设置在第一沟道层上；第二介电层，设置在第二沟道层上；第一栅电极，设置在第一介电层上；第二栅电极，设置在第二介电层上。第一区域中的第一沟道层包括第一Ge浓度的Ge化合物，第二区域中的第二沟道层包括第二Ge浓度的Ge化合物。第一沟道层中的第一Ge浓度大于第二沟道层中的第二Ge浓度。本发明的实施例涉及形成介电层的方法、形成半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN118983312A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411013006.2

申请日：2024-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕育玮 ,  佐野谦一 ,  林执中 ,  李芳苇 ,  匡佳谦 ,  罗伊辰 ,  林佛儒 ,  林立德 ,  林斌彦

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/06 ,  H01L29/49

Abstract: 本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，半导体器件包括：包括第一半导体材料的下部半导体纳米结构；邻近下部半导体纳米结构的下部外延源极/漏极区，下部外延源极/漏极区具有第一导电类型；包括第二半导体材料的上部半导体纳米结构，第二半导体材料不同于第一半导体材料；以及与上部半导体纳米结构相邻的上部外延源极/漏极区，上部外延源极/漏极区具有第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反。

公开(公告)号：CN112103183A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010041094.2

申请日：2020-01-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 程仲良 ,  张毅敏 ,  张翔笔 ,  吕育玮 ,  方子韦 ,  赵皇麟

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 形成集成电路器件的方法包括提供沟道区域并且在沟道区域上生长氧化物层。生长氧化物层包括引入提供氧的第一源气体和引入提供氢的第二源气体。第二源气体与第一源气体不同。生长氧化物层通过将氧结合至沟道区域的半导体元素以形成氧化物层并且将氢结合至沟道区域的半导体元素以形成半导体氢化物副产物来生长。可以在氧化物层上方形成栅极介电层和栅电极。本发明的实施例还涉及集成电路器件。

公开(公告)号：CN119947219A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411838606.2

申请日：2024-12-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗伊辰 ,  时定康 ,  郑佳芸 ,  吕育玮

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/85

Abstract: 一种半导体装置结构及其制造方法，半导体装置结构的制造方法包括形成多个半导体层堆叠，各个堆叠体包括彼此交替堆叠的多个第一半导体层及多个第二层。然后，形成栅极电极结构于各个半导体层堆叠上，各个栅极电极结构包括栅极间隔件。形成外延层于各对相邻半导体层堆叠之间的开口。在形成外延层后，以一斜角度对栅极间隔件施加氧离子束，以在栅极间隔件上形成具有一斜角度的氧化材料。然后用稀释的氢氟酸(HF)溶液去除氧化材料。

公开(公告)号：CN112103183B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202010041094.2

申请日：2020-01-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 程仲良 ,  张毅敏 ,  张翔笔 ,  吕育玮 ,  方子韦 ,  赵皇麟

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 形成集成电路器件的方法包括提供沟道区域并且在沟道区域上生长氧化物层。生长氧化物层包括引入提供氧的第一源气体和引入提供氢的第二源气体。第二源气体与第一源气体不同。生长氧化物层通过将氧结合至沟道区域的半导体元素以形成氧化物层并且将氢结合至沟道区域的半导体元素以形成半导体氢化物副产物来生长。可以在氧化物层上方形成栅极介电层和栅电极。本发明的实施例还涉及集成电路器件。

公开(公告)号：CN111243958A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201911180066.2

申请日：2019-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张毅敏 ,  程仲良 ,  张翔笔 ,  孙宏彰 ,  黄耀升 ,  吕育玮 ,  李芳苇 ,  方子韦 ,  赵皇麟

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体结构包括：衬底，包括第一区域和第二区域；第一沟道层，设置在第一区域中；第二沟道层，设置在第二区域中；第一介电层，设置在第一沟道层上；第二介电层，设置在第二沟道层上；第一栅电极，设置在第一介电层上；第二栅电极，设置在第二介电层上。第一区域中的第一沟道层包括第一Ge浓度的Ge化合物，第二区域中的第二沟道层包括第二Ge浓度的Ge化合物。第一沟道层中的第一Ge浓度大于第二沟道层中的第二Ge浓度。本发明的实施例涉及形成介电层的方法、形成半导体结构的方法。