公开(公告)号：CN118983312A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411013006.2

申请日：2024-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕育玮 ,  佐野谦一 ,  林执中 ,  李芳苇 ,  匡佳谦 ,  罗伊辰 ,  林佛儒 ,  林立德 ,  林斌彦

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/06 ,  H01L29/49

Abstract: 本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，半导体器件包括：包括第一半导体材料的下部半导体纳米结构；邻近下部半导体纳米结构的下部外延源极/漏极区，下部外延源极/漏极区具有第一导电类型；包括第二半导体材料的上部半导体纳米结构，第二半导体材料不同于第一半导体材料；以及与上部半导体纳米结构相邻的上部外延源极/漏极区，上部外延源极/漏极区具有第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反。