公开(公告)号：CN117276277A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311098229.9

申请日：2023-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗伊辰

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开的各种实施例提供了一种半导体器件结构及其形成方法。在一个实施例中，半导体器件结构包括垂直堆叠在衬底上的多个半导体层、与多个半导体中的每个接触的源极/漏极部件、设置在两个相邻半导体层之间的内部间隔件、围绕多个半导体的每一层的部分的栅电极层、其包括半导体层、设置在半导体层和栅电极层之间的栅极介电层、与栅极介电层的部分接触的栅极间隔件。所述半导体器件结构还包括第一盖层，所述第一盖层包括设置在所述源极/漏极部件和所述栅极间隔件之间并与其接触的第一部分，以及设置在栅极间隔件和所述内部间隔件之间且与其接触的第二部分。

公开(公告)号：CN109860055A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201811416805.9

申请日：2018-11-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗伊辰 ,  张容浩 ,  林立德 ,  林斌彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 一种半导体元件的制造方法包括以下步骤。第一栅电极及第二栅电极形成于基板上方，第一栅电极与第二栅电极之间具有层间介电层。实施第一蚀刻步骤以蚀刻第一栅电极及第二栅电极。横跨蚀刻后的第一栅电极及第二栅电极及层间介电层而形成牺牲层。实施第二蚀刻步骤以蚀刻牺牲层及蚀刻后的第一栅电极及第二栅电极。

公开(公告)号：CN113809075A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110474143.6

申请日：2021-04-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗伊辰

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开提出一种半导体结构及其形成方法。半导体结构可包括基板、位于基板上方的鳍片结构、位于鳍片结构上方的栅极结构、形成于鳍片结构中并邻近于栅极结构的第一内间隔层、以及延伸穿过第一内间隔层的第二内间隔层。

公开(公告)号：CN108962736A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201710918432.4

申请日：2017-09-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄玉莲 ,  罗伊辰 ,  李岱庭 ,  李再春 ,  蔡明桓 ,  傅劲逢 ,  杨政桦

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 形成半导体元件的方法，包括形成源极/漏极区及间隔物于基板之上。此方法还包括形成蚀刻停止层于间隔物及源极/漏极区之上，并形成栅极结构于间隔物之间。此方法还包括回蚀栅极结构、回蚀间隔物及蚀刻停止层，并形成栅极覆盖结构于回蚀后的栅极结构、间隔物、及蚀刻停止层之上。

公开(公告)号：CN119947219A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411838606.2

申请日：2024-12-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗伊辰 ,  时定康 ,  郑佳芸 ,  吕育玮

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/85

Abstract: 一种半导体装置结构及其制造方法，半导体装置结构的制造方法包括形成多个半导体层堆叠，各个堆叠体包括彼此交替堆叠的多个第一半导体层及多个第二层。然后，形成栅极电极结构于各个半导体层堆叠上，各个栅极电极结构包括栅极间隔件。形成外延层于各对相邻半导体层堆叠之间的开口。在形成外延层后，以一斜角度对栅极间隔件施加氧离子束，以在栅极间隔件上形成具有一斜角度的氧化材料。然后用稀释的氢氟酸(HF)溶液去除氧化材料。

公开(公告)号：CN115206782A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210362774.3

申请日：2022-04-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗伊辰 ,  陈颐珊 ,  杨智凯 ,  林斌彦

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置的制造方法。在半导体基底上方形成图案的方法中，在半导体基底上方形成目标层；在目标层上方的遮罩层中形成包含开口的遮罩图案；在开口的内侧侧壁上形成偏移膜；进行单向蚀刻操作，以移除偏移膜的一部分及遮罩层的一部分，以形成偏移开口；以及使用具有偏移开口的遮罩层作为蚀刻遮罩来将目标层图案化，偏移开口的位置从开口的原始位置横向偏移。

公开(公告)号：CN111261707A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911214690.X

申请日：2019-12-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗伊辰 ,  林立德 ,  林斌彦

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 一种形成半导体装置的方法，包括在第一主动区上形成第一栅极结构。第一栅极结构包括第一导电层。使用工艺气体混合物来执行蚀刻工艺，以掘入第一栅极结构并定义凹槽。蚀刻工艺包括第一阶段以在第一导电层上形成聚合物层，并修改第一导电层的一部分以形成第一导电层的经修改部分，且循环蚀刻工艺包括第二阶段以移除聚合物层，并移除第一导电层的经修改部分。

公开(公告)号：CN108231563A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711035734.3

申请日：2017-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗伊辰 ,  林立德 ,  黄玉莲

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种制造半导体装置的方法，包括形成栅极电极结构于半导体基板的第一区域之上，和通过使卤化物与氧气反应，选择性地形成覆盖栅极电极结构的氧化物层，以增加栅极电极结构的高度。卤化物可以是四氯化硅，而氧化物层可以是二氧化硅。栅极电极结构可以是虚设栅极电极，其在随后被移除，并且被另一个栅极电极结构取代。

公开(公告)号：CN118983312A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411013006.2

申请日：2024-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕育玮 ,  佐野谦一 ,  林执中 ,  李芳苇 ,  匡佳谦 ,  罗伊辰 ,  林佛儒 ,  林立德 ,  林斌彦

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/06 ,  H01L29/49

Abstract: 本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，半导体器件包括：包括第一半导体材料的下部半导体纳米结构；邻近下部半导体纳米结构的下部外延源极/漏极区，下部外延源极/漏极区具有第一导电类型；包括第二半导体材料的上部半导体纳米结构，第二半导体材料不同于第一半导体材料；以及与上部半导体纳米结构相邻的上部外延源极/漏极区，上部外延源极/漏极区具有第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反。

公开(公告)号：CN113707604A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110509861.2

申请日：2021-05-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林含谕 ,  林立德 ,  林执中 ,  李芳苇 ,  陈怡伦 ,  张容浩 ,  罗伊辰 ,  林佛儒 ,  佐野谦一 ,  林斌彦

IPC: H01L21/8234

Abstract: 本发明一些实施例提供一种半导体制造技术。所述技术包含如下操作。接纳具有第一材料及第二材料的半导体结构。所述第一材料对第一蚀刻化学物具有第一孕育时间。所述第二材料对所述第一蚀刻化学物具有第二孕育时间。所述第一孕育时间比所述第二孕育时间短。由所述第一蚀刻化学物对所述半导体结构执行第一主蚀刻达第一持续时间。所述第一持续时间大于所述第一孕育时间且比所述第二孕育时间短。