公开(公告)号：CN109817548A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811359669.4

申请日：2018-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢文杰 ,  叶书佑 ,  高克斌 ,  钟佳宏 ,  吴立仁 ,  陈俊佑 ,  陈宏铭 ,  吴泳铤

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开一些实施例提供一种晶圆处理系统，包括处理腔室、排放导管、采样管、防护元件、及气体感测器。排放导管连接到处理腔室。采样管位在排放导管中并沿延伸方向所延伸。防护元件位在采样管的上游端(靠近制程腔室处)，且从上游端观察，采样管被防护元件所覆盖。气体感测器连接到采样管，且配置以监测排放导管中的气体状况。

公开(公告)号：CN114460813A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202110286051.5

申请日：2021-03-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴泳铤 ,  陈裕凯

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 一边缘曝光工具及使用边缘曝光工具的方法，边缘曝光工具可包括透镜调整装置，透镜调整装置能够自动化地调整边缘曝光透镜的多个参数以解决边缘曝光工具的操作参数的变化。在一些实施方式中，边缘曝光工具亦可包括控制器，控制器使用技术例如大数据探勘、机器学习、与类神经网络处理，能够决定用于边缘曝光透镜的边缘调整参数以及用于边缘曝光工具的曝光控制参数。透镜调整装置与控制器能够减少及/或防止边缘曝光工具的效能偏离容许值之外，可维持边缘曝光工具的操作效能并减少晶圆刮伤的可能性，并可减少可能由边缘曝光透镜的清洁与校准所引起的边缘曝光工具的停机时间。