公开(公告)号：CN109782544B

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201810648614.9

申请日：2018-06-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈裕凯 ,  钟佳宏 ,  高克斌 ,  叶书佑 ,  吴立仁 ,  柯智佑 ,  林明鸿

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法以及一种半导体处理系统。方法包含以下步骤。在光刻工具中的衬底上形成光刻胶层。使光刻胶层在光刻工具中曝光以形成曝光光刻胶层。通过使用显影剂使曝光光刻胶层显影以在光刻工具中形成图案化光刻胶层。将显影剂的氨气副产物从光刻工具中移除。

公开(公告)号：CN109817548A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811359669.4

申请日：2018-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢文杰 ,  叶书佑 ,  高克斌 ,  钟佳宏 ,  吴立仁 ,  陈俊佑 ,  陈宏铭 ,  吴泳铤

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开一些实施例提供一种晶圆处理系统，包括处理腔室、排放导管、采样管、防护元件、及气体感测器。排放导管连接到处理腔室。采样管位在排放导管中并沿延伸方向所延伸。防护元件位在采样管的上游端(靠近制程腔室处)，且从上游端观察，采样管被防护元件所覆盖。气体感测器连接到采样管，且配置以监测排放导管中的气体状况。

公开(公告)号：CN109782544A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201810648614.9

申请日：2018-06-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈裕凯 ,  钟佳宏 ,  高克斌 ,  叶书佑 ,  吴立仁 ,  柯智佑 ,  林明鸿

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法以及一种半导体处理系统。方法包含以下步骤。在光刻工具中的衬底上形成光刻胶层。使光刻胶层在光刻工具中曝光以形成曝光光刻胶层。通过使用显影剂使曝光光刻胶层显影以在光刻工具中形成图案化光刻胶层。将显影剂的氨气副产物从光刻工具中移除。