公开(公告)号：CN109817548A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811359669.4

申请日：2018-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢文杰 ,  叶书佑 ,  高克斌 ,  钟佳宏 ,  吴立仁 ,  陈俊佑 ,  陈宏铭 ,  吴泳铤

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开一些实施例提供一种晶圆处理系统，包括处理腔室、排放导管、采样管、防护元件、及气体感测器。排放导管连接到处理腔室。采样管位在排放导管中并沿延伸方向所延伸。防护元件位在采样管的上游端(靠近制程腔室处)，且从上游端观察，采样管被防护元件所覆盖。气体感测器连接到采样管，且配置以监测排放导管中的气体状况。

公开(公告)号：CN109782544B

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201810648614.9

申请日：2018-06-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈裕凯 ,  钟佳宏 ,  高克斌 ,  叶书佑 ,  吴立仁 ,  柯智佑 ,  林明鸿

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法以及一种半导体处理系统。方法包含以下步骤。在光刻工具中的衬底上形成光刻胶层。使光刻胶层在光刻工具中曝光以形成曝光光刻胶层。通过使用显影剂使曝光光刻胶层显影以在光刻工具中形成图案化光刻胶层。将显影剂的氨气副产物从光刻工具中移除。

公开(公告)号：CN110875223A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910816909.7

申请日：2019-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈裕凯 ,  方进坤 ,  高克斌 ,  吴立仁

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 本揭露的实施例提供一种泄漏检测系统、整合装置及泄漏检测方法。用于检测液体供应管的泄漏的系统包括：管套，该管套包围与喷嘴相邻的液体供应管的端部；及感测器系统，用以检测在端部处从液体供应管泄漏的液体的存在。感测器系统与液体供应管的端部对准。

公开(公告)号：CN105719957B

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201510960940.X

申请日：2015-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 严永松 ,  陈俊光 ,  高克斌 ,  谢艮轩 ,  刘如淦

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/4757

Abstract: 提供了图案化诸如集成电路工件的工件的技术。在示例性的实施例中，所述方法包括接收指定将在工件上形成的多个部件的数据集。基于多个部件的第一组部件实施工件的硬掩模的第一图案化，并将第一间隔件材料沉积在图案化硬掩模的侧壁上。基于第二组部件实施第二图案化，并将第二间隔件材料沉积在第一间隔件材料的侧壁上。基于第三组部件实施第三图案化。使用由图案化的硬掩模层、第一间隔件材料或第二间隔件材料中的至少一个的剩余部分限定的图案选择性加工工件的部分。本发明实施例涉及用于通过线端缩减切割部件的光刻技术。

公开(公告)号：CN105719957A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510960940.X

申请日：2015-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 严永松 ,  陈俊光 ,  高克斌 ,  谢艮轩 ,  刘如淦

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/4757

CPC classification number: H01L21/0274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/033 ,  H01L21/47573

Abstract: 提供了图案化诸如集成电路工件的工件的技术。在示例性的实施例中，所述方法包括接收指定将在工件上形成的多个部件的数据集。基于多个部件的第一组部件实施工件的硬掩模的第一图案化，并将第一间隔件材料沉积在图案化硬掩模的侧壁上。基于第二组部件实施第二图案化，并将第二间隔件材料沉积在第一间隔件材料的侧壁上。基于第三组部件实施第三图案化。使用由图案化的硬掩模层、第一间隔件材料或第二间隔件材料中的至少一个的剩余部分限定的图案选择性加工工件的部分。本发明实施例涉及用于通过线端缩减切割部件的光刻技术。

公开(公告)号：CN115524917B

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202211022936.5

申请日：2022-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宝琴 ,  黄重凯 ,  高克斌 ,  萧清燕

IPC: G03F1/36 ,  G03F1/38 ,  H10B41/35 ,  H10B41/41

Abstract: 一种光罩与制造半导体制造的方法，光罩包含多个装置特征、第一辅助特征及第二辅助特征。装置特征在装置区域的图案化区域中。第一辅助特征在图案化区域中且相邻于装置特征。第一辅助特征用于校正光学微影术工艺中的光学近接性效应。第二辅助特征在装置区域的非图案化区域中。第二辅助特征是次级解析校正特征，且第二辅助特征与最接近于第二辅助特征的装置特征中的一者之间的第一距离大于装置特征中的相邻两者之间的第二距离。

公开(公告)号：CN110875223B

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN201910816909.7

申请日：2019-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈裕凯 ,  方进坤 ,  高克斌 ,  吴立仁

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 本揭露的实施例提供一种泄漏检测系统、整合装置及泄漏检测方法。用于检测液体供应管的泄漏的系统包括：管套，该管套包围与喷嘴相邻的液体供应管的端部；及感测器系统，用以检测在端部处从液体供应管泄漏的液体的存在。感测器系统与液体供应管的端部对准。

公开(公告)号：CN110780537B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN201910695369.1

申请日：2019-07-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈裕凯 ,  于之跃 ,  吴立仁 ,  王希鸣 ,  高克斌 ,  叶书佑 ,  锺佳宏 ,  陈文雄

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G01M3/04

Abstract: 本公开涉及一种容器、监测泄漏的系统及设备。容器用以将物件放置于其中。前述容器包括：容器本体、盖体、防撞部、配对识别机构以及检测液体感测器。盖体位于前述容器本体上方。防撞部被附接至前述容器本体和前述盖体的其中一或多者，且配置以缓冲冲击力。配对识别机构被配置以检测放置于前述容器本体中的物件。检测液体感测器被配置以检测来自前述物件的泄漏。

公开(公告)号：CN115524917A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202211022936.5

申请日：2022-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宝琴 ,  黄重凯 ,  高克斌 ,  萧清燕

IPC: G03F1/36 ,  G03F1/38 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11531

Abstract: 一种光罩与制造半导体制造的方法，光罩包含多个装置特征、第一辅助特征及第二辅助特征。装置特征在装置区域的图案化区域中。第一辅助特征在图案化区域中且相邻于装置特征。第一辅助特征用于校正光学微影术工艺中的光学近接性效应。第二辅助特征在装置区域的非图案化区域中。第二辅助特征是次级解析校正特征，且第二辅助特征与最接近于第二辅助特征的装置特征中的一者之间的第一距离大于装置特征中的相邻两者之间的第二距离。

公开(公告)号：CN108122984B

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN201710965516.3

申请日：2017-10-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧锦涛 ,  陈志良 ,  赖志明 ,  杨超源 ,  杨惠婷 ,  高克斌 ,  刘如淦 ,  陈顺利

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明的实施例提供了一种用于半导体器件的导体及其制造方法，该方法包括：在基底上形成结构；以及从结构中消除第一组的构件的所选择的部分和第二组的构件的所选择的部分。该结构包括：平行于第一方向布置的覆盖的第一导体；以及平行于覆盖的第一导体布置并且与覆盖的第一导体交织的覆盖的第二导体。覆盖的第一导体组织成至少第一组和第二组。第一组的每个构件均具有第一蚀刻灵敏度的第一盖。第二组的每个构件均具有第二蚀刻灵敏度的第二盖。每个覆盖的第二导体均具有第三蚀刻灵敏度。第一蚀刻灵敏度、第二蚀刻灵敏度和第三蚀刻灵敏度不同。