公开(公告)号：CN109782544A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201810648614.9

申请日：2018-06-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈裕凯 ,  钟佳宏 ,  高克斌 ,  叶书佑 ,  吴立仁 ,  柯智佑 ,  林明鸿

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法以及一种半导体处理系统。方法包含以下步骤。在光刻工具中的衬底上形成光刻胶层。使光刻胶层在光刻工具中曝光以形成曝光光刻胶层。通过使用显影剂使曝光光刻胶层显影以在光刻工具中形成图案化光刻胶层。将显影剂的氨气副产物从光刻工具中移除。

公开(公告)号：CN109782544B

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201810648614.9

申请日：2018-06-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈裕凯 ,  钟佳宏 ,  高克斌 ,  叶书佑 ,  吴立仁 ,  柯智佑 ,  林明鸿

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法以及一种半导体处理系统。方法包含以下步骤。在光刻工具中的衬底上形成光刻胶层。使光刻胶层在光刻工具中曝光以形成曝光光刻胶层。通过使用显影剂使曝光光刻胶层显影以在光刻工具中形成图案化光刻胶层。将显影剂的氨气副产物从光刻工具中移除。