公开(公告)号：CN109817548A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811359669.4

申请日：2018-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢文杰 ,  叶书佑 ,  高克斌 ,  钟佳宏 ,  吴立仁 ,  陈俊佑 ,  陈宏铭 ,  吴泳铤

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开一些实施例提供一种晶圆处理系统，包括处理腔室、排放导管、采样管、防护元件、及气体感测器。排放导管连接到处理腔室。采样管位在排放导管中并沿延伸方向所延伸。防护元件位在采样管的上游端(靠近制程腔室处)，且从上游端观察，采样管被防护元件所覆盖。气体感测器连接到采样管，且配置以监测排放导管中的气体状况。

公开(公告)号：CN103227179B

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201210431173.X

申请日：2012-11-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖茂成 ,  梁晋魁 ,  谢文杰 ,  张简旭珂 ,  葛翔翔 ,  王英郎

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种减小图像传感器中的暗电流的方法包括：提供背照式图像传感器晶圆，在该背照式图像传感器晶圆的背面上沉积第一钝化层，在第一钝化层上沉积等离子体增强钝化层，以及在等离子体增强钝化层上沉积第二钝化层。本发明还提供了一种减小图像传感器中的暗电流的装置和方法。

公开(公告)号：CN103227179A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201210431173.X

申请日：2012-11-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖茂成 ,  梁晋魁 ,  谢文杰 ,  张简旭珂 ,  葛翔翔 ,  王英郎

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种减小图像传感器中的暗电流的方法包括：提供背照式图像传感器晶圆，在该背照式图像传感器晶圆的背面上沉积第一钝化层，在第一钝化层上沉积等离子体增强钝化层，以及在等离子体增强钝化层上沉积第二钝化层。本发明还提供了一种减小图像传感器中的暗电流的装置和方法。

公开(公告)号：CN110873191B

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN201811021011.2

申请日：2018-09-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢文杰

IPC: F16K1/22 ,  F16K1/42 ,  F16K27/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请部分实施例提供一种流体控制元件。流体控制元件包括一第一固定座及一第二固定座。流体控制元件还包括一阀座。阀座设置于第一固定座与第二固定座之间。流体控制元件也包括一阀体。阀体设置于阀座内并配置用以改变通过阀座的气体的流量。第一固定座包括一横向限位件。横向限位件与阀座沿一横轴方向排列且抵靠阀座。另外，阀座可移动于垂直横轴方向的一纵轴方向，且横向限位件限制阀座在横轴方向上的位移。

公开(公告)号：CN110873191A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201811021011.2

申请日：2018-09-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢文杰

IPC: F16K1/22 ,  F16K1/42 ,  F16K27/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请部分实施例提供一种流体控制元件。流体控制元件包括一第一固定座及一第二固定座。流体控制元件还包括一阀座。阀座设置于第一固定座与第二固定座之间。流体控制元件也包括一阀体。阀体设置于阀座内并配置用以改变通过阀座的气体的流量。第一固定座包括一横向限位件。横向限位件与阀座沿一横轴方向排列且抵靠阀座。另外，阀座可移动于垂直横轴方向的一纵轴方向，且横向限位件限制阀座在横轴方向上的位移。