公开(公告)号：CN103928337A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201310193011.1

申请日：2013-05-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王俊杰 ,  萧文助 ,  周樱旻 ,  葛翔翔

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/28114 ,  H01L29/42376

Abstract: 一种用于制造双镶嵌式金属栅极的方法包括在衬底上形成伪栅极，在衬底和伪栅极上沉积保护层，在伪栅极的侧面上生长扩展层。该方法进一步包括去除保护层，在伪栅极周围形成隔离件以及沉积和平坦化介电层。该方法进一步包括选择性地去除扩展层和去除伪栅极。本发明还提供了一种双镶嵌式金属栅极。

公开(公告)号：CN103633140A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201210540747.7

申请日：2012-12-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪敏皓 ,  周友华 ,  李志聪 ,  张简旭珂 ,  廖茂成 ,  葛翔翔 ,  黄振铭

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/78

Abstract: 一种集成电路器件和一种用于制造集成电路器件的工艺。该集成电路器件包括具有在其中形成沟槽的衬底，占据沟槽的第一隔离材料层，形成在第一隔离材料层上的第二隔离材料层，位于衬底上并且水平地与第二隔离材料层相邻的外延生长硅层，以及形成在外延生长硅层上的栅极结构，其中栅极结构限定沟道。本发明还公开一种两步式浅沟槽隔离(STI)工艺。

公开(公告)号：CN103633140B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201210540747.7

申请日：2012-12-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪敏皓 ,  周友华 ,  李志聪 ,  张简旭珂 ,  廖茂成 ,  葛翔翔 ,  黄振铭

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/78

Abstract: 一种集成电路器件和一种用于制造集成电路器件的工艺。该集成电路器件包括具有在其中形成沟槽的衬底，占据沟槽的第一隔离材料层，形成在第一隔离材料层上的第二隔离材料层，位于衬底上并且水平地与第二隔离材料层相邻的外延生长硅层，以及形成在外延生长硅层上的栅极结构，其中栅极结构限定沟道。本发明还公开一种两步式浅沟槽隔离(STI)工艺。

公开(公告)号：CN102790014A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210023819.0

申请日：2012-02-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖茂成 ,  洪敏皓 ,  葛翔翔 ,  陈科维 ,  王英郎

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 公开了一种半导体器件及制造半导体器件的方法。示例性半导体器件及制造该半导体器件的方法提高了载流子迁移率。该方法包括：提供衬底；在衬底上方形成介电层；在介电层内形成第一沟槽，其中，第一沟槽延伸穿过介电层；在第一沟槽内外延(epi)生长第一有源层；以及利用辐射能量选择性地固化邻近第一有源层的介电层。本发明还提供了一种经受应力的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN103928337B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310193011.1

申请日：2013-05-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王俊杰 ,  萧文助 ,  周樱旻 ,  葛翔翔

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/28114 ,  H01L29/42376

Abstract: 一种用于制造双镶嵌式金属栅极的方法包括在衬底上形成伪栅极，在衬底和伪栅极上沉积保护层，在伪栅极的侧面上生长扩展层。该方法进一步包括去除保护层，在伪栅极周围形成隔离件以及沉积和平坦化介电层。该方法进一步包括选择性地去除扩展层和去除伪栅极。本发明还提供了一种双镶嵌式金属栅极。

公开(公告)号：CN103227179B

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201210431173.X

申请日：2012-11-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖茂成 ,  梁晋魁 ,  谢文杰 ,  张简旭珂 ,  葛翔翔 ,  王英郎

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种减小图像传感器中的暗电流的方法包括：提供背照式图像传感器晶圆，在该背照式图像传感器晶圆的背面上沉积第一钝化层，在第一钝化层上沉积等离子体增强钝化层，以及在等离子体增强钝化层上沉积第二钝化层。本发明还提供了一种减小图像传感器中的暗电流的装置和方法。

公开(公告)号：CN102790014B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201210023819.0

申请日：2012-02-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖茂成 ,  洪敏皓 ,  葛翔翔 ,  陈科维 ,  王英郎

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 公开了一种半导体器件及制造半导体器件的方法。示例性半导体器件及制造该半导体器件的方法提高了载流子迁移率。该方法包括：提供衬底；在衬底上方形成介电层；在介电层内形成第一沟槽，其中，第一沟槽延伸穿过介电层；在第一沟槽内外延(epi)生长第一有源层；以及利用辐射能量选择性地固化邻近第一有源层的介电层。本发明还提供了一种经受应力的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN103227179A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201210431173.X

申请日：2012-11-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖茂成 ,  梁晋魁 ,  谢文杰 ,  张简旭珂 ,  葛翔翔 ,  王英郎

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种减小图像传感器中的暗电流的方法包括：提供背照式图像传感器晶圆，在该背照式图像传感器晶圆的背面上沉积第一钝化层，在第一钝化层上沉积等离子体增强钝化层，以及在等离子体增强钝化层上沉积第二钝化层。本发明还提供了一种减小图像传感器中的暗电流的装置和方法。