公开(公告)号：CN103928337A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201310193011.1

申请日：2013-05-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王俊杰 ,  萧文助 ,  周樱旻 ,  葛翔翔

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/28114 ,  H01L29/42376

Abstract: 一种用于制造双镶嵌式金属栅极的方法包括在衬底上形成伪栅极，在衬底和伪栅极上沉积保护层，在伪栅极的侧面上生长扩展层。该方法进一步包括去除保护层，在伪栅极周围形成隔离件以及沉积和平坦化介电层。该方法进一步包括选择性地去除扩展层和去除伪栅极。本发明还提供了一种双镶嵌式金属栅极。

公开(公告)号：CN106803497A

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201611032587.X

申请日：2016-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖晋毅 ,  侯孟南 ,  张世杰 ,  周樱旻 ,  张鼎张

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/283 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L21/823431

Abstract: 本发明的实施例提供了一种制造FinFET的方法，至少包括以下步骤。图案化半导体衬底以在半导体衬底中形成多个沟槽并且在沟槽之间形成至少一个半导体鳍。在沟槽中形成绝缘体。在半导体鳍的部分上方和隔离件的部分上方形成栅极堆叠件。在半导体鳍的通过栅极堆叠件暴露的部分上方形成掺杂有导电掺杂剂的应变材料，并且通过选择性地生长的具有渐变掺杂浓度的体层来形成应变材料。本发明的实施例还提供了一种鳍式场效应晶体管(FinFET)。

公开(公告)号：CN103928337B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310193011.1

申请日：2013-05-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王俊杰 ,  萧文助 ,  周樱旻 ,  葛翔翔

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/28114 ,  H01L29/42376

Abstract: 一种用于制造双镶嵌式金属栅极的方法包括在衬底上形成伪栅极，在衬底和伪栅极上沉积保护层，在伪栅极的侧面上生长扩展层。该方法进一步包括去除保护层，在伪栅极周围形成隔离件以及沉积和平坦化介电层。该方法进一步包括选择性地去除扩展层和去除伪栅极。本发明还提供了一种双镶嵌式金属栅极。