公开(公告)号：CN105845731A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201510390629.6

申请日：2015-07-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖晋毅 ,  张世杰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/165 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858 ,  H01L29/04

Abstract: 本发明的一些实施例提供了半导体器件结构及其制造方法。该半导体器件包括半导体衬底；位于半导体衬底的鳍结构上方的栅极结构；位于栅极结构下方的鳍结构的沟道部分；以及设置在半导体衬底上方并且与沟道部分接触的至少一个外延区。外延区包括具有大于半导体衬底的第二晶格常数的第一晶格常数的物质；并且外延区中的物质的浓度分布从底部附近至顶部附近降低。底部比顶部更接近沟道部分。

公开(公告)号：CN105845731B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201510390629.6

申请日：2015-07-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖晋毅 ,  张世杰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/165 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858

Abstract: 本发明的一些实施例提供了半导体器件结构及其制造方法。该半导体器件包括半导体衬底；位于半导体衬底的鳍结构上方的栅极结构；位于栅极结构下方的鳍结构的沟道部分；以及设置在半导体衬底上方并且与沟道部分接触的至少一个外延区。外延区包括具有大于半导体衬底的第二晶格常数的第一晶格常数的物质；并且外延区中的物质的浓度分布从底部附近至顶部附近降低。底部比顶部更接近沟道部分。

公开(公告)号：CN106711217A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201610707220.7

申请日：2016-08-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖晋毅 ,  张世杰 ,  黄俊儒 ,  李健玮 ,  吴启明

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明实施例提供了一种包括衬底、多个隔离件、栅极堆叠件和应变材料部分的FinFET。衬底包括位于其上的至少两个鳍。隔离件设置在衬底上，位于鳍之间的每个隔离件包括凹槽轮廓。栅极堆叠件设置在鳍的部分上方和隔离件上方。应变材料部分覆盖由栅极堆叠件暴露的鳍。此外，提供了一种用于制造FinFET的方法。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管及其制造方法。

公开(公告)号：CN106711217B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN201610707220.7

申请日：2016-08-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖晋毅 ,  张世杰 ,  黄俊儒 ,  李健玮 ,  吴启明

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明实施例提供了一种包括衬底、多个隔离件、栅极堆叠件和应变材料部分的FinFET。衬底包括位于其上的至少两个鳍。隔离件设置在衬底上，位于鳍之间的每个隔离件包括凹槽轮廓。栅极堆叠件设置在鳍的部分上方和隔离件上方。应变材料部分覆盖由栅极堆叠件暴露的鳍。此外，提供了一种用于制造FinFET的方法。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管及其制造方法。

公开(公告)号：CN106803497A

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201611032587.X

申请日：2016-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖晋毅 ,  侯孟南 ,  张世杰 ,  周樱旻 ,  张鼎张

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/283 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L21/823431

Abstract: 本发明的实施例提供了一种制造FinFET的方法，至少包括以下步骤。图案化半导体衬底以在半导体衬底中形成多个沟槽并且在沟槽之间形成至少一个半导体鳍。在沟槽中形成绝缘体。在半导体鳍的部分上方和隔离件的部分上方形成栅极堆叠件。在半导体鳍的通过栅极堆叠件暴露的部分上方形成掺杂有导电掺杂剂的应变材料，并且通过选择性地生长的具有渐变掺杂浓度的体层来形成应变材料。本发明的实施例还提供了一种鳍式场效应晶体管(FinFET)。