公开(公告)号：CN106803497A

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201611032587.X

申请日：2016-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖晋毅 ,  侯孟南 ,  张世杰 ,  周樱旻 ,  张鼎张

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/283 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L21/823431

Abstract: 本发明的实施例提供了一种制造FinFET的方法，至少包括以下步骤。图案化半导体衬底以在半导体衬底中形成多个沟槽并且在沟槽之间形成至少一个半导体鳍。在沟槽中形成绝缘体。在半导体鳍的部分上方和隔离件的部分上方形成栅极堆叠件。在半导体鳍的通过栅极堆叠件暴露的部分上方形成掺杂有导电掺杂剂的应变材料，并且通过选择性地生长的具有渐变掺杂浓度的体层来形成应变材料。本发明的实施例还提供了一种鳍式场效应晶体管(FinFET)。

公开(公告)号：CN105206743B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201410392613.4

申请日：2014-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张鼎张 ,  张冠张 ,  蔡宗鸣 ,  潘致宏 ,  王英郎 ,  陈科维 ,  张世杰 ,  孔德明

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/146 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明公开了一种电阻式存储器单元。电阻式存储器单元包括一对电极和设置在这对电极之间的多层电阻切换网络。多层电阻切换网络包括一对碳掺杂层和设置在这对碳掺杂层之间的IV族元素掺杂层。每个碳掺杂层均包括掺杂有碳的氧化硅。IV族元素掺杂层包括掺杂有IV族元素的氧化硅。本发明也公开了一种制造电阻式存储器单元的方法。该方法包括：使用溅射在第一电极上形成第一碳掺杂层，使用溅射在第一碳掺杂层上形成IV族元素掺杂层，使用溅射在IV族元素掺杂层上形成第二碳掺杂层，以及使用溅射在第二碳掺杂层上形成第二电极。本发明涉及具有多层器件结构的电阻式随机存取存储器(RRAM)。

公开(公告)号：CN105206743A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201410392613.4

申请日：2014-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张鼎张 ,  张冠张 ,  蔡宗鸣 ,  潘致宏 ,  王英郎 ,  陈科维 ,  张世杰 ,  孔德明

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/146 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明公开了一种电阻式存储器单元。电阻式存储器单元包括一对电极和设置在这对电极之间的多层电阻切换网络。多层电阻切换网络包括一对碳掺杂层和设置在这对碳掺杂层之间的IV族元素掺杂层。每个碳掺杂层均包括掺杂有碳的氧化硅。IV族元素掺杂层包括掺杂有IV族元素的氧化硅。本发明也公开了一种制造电阻式存储器单元的方法。该方法包括：使用溅射在第一电极上形成第一碳掺杂层，使用溅射在第一碳掺杂层上形成IV族元素掺杂层，使用溅射在IV族元素掺杂层上形成第二碳掺杂层，以及使用溅射在第二碳掺杂层上形成第二电极。本发明涉及具有多层器件结构的电阻式随机存取存储器(RRAM)。