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公开(公告)号：CN105206743B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201410392613.4
申请日：2014-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/146 , H01L45/08 , H01L45/1625
Abstract: 本发明公开了一种电阻式存储器单元。电阻式存储器单元包括一对电极和设置在这对电极之间的多层电阻切换网络。多层电阻切换网络包括一对碳掺杂层和设置在这对碳掺杂层之间的IV族元素掺杂层。每个碳掺杂层均包括掺杂有碳的氧化硅。IV族元素掺杂层包括掺杂有IV族元素的氧化硅。本发明也公开了一种制造电阻式存储器单元的方法。该方法包括：使用溅射在第一电极上形成第一碳掺杂层，使用溅射在第一碳掺杂层上形成IV族元素掺杂层，使用溅射在IV族元素掺杂层上形成第二碳掺杂层，以及使用溅射在第二碳掺杂层上形成第二电极。本发明涉及具有多层器件结构的电阻式随机存取存储器(RRAM)。
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公开(公告)号：CN113517398A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110675543.3
申请日：2021-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明的实施例提供了一种用于制造存储器件的方法。该方法包括在衬底上方形成底部电极层；以及在底部电极层上方形成缓冲层；对缓冲层的顶表面进行表面处理；在进行表面处理之后，在缓冲层的顶表面上方沉积电阻切换层；在电阻切换层上方形成顶部电极；将电阻切换层图案化为顶部电极下方的电阻切换元件。本发明的实施例还提供了一种存储器件。
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公开(公告)号：CN113517398B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202110675543.3
申请日：2021-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10B63/00
Abstract: 本发明的实施例提供了一种用于制造存储器件的方法。该方法包括在衬底上方形成底部电极层；以及在底部电极层上方形成缓冲层；对缓冲层的顶表面进行表面处理；在进行表面处理之后，在缓冲层的顶表面上方沉积电阻切换层；在电阻切换层上方形成顶部电极；将电阻切换层图案化为顶部电极下方的电阻切换元件。本发明的实施例还提供了一种存储器件。
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公开(公告)号：CN105206743A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201410392613.4
申请日：2014-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/146 , H01L45/08 , H01L45/1625
Abstract: 本发明公开了一种电阻式存储器单元。电阻式存储器单元包括一对电极和设置在这对电极之间的多层电阻切换网络。多层电阻切换网络包括一对碳掺杂层和设置在这对碳掺杂层之间的IV族元素掺杂层。每个碳掺杂层均包括掺杂有碳的氧化硅。IV族元素掺杂层包括掺杂有IV族元素的氧化硅。本发明也公开了一种制造电阻式存储器单元的方法。该方法包括：使用溅射在第一电极上形成第一碳掺杂层，使用溅射在第一碳掺杂层上形成IV族元素掺杂层，使用溅射在IV族元素掺杂层上形成第二碳掺杂层，以及使用溅射在第二碳掺杂层上形成第二电极。本发明涉及具有多层器件结构的电阻式随机存取存储器(RRAM)。
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