公开(公告)号：CN106711217B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN201610707220.7

申请日：2016-08-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖晋毅 ,  张世杰 ,  黄俊儒 ,  李健玮 ,  吴启明

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明实施例提供了一种包括衬底、多个隔离件、栅极堆叠件和应变材料部分的FinFET。衬底包括位于其上的至少两个鳍。隔离件设置在衬底上，位于鳍之间的每个隔离件包括凹槽轮廓。栅极堆叠件设置在鳍的部分上方和隔离件上方。应变材料部分覆盖由栅极堆叠件暴露的鳍。此外，提供了一种用于制造FinFET的方法。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管及其制造方法。

公开(公告)号：CN106711217A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201610707220.7

申请日：2016-08-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖晋毅 ,  张世杰 ,  黄俊儒 ,  李健玮 ,  吴启明

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明实施例提供了一种包括衬底、多个隔离件、栅极堆叠件和应变材料部分的FinFET。衬底包括位于其上的至少两个鳍。隔离件设置在衬底上，位于鳍之间的每个隔离件包括凹槽轮廓。栅极堆叠件设置在鳍的部分上方和隔离件上方。应变材料部分覆盖由栅极堆叠件暴露的鳍。此外，提供了一种用于制造FinFET的方法。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管及其制造方法。