公开(公告)号：CN118116799A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410170123.3

申请日：2024-02-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李绅扬 ,  张翔笔 ,  赵皇麟 ,  林斌彦

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 公开了用于电容等效厚度缩放的栅极堆叠件制造技术。用于形成栅极堆叠件的示例性方法包括：形成界面层；在界面层上方形成高k介电层；以及在高k介电层上方形成导电栅极层。形成高k介电层包括形成含第4族元素的介电层(例如，HfO2层和/或ZrO2层)以及形成含稀土元素的介电层。在一些实施例中，含稀土元素的介电层包括钇和氧、氮、碳或它们的组合。导电栅极层形成在含稀土元素的介电层上方(即，含稀土元素的介电层未去除，并且保留在栅极堆叠件中)。含稀土元素的介电层可以在形成含第4族元素的介电层的子层之前、之后或之间形成。本申请的实施例还涉及用于形成栅极堆叠件的方法、半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN118748172A

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202410645463.7

申请日：2024-05-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李绅扬 ,  张翔笔 ,  赵皇麟 ,  林斌彦

IPC: H01L21/8234 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开提供以降低的结晶温度形成结晶性高k值介电层于半导体装置内。上述方法包括形成一通道结构于一基底上；形成一界面层于通道结构上；形成第一高k值介电层于界面层上；用掺杂物形成偶极(dipole)于第一高k值介电层内；以及形成一第二高k值介电层于第一高k值介电层上。掺杂物包括第一金属元素。第二高k值介电层包括与第一金属元素不同的第二金属元素。

公开(公告)号：CN118645426A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410512233.3

申请日：2024-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李绅扬 ,  张翔笔 ,  赵皇麟 ,  林斌彦

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L21/82 ,  H01L21/84 ,  H01L21/8234

Abstract: 本申请涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置的制造方法包含暴露晶体管的导电通道的一个或多个表面；以介电界面层覆盖一个或多个表面；以阻挡层覆盖介电界面层；进行第一退火工艺，以致密化介电界面层；以第一高介电常数介电层覆盖阻挡层；在第一高介电常数介电层上方形成一个或多个临界电压调制层；进行第二退火工艺，以调整第一高介电常数介电层的掺杂轮廓；以及以第二高介电常数介电层覆盖第一高介电常数介电层。

公开(公告)号：CN118486707A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410483912.2

申请日：2024-04-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李绅扬 ,  廖均达

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 实施例提供半导体器件结构。半导体器件结构包括位于衬底上方的半导体沟道层，设置在所述半导体沟道层上方的栅极介电层。栅极介电层包括具有第一掺杂剂浓度的偶极元素的第一高K(HK)介电层和具有与第一掺杂剂浓度不同的第二掺杂剂浓度的偶极元素的第二HK介电层。该结构还包括布置在所述栅极介电层上方的栅电极层，以及设置在栅极介电层和栅电极层之间的插入层，其中，插入层由贵金属形成。本申请的实施例还提供了形成半导体器件结构的方法。

公开(公告)号：CN118335613A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410214340.8

申请日：2024-02-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赵皇麟 ,  李绅扬 ,  张翔笔

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 公开一种半导体装置的制造方法。此半导体装置的制造方法包含：暴露晶体管的导电通道的一个或多个表面；以第一高介电系数介电层覆盖一个或多个表面；以第二高介电系数介电层覆盖第一高介电系数介电层；在第二高介电系数介电层的上方沉积含钌层；以及以不大于临界值的温度执行第一退火制程，以将多个氧空缺从至少第一高介电系数介电层移除。

公开(公告)号：CN222638983U

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202420488039.1

申请日：2024-03-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李绅扬 ,  张翔笔 ,  张惠菁 ,  王绍安 ,  佐野谦一 ,  赵皇麟

IPC: H10D30/62 ,  H10D64/27

Abstract: 在本公开的一个实施例中，提供了一种半导体装置。该方法包括形成纳米结构通道区，形成环绕纳米结构通道区的栅极开口，在栅极开口中的纳米结构通道区的暴露表面上形成氧化层，在氧化层上沉积扩散阻障层，在该纳米结构通道区上沉积第一介电层，对扩散阻障层和第一介电层进行掺杂工艺以形成掺杂扩散阻障层和掺杂介电层，并在掺杂介电层上沉积导电层。