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实用新型
半导体装置有权

公开(公告)号：CN222638983U

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202420488039.1

申请日：2024-03-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李绅扬 , 张翔笔 , 张惠菁 , 王绍安 , 佐野谦一 , 赵皇麟

IPC: H10D30/62 , H10D64/27

Abstract: 在本公开的一个实施例中，提供了一种半导体装置。该方法包括形成纳米结构通道区，形成环绕纳米结构通道区的栅极开口，在栅极开口中的纳米结构通道区的暴露表面上形成氧化层，在氧化层上沉积扩散阻障层，在该纳米结构通道区上沉积第一介电层，对扩散阻障层和第一介电层进行掺杂工艺以形成掺杂扩散阻障层和掺杂介电层，并在掺杂介电层上沉积导电层。

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