公开(公告)号：CN106206686B

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201510262773.1

申请日：2015-05-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈佳政 ,  林孟竖 ,  陈亮吟 ,  于雄飞 ,  张惠政 ,  章勋明

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/7856 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/845 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

Abstract: 一种示例性鳍式场效应晶体管(finFET)，包括：具有沟道区的半导体鳍以及位于沟道区的侧壁和顶面上的栅极氧化物。栅极氧化物包括：具有第一厚度的最薄部分和具有与第一厚度不同的第二厚度的最厚部分。第一厚度和第二厚度之间的差值小于最大厚度变化并且最大厚度变化取决于finFET的工作电压。本发明涉及具有共形氧化物层的鳍式场效应晶体管及其形成方法。

公开(公告)号：CN106206686A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510262773.1

申请日：2015-05-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈佳政 ,  林孟竖 ,  陈亮吟 ,  于雄飞 ,  张惠政 ,  章勋明

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/7856 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/845 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

Abstract: 一种示例性鳍式场效应晶体管(finFET)，包括：具有沟道区的半导体鳍以及位于沟道区的侧壁和顶面上的栅极氧化物。栅极氧化物包括：具有第一厚度的最薄部分和具有与第一厚度不同的第二厚度的最厚部分。第一厚度和第二厚度之间的差值小于最大厚度变化并且最大厚度变化取决于finFET的工作电压。本发明涉及具有共形氧化物层的鳍式场效应晶体管及其形成方法。

公开(公告)号：CN100533738C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200710102168.3

申请日：2007-04-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林孟竖 ,  李达元 ,  陈启群 ,  陈世昌

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823864 ,  H01L21/28247 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656

Abstract: 本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供含硅的半导体基底；在基底上依次形成第一栅极介电层、第一栅极电极从而形成P型金属氧化物半导体装置；在基底上依次形成第二栅极介电层、第二栅极电极从而形成N型金属氧化物半导体装置；在P型和N型金属氧化物半导体装置中形成氮化多晶硅再氧化层，去除P型金属氧化物半导体装置中至少水平部分的氮化多晶硅再氧化层，剩余在N型金属氧化物半导体装置中的氮化多晶硅再氧化层具有垂直部分及水平部分；在第一栅极电极与第一栅极介电层的侧壁形成第一栅极间隙壁及在第二栅极电极与第二栅极介电层的侧壁形成位于氮化多晶硅再氧化层的水平部分上的第二栅极间隙壁。

公开(公告)号：CN101179076A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200710102168.3

申请日：2007-04-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林孟竖 ,  李达元 ,  陈启群 ,  陈世昌

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823864 ,  H01L21/28247 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656

Abstract: 本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体基底，其包括硅；形成P型金属氧化物半导体装置，包括：在半导体基底上形成第一栅极介电层；在第一栅极介电层上形成第一栅极电极；以及在第一栅极电极及第一栅极介电层的侧壁形成第一栅极间隙壁；形成N型金属氧化物半导体装置，包括：在半导体基底上形成第二栅极介电层；在第二栅极介电层上形成第二栅极电极；以及形成氮化多晶硅再氧化层，其具有垂直部分及水平部分，其中垂直部分位于第二栅极电极及第二栅极介电层的侧壁，水平部分位于半导体基底上；以及在第二栅极电极及第二栅极介电层的侧壁形成第二栅极间隙壁，其中第二栅极间隙壁位于氮化多晶硅再氧化层的水平部分上。