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发明公开
半导体器件结构及其形成方法审中-实审

公开(公告)号：CN119451204A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410264999.4

申请日：2024-03-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈文彦 , 李旻仓 , 陈亮吟 , 徐志安 , 陈佳政

IPC: H10D84/03 , H10D84/83 , H10D84/85 , H01L21/324

Abstract: 描述了半导体器件结构及其形成方法。该方法包括：从衬底形成鳍结构，在鳍结构的第一半导体层上沉积第一半导体材料，在第一半导体材料上沉积第二半导体材料，在第二半导体材料之上沉积层间电介质层，在层间电介质层中形成开口以暴露第二半导体材料，以及执行掺杂剂注入工艺以形成掺杂区域。掺杂区域包括第二半导体材料的第一部分。然后，该方法还包括：执行非晶化工艺以形成非晶区域，并且非晶区域包括第二半导体材料的第二部分。该方法还包括执行退火工艺以使非晶区域重结晶。

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