公开(公告)号：CN110970302B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN201910894295.4

申请日：2019-09-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林资敬 ,  林建智 ,  朱峯庆 ,  舒丽丽 ,  李启弘

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/62 ,  H10D62/13

Abstract: 一种半导体装置的形成方法包括形成鳍片突出于基板之上，形成栅极结构于鳍片之上，形成凹槽于邻近栅极结构的鳍片中；以及形成源极/漏极区域于凹槽中，源极/漏极区域包括第一膜层、第二膜层、及第三膜层。形成源极/漏极区域包括：在第一工艺条件下进行第一外延工艺以在凹槽中形成第一膜层，第一膜层沿着凹槽所露出的鳍片的表面延伸，在第二工艺条件下进行第二外延工艺以在第一膜层上形成第二膜层；以及在第三工艺条件下进行第三外延工艺以在第二膜层上形成第三膜层，第三膜层填充凹槽。第一工艺条件、第二工艺条件、及第三工艺条件不同。

公开(公告)号：CN113053889A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202011431200.4

申请日：2020-12-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林建智 ,  陈彦廷 ,  林文凯 ,  杨思齐 ,  林士豪 ,  李宗鸿 ,  郑铭龙

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明的实施例涉及半导体结构及其形成方法。在一个实施例中，一种半导体结构包括：半导体衬底；鳍，从半导体衬底延伸；栅极堆叠件，位于鳍上方；外延源极/漏极区，位于鳍中邻近栅极堆叠件；以及栅极间隔件，设置在外延源极/漏极区和栅极堆叠件之间，该栅极间隔件包括多个氧碳氮化硅层，多个氧碳氮化硅层中的每一者具有不同浓度的硅、不同浓度的氧、不同浓度的碳、和不同浓度的氮。

公开(公告)号：CN114975279A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210298440.4

申请日：2022-03-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林士豪 ,  林建隆 ,  包家豪 ,  杨智铨 ,  陈嘉伟 ,  林建智

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本公开提供半导体结构及其形成方法。根据本公开的形成方法包含形成第一通道构件、位于第一通道构件正上方的第二通道构件、以及位于第二通道构件正上方的第三通道构件，沉积第一金属层于第一通道构件、第二通道构件以及第三通道构件的每一者的周围，当第一通道构件仍由第一金属层所环绕时，从第二通道构件以及第三通道构件周围移除第一金属层，在移除第一金属层之后，沉积第二金属层于第二通道构件以及第三通道构件周围，从第三通道构件周围移除第二金属层，以及在移除第二金属层之后，沉积第三金属层于第三通道构件周围。

公开(公告)号：CN110970302A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910894295.4

申请日：2019-09-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林资敬 ,  林建智 ,  朱峯庆 ,  舒丽丽 ,  李启弘

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/08

Abstract: 一种半导体装置的形成方法包括形成鳍片突出于基板之上，形成栅极结构于鳍片之上，形成凹槽于邻近栅极结构的鳍片中；以及形成源极/漏极区域于凹槽中，源极/漏极区域包括第一膜层、第二膜层、及第三膜层。形成源极/漏极区域包括：在第一工艺条件下进行第一外延工艺以在凹槽中形成第一膜层，第一膜层沿着凹槽所露出的鳍片的表面延伸，在第二工艺条件下进行第二外延工艺以在第一膜层上形成第二膜层；以及在第三工艺条件下进行第三外延工艺以在第二膜层上形成第三膜层，第三膜层填充凹槽。第一工艺条件、第二工艺条件、及第三工艺条件不同。

公开(公告)号：CN110957226A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910921640.9

申请日：2019-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林资敬 ,  林建智 ,  朱峯庆 ,  吴卓斌

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 在一实施例中，方法包括：形成第一栅极堆叠与第二栅极堆叠于鳍状物上；蚀刻鳍状物以形成凹陷于第一栅极堆叠与第二栅极堆叠之间的鳍状物中；以及形成外延的源极/漏极区于凹陷中，包括：配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢于凹陷中，以成长第一层衬垫凹陷的侧部与底部，以及在成长第一层之后，配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢于凹陷中，以成长第二层于第一层上，其中成长第一层时以第一流速配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢的每一者，而成长第二层时以第二流速配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢的每一者。

公开(公告)号：CN115881766A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210638146.3

申请日：2022-06-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林建智 ,  潘韵如 ,  杨思齐 ,  颜智洋 ,  林士豪 ,  吴中书 ,  宇德安 ,  陈世强

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体器件结构。半导体器件结构包括衬底，衬底包括基部和在基部上方的鳍结构。鳍结构包括纳米结构。半导体器件结构包括在基底上方并环绕纳米结构缠绕的栅极堆叠件。栅极堆叠件具有上部和侧壁部分，上部在纳米结构上方，侧壁部分在纳米结构的第一侧壁上方。半导体器件结构包括在侧壁部分的相对侧上的第一内间隔件和第二内间隔件。第一内间隔件的第一宽度和第二内间隔件的第二宽度之和大于侧壁部分的沿鳍结构的纵向轴线测量的第三宽度。本申请的实施例提供了半导体器件结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN113314536A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202011548504.9

申请日：2020-12-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林士豪 ,  杨智铨 ,  苏信文 ,  林建隆 ,  林建智

IPC: H01L27/11 ,  H01L21/8244

Abstract: N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管包括第一栅极和沿第一方向设置在第一栅极的第一侧壁上的第一间隔件结构。第一间隔件结构在第一方向上具有第一厚度，并且该第一厚度是从第一间隔件结构的外表面的最外点到第一侧壁测量的。P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管包括第二栅极和第二间隔件结构，第二间隔件结构沿第一方向设置在第二栅极的第二侧壁上，并且从第二间隔件结构的外表面的最外点到第二侧壁测量。第二间隔件结构具有大于第一厚度的第二厚度。NMOS晶体管是静态随机存取存储器(SRAM)单元的传输门，而PMOS晶体管是SRAM单元的上拉器件。根据本申请的实施例，提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN113053889B

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202011431200.4

申请日：2020-12-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林建智 ,  陈彦廷 ,  林文凯 ,  杨思齐 ,  林士豪 ,  李宗鸿 ,  郑铭龙

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/03

Abstract: 本发明的实施例涉及半导体结构及其形成方法。在一个实施例中，一种半导体结构包括：半导体衬底；鳍，从半导体衬底延伸；栅极堆叠件，位于鳍上方；外延源极/漏极区，位于鳍中邻近栅极堆叠件；以及栅极间隔件，设置在外延源极/漏极区和栅极堆叠件之间，该栅极间隔件包括多个氧碳氮化硅层，多个氧碳氮化硅层中的每一者具有不同浓度的硅、不同浓度的氧、不同浓度的碳、和不同浓度的氮。

公开(公告)号：CN112563203A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011024428.1

申请日：2020-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨思齐 ,  简鹤年 ,  丁振庭 ,  林建智 ,  李建志 ,  林士豪 ,  李宗鸿 ,  叶致锴 ,  黄才育 ,  萧柏铠

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了半导体装置的制造方法。根据一实施例的方法，包括形成由第一半导体材料形成的一第一鳍部以及由不同于第一半导体材料的第二半导体材料形成的一第二鳍部于一基底上；形成一半导体盖层于第一鳍部及第二鳍部上；以及在露出半导体盖层的至少一部分的同时，于第一温度下对半导体盖层进行退火。