公开(公告)号：CN115881766A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210638146.3

申请日：2022-06-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林建智 ,  潘韵如 ,  杨思齐 ,  颜智洋 ,  林士豪 ,  吴中书 ,  宇德安 ,  陈世强

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体器件结构。半导体器件结构包括衬底，衬底包括基部和在基部上方的鳍结构。鳍结构包括纳米结构。半导体器件结构包括在基底上方并环绕纳米结构缠绕的栅极堆叠件。栅极堆叠件具有上部和侧壁部分，上部在纳米结构上方，侧壁部分在纳米结构的第一侧壁上方。半导体器件结构包括在侧壁部分的相对侧上的第一内间隔件和第二内间隔件。第一内间隔件的第一宽度和第二内间隔件的第二宽度之和大于侧壁部分的沿鳍结构的纵向轴线测量的第三宽度。本申请的实施例提供了半导体器件结构及其形成方法。