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公开(公告)号：CN114975250A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210064450.1
申请日：2022-01-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 公开了用于在栅电极的部分之间形成栅极隔离结构的改进方法以及由该方法形成的半导体器件。在实施例中，方法包括：在衬底上方形成沟道结构；形成在平行于沟道结构的方向上延伸的第一隔离结构；在沟道结构和第一隔离结构上方形成伪栅极结构；在伪栅极结构上方沉积硬掩模层；蚀刻硬掩模层以在第一隔离结构上方形成穿过硬掩模层的第一开口；在硬掩模层上方、在第一开口中以及在伪栅极结构上方共形沉积第一介电层；蚀刻第一介电层以延伸第一开口并且暴露伪栅极结构；以及蚀刻伪栅极结构以延伸第一开口并且暴露第一隔离结构。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN113078110B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202011190662.1
申请日：2020-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及回流填充材料进行沟槽填充。一种方法，包括在基底结构上方形成第一突出鳍和第二突出鳍，其中，沟槽位于第一突出鳍和第二突出鳍之间，沉积延伸到沟槽中的沟槽填充材料，以及对沟槽填充材料执行激光器回流工艺。在回流工艺中，沟槽填充材料的温度高于沟槽填充材料的第一熔点，并且低于第一突出鳍和第二突出鳍的第二熔点。在激光器回流工艺之后，沟槽填充材料被凝固。该方法还包括对沟槽填充材料进行图案化，其中，沟槽填充材料的剩余部分形成栅极堆叠件的部分，以及在栅极堆叠件的一侧上形成源极/漏极区域。
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公开(公告)号：CN117577585A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311026833.0
申请日：2023-08-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开涉及用于隔离晶体管的隔离区域及形成该隔离区域的方法。一种方法包括蚀刻晶圆中的栅极堆叠以形成沟槽，沉积延伸至沟槽中的氮化硅衬垫，以及沉积氧化硅层。沉积氧化硅层的工艺包括使用包括氮和氢的工艺气体对晶圆执行处理工艺，以及使用硅前体对晶圆执行浸泡工艺。
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公开(公告)号：CN115223937A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210725033.7
申请日：2022-06-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 半导体结构包括横跨第一半导体鳍结构的第一栅极堆叠件、横跨第二半导体鳍结构的第二栅极堆叠件、位于第一半导体鳍结构和第二半导体鳍结构之间的介电鳍结构以及位于介电鳍结构上方并且位于第一栅极堆叠件与第二栅极堆叠件之间的栅极切割隔离结构。栅极切割隔离结构包括保护层和位于保护层上方的填充层，并且保护层和填充层由不同的材料制成。本发明的实施例还涉及半导体器件结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112680713A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011111250.4
申请日：2020-10-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一个实施例中，一种半导体装置的形成方法包括在一排气管线的内部表面上形成疏水涂层、将所述排气管线连接至半导体制程腔体、将第一前驱物导入至半导体制程腔体中、将第二前驱物导入至半导体制程腔体中，其中第一前驱物与第二前驱物反应以产生氧化材料层、以及自半导体制程腔体以及经由所述排气管线泵抽第一前驱物及第二前驱物。
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公开(公告)号：CN113764350B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202110103497.X
申请日：2021-01-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种制造晶体管的方法包括在基板上方形成半导体层；蚀刻半导体层的部分以形成第一凹槽及第二凹槽；在半导体层上方形成第一掩膜层；对第一掩膜层执行第一热处理，第一热处理使第一掩膜层致密化；蚀刻第一掩膜层以便暴露第一凹槽；在第一凹槽中形成第一半导体材料；及移除第一掩膜层。
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公开(公告)号：CN113078110A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202011190662.1
申请日：2020-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及回流填充材料进行沟槽填充。一种方法，包括在基底结构上方形成第一突出鳍和第二突出鳍，其中，沟槽位于第一突出鳍和第二突出鳍之间，沉积延伸到沟槽中的沟槽填充材料，以及对沟槽填充材料执行激光器回流工艺。在回流工艺中，沟槽填充材料的温度高于沟槽填充材料的第一熔点，并且低于第一突出鳍和第二突出鳍的第二熔点。在激光器回流工艺之后，沟槽填充材料被凝固。该方法还包括对沟槽填充材料进行图案化，其中，沟槽填充材料的剩余部分形成栅极堆叠件的部分，以及在栅极堆叠件的一侧上形成源极/漏极区域。
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公开(公告)号：CN118712137A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410739927.0
申请日：2024-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 提供了半导体结构及其形成方法。示例性方法包括：在形成在源极/漏极沟槽的底部部分中的底部外延源极/漏极部件上方沉积接触蚀刻停止层(CESL)和层间介电(ILD)层；回蚀CESL和ILD层以暴露源极/漏极沟槽的顶部部分；实施等离子体增强原子层沉积工艺(PEALD)以在源极/漏极沟槽上方形成绝缘层，其中绝缘层包括非均匀的沉积厚度，并且包括与ILD层直接接触的第一部分以及沿源极/漏极沟槽的顶部部分的侧壁表面延伸的第二部分。方法也包括：去除绝缘层的第二部分；以及在绝缘层的第二部分上和源极/漏极沟槽中形成顶部外延源极/漏极部件。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113764350A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110103497.X
申请日：2021-01-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238
Abstract: 一种制造晶体管的方法包括在基板上方形成半导体层；蚀刻半导体层的部分以形成第一凹槽及第二凹槽；在半导体层上方形成第一掩膜层；对第一掩膜层执行第一热处理，第一热处理使第一掩膜层致密化；蚀刻第一掩膜层以便暴露第一凹槽；在第一凹槽中形成第一半导体材料；及移除第一掩膜层。
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