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公开(公告)号：CN117457865B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311376223.3
申请日：2023-10-23
Applicant: 柔电(武汉)科技有限公司 , 宁波柔创纳米科技有限公司
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/587 , H01M4/62 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/1393 , H01M4/1395 , H01M4/04 , H01M10/0525 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C16/40 , C23C16/20 , C23C16/12 , C23C16/56 , C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/08 , C23C16/18
Abstract: 本发明涉及锂离子电池负极材料的制备方法技术领域，尤其涉及一种利用ALD技术制备复合碳负极的方法和复合碳负极。包括多孔碳基体和位于多孔碳基体孔道内部的复合纳米包覆层，所述复合纳米包覆层是由纳米硅层及金属氧化物层交替组成，纳米硅层和金属氧化物层是二氧化硅层与金属层通过金属热还原反应转化获得，所述二氧化硅层和金属层均为利用ALD原子沉积法在多孔碳基体孔道内部交替沉积所得的薄膜。能够实现硅和碳的化学接触，有效提高硅碳负极材料的循环寿命和克容量发挥，并避免了传统CVD技术固有的危险。
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公开(公告)号：CN117577753A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311324393.7
申请日：2023-10-11
Applicant: 浙江丽晖智能装备有限公司 , 北京远大信达科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种三层复合式图形化衬底及其制备方法，该三层复合式图形化衬底包括衬底基板和在所述衬底基板上形成的若干阵列排列凸起的微纳复合图形结构，所述微纳复合图形结构包括Al薄膜和非晶透明材料；所述Al薄膜位于所述非晶透明材料的底部；所述微纳复合图形结构中的Al薄膜为圆台型结构，所述非晶透明材料为圆锥型结构，所述Al薄膜和所述非晶透明材料为一体成型。本发明提供的复合式图形化衬底，在该图形化衬底上生长的GaN外延层位错密度低，晶体质量更高；进而当光线入射角大于或等于临界角时发生全反射，提升了LED的光输出功率及发光效率。
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公开(公告)号：CN110952078A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910865389.9
申请日：2019-09-12
Applicant: 株式会社国际电气
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/458 , C23C16/52 , C23C16/20 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法、存储介质和基板处理装置，在将原料气体和反应气体交替地向多个基板供给而在基板上形成膜的情况下，抑制因气体分解而在供给原料气体的喷嘴的内壁上附着堆积物。将交替地各进行一次原料气体供给工序和供给反应气体的反应气体供给工序作为一个循环来执行一次或多次，且满足以下(1)～(4)的条件而在多个基板上形成膜，(1)各循环的原料气体供给工序中的原料气体的供给时间：20秒以下；(2)原料气体供给工序中的原料气体喷嘴内的原料气体的压力：50Pa以下；(3)原料气体供给工序中的处理室内的温度：500℃以下；(4)为了在基板上形成膜而持续进行的循环数：100次以下。
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公开(公告)号：CN105503928A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410532553.1
申请日：2014-10-10
Applicant: 江南大学 , 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: C23C16/20 , C07F5/066 , C07F5/069 , C23C16/08 , C23C16/18 , C23C16/34 , C23C16/403 , C23C16/4482 , C23C16/45534 , C23C16/45553
Abstract: 一种薄膜沉积铝前驱体，其特征在于，具有如下的结构式(I)或(II)的分子结构，其中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7表示氢原子、C1～C6烷基、C2～C5链烯基、C3～C10环烷基、C6～C10芳基或—Si(R0)3、以及上述基团的卤素取代基团，其中R0为C1～C6烷基或其卤素取代基团，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7相同或相异。依照本发明，利用分子间相互作用力的原理，研发了热稳定好、不易分解的薄膜沉积前驱体，便于储存和运输，高温挥发性好，成膜性能优良。
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公开(公告)号：CN101310971B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200710011431.8
申请日：2007-05-25
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明主要涉及涂层技术，具体地说是一种用于高温合金防护的梯度MCrAlY涂层及制备方法；本发明通过电弧离子镀(AIP，即Arc Ion Plating)与扩散渗铝结合的方法，制备MCrAlY加复合梯度涂层。该MCrAlY加复合涂层表面富铝层的厚度可以通过设定渗铝温度和保温时间进行控制，且Al元素沿深度方向呈梯度分布；此外，化学气相沉积法渗铝具有富铝层均匀性好且不受试样尺寸形状影响的优点。由于采用直接扩散的方法，没有引入弱界面，该MCrAlY加高温防护涂层可以在保证涂层力学性能的条件下最大限度地提高Al存储相的含量，继而提高涂层抗高温氧化、抗热腐蚀性能，并能有效地延长涂层使用寿命。该MCrAlY加复合梯度涂层及其制备方法可应用于Ni基，Co基高温合金的防护。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1853003B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200480027060.7
申请日：2004-09-16
Applicant: 阿克佐诺贝尔股份有限公司
IPC: C23C16/52 , C23C16/455 , C23C16/20
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/045 , C23C16/20 , C23C16/4486 , C23C16/455 , Y10T428/12493 , Y10T428/12736 , Y10T428/31678
Abstract: 一种通过含金属前体的分解而在一种或多种基质上沉积基本上纯的保形金属层的方法。在该沉积方法中，基质维持在高于前体分解温度的温度下而周围的空气维持在低于前体分解温度的温度下。前体分散在输送介质例如蒸气相中。其中还含有液体的蒸气相中的含金属前体浓度可以是提供处于或接近金属前体饱和条件的水平。通过确保输送介质和基质之间的上述温度控制并且维持输送介质的饱和条件，沉积金属薄膜的质量得到显著改进，并且显著减少或基本上消除了金属粉尘副产物的产生。
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公开(公告)号：CN101400821A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200780008754.X
申请日：2007-02-22
Applicant: 爱德华兹有限公司
CPC classification number: C23C16/20 , C23C16/4412 , F04B37/14 , F04D19/042 , F05C2203/0804 , F05C2253/12 , F05D2260/607 , H01J37/32834 , H01J37/32844 , Y02C20/30
Abstract: 一种在从工艺反应室中泵抽出含有有机铝前体的气流时，防止铝在真空泵内沉积的方法，所述方法包括向真空泵上游的气流供应氯，使其与前体反应形成在气相状态下可以无害的通过泵的氯化铝。
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公开(公告)号：CN101065390A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200580040671.X
申请日：2005-09-16
Applicant: 普莱克斯技术有限公司
Inventor： S·H·米埃尔
CPC classification number: C07F7/0814
Abstract: 本发明涉及通式(H)mM(R)n代表的有机金属前体化合物，其中M是金属或准金属，R是相同或不同的取代的或未取代的、饱和或不饱和的含有至少一个氮原子的杂环基，m为0至小于M的氧化态的值，n为1至等于M的氧化态的值，而m+n的值等于M的氧化态，该有机金属前体化合物的制备方法，以及由该有机金属前体化合物制备膜或涂层的方法。
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公开(公告)号：CN1036860C
公开(公告)日：1997-12-31
申请号：CN91101919.7
申请日：1991-02-19
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C23C16/20
CPC classification number: H01L21/28562 , H01L21/32051 , H01L21/76879
Abstract: 一种形成金属膜的方法，包括以下步骤：在空间中安置供形成膜所用的基片；向该空间中引入烷基铝氢化物气体及氢气；以及直接加热该基片而在该基片上形成含主成分为铝的金属膜。
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公开(公告)号：CN117457865A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311376223.3
申请日：2023-10-23
Applicant: 柔电(武汉)科技有限公司 , 宁波柔创纳米科技有限公司
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/587 , H01M4/62 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/1393 , H01M4/1395 , H01M4/04 , H01M10/0525 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C16/40 , C23C16/20 , C23C16/12 , C23C16/56 , C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/08 , C23C16/18
Abstract: 本发明涉及锂离子电池负极材料的制备方法技术领域，尤其涉及一种利用ALD技术制备复合碳负极的方法和复合碳负极。包括多孔碳基体和位于多孔碳基体孔道内部的复合纳米包覆层，所述复合纳米包覆层是由纳米硅层及金属氧化物层交替组成，纳米硅层和金属氧化物层是二氧化硅层与金属层通过金属热还原反应转化获得，所述二氧化硅层和金属层均为利用ALD原子沉积法在多孔碳基体孔道内部交替沉积所得的薄膜。能够实现硅和碳的化学接触，有效提高硅碳负极材料的循环寿命和克容量发挥，并避免了传统CVD技术固有的危险。
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