一种MCrAlY加复合梯度涂层及制备工艺

    公开(公告)号:CN101310971B

    公开(公告)日:2012-01-04

    申请号:CN200710011431.8

    申请日:2007-05-25

    Abstract: 本发明主要涉及涂层技术,具体地说是一种用于高温合金防护的梯度MCrAlY涂层及制备方法;本发明通过电弧离子镀(AIP,即Arc Ion Plating)与扩散渗铝结合的方法,制备MCrAlY加复合梯度涂层。该MCrAlY加复合涂层表面富铝层的厚度可以通过设定渗铝温度和保温时间进行控制,且Al元素沿深度方向呈梯度分布;此外,化学气相沉积法渗铝具有富铝层均匀性好且不受试样尺寸形状影响的优点。由于采用直接扩散的方法,没有引入弱界面,该MCrAlY加高温防护涂层可以在保证涂层力学性能的条件下最大限度地提高Al存储相的含量,继而提高涂层抗高温氧化、抗热腐蚀性能,并能有效地延长涂层使用寿命。该MCrAlY加复合梯度涂层及其制备方法可应用于Ni基,Co基高温合金的防护。

    一种测试薄膜残余应力及其沿层深分布的方法

    公开(公告)号:CN100465615C

    公开(公告)日:2009-03-04

    申请号:CN200510047805.2

    申请日:2005-11-25

    Abstract: 本发明涉及一种测试薄膜残余应力及其沿层深分布的方法。采用光杠杆系统测量试片曲率半径,由激光器产生的入射光束,依次经由“半透镜”与试片表面的透射和反射,到达硅光电池接收器。反射光束随拱形试片水平运动而偏转,试片的移动距离l与硅光电池随光束偏转而移动的距离D存在线性关系,由此关系的斜率可计算试片曲率半径。利用化学或电化学等方法将试片上的薄膜逐层剥除,求出每次剥除前后试片曲率半径的当量变化量Ri*,并将该变化量,基片弹性常数Es、vs和基片厚度hs,及每次剥除薄膜的厚度hi代入式σi=-(Es·hs2)/(6·(1-υs)·hi·Ri*),即可求得每层薄膜的残余应力,从而得到薄膜的残余应力及其沿层深方向的分布。本发明中提出的光杠杆系统测量试片曲率半径方法,设计新颖,测量精度高。

    一种Al-O-N扩散阻挡层及制备方法

    公开(公告)号:CN101314853A

    公开(公告)日:2008-12-03

    申请号:CN200710011525.5

    申请日:2007-06-01

    Abstract: 本发明涉及涂层技术,具体地说是一种Al-O-N扩散阻挡层及制备方法,与MCrAlY(M=Ni,Co或Ni+Co)防护涂层结合应用;采用电弧离子镀技术,以纯铝为靶材,控制反应过程中O2和N2的流量,在高温合金基体上沉积Al-O-N扩散阻挡层,然后采用电弧离子镀技术沉积MCrAlY涂层。本发明所涉及的这种Al-O-N扩散阻挡层,组织致密,与基体结合良好,在高温氧化条件下能有效降低MCrAlY涂层与高温合金基体间金属元素互扩散,改善MCrAlY涂层的高温性能;而且工艺简单,容易实现工业化生产,是一种性能优异、有应用前景的扩散阻挡层,适用于镍基高温合金。

    一种可提高靶材利用率的磁控溅射靶

    公开(公告)号:CN1621559A

    公开(公告)日:2005-06-01

    申请号:CN200310105218.5

    申请日:2003-11-28

    Abstract: 本发明涉及一种可提高靶材利用率的磁控溅射靶。由水冷靶材和可移动的磁体组成平面靶或圆柱靶结构;平面靶结构中磁体通过滚动轴承与水冷背板安装在一起,电机通过传动盘驱动金属板和固定其上的磁体一起运动;圆柱靶结构中磁体套在不锈钢管上安装在圆柱靶内,置于冷却水中,并通过连接机构与电机相连。本发明采用了移动磁体技术,通过对普通磁控溅射平面靶和圆柱靶磁体的改进,使其磁体在溅射镀膜过程中能够移动,从而使靶材表面的刻蚀区域更宽,刻蚀更均匀,靶材的利用率有明显的提高,同时保留了磁控溅射工艺的优点,而没有影响其工艺性能;本发明还具有结构简单,性能可靠,易操作等特点,可显著提高靶材的利用率,具有广泛的应用领域。

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