公开(公告)号：CN110412834B

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN201910227714.9

申请日：2019-03-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴明发 ,  傅中其 ,  林俊泽 ,  郑博中 ,  杨怀德

IPC: G03F7/20

Abstract: 本公开涉及极紫外光设备及防止极紫外光光源装置被污染的方法。一种极紫外光微影系统，包括极紫外光光源及极紫外光扫描器。微滴产生器在极紫外光光源中提供微滴流。气体屏障是配置以包围微滴流。当激光与流中的微滴反应时，制造极紫外光辐射及离子化粒子。气体屏障可减少传送离子化粒子至微滴捕捉器的污染。极紫外光光源的构件可用电压偏压，以排斥或吸引离子化粒子，进而减少来自于这些离子化粒子的污染。

公开(公告)号：CN112680713A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011111250.4

申请日：2020-10-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 柯忠廷 ,  陈玟儒 ,  谢宛蓁 ,  吴明发 ,  黄泰钧 ,  卢永诚 ,  徐志安

IPC: C23C16/20 ,  C23C16/44

Abstract: 在一个实施例中，一种半导体装置的形成方法包括在一排气管线的内部表面上形成疏水涂层、将所述排气管线连接至半导体制程腔体、将第一前驱物导入至半导体制程腔体中、将第二前驱物导入至半导体制程腔体中，其中第一前驱物与第二前驱物反应以产生氧化材料层、以及自半导体制程腔体以及经由所述排气管线泵抽第一前驱物及第二前驱物。

公开(公告)号：CN112309895A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010344420.7

申请日：2020-04-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴明发 ,  何文龙 ,  陈正隆

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供一种沉积设备，所述沉积设备包含工艺腔室、晶片平台以及喷淋头。晶片平台安置在工艺腔室中。喷淋头位于晶片平台上方且包含喷淋板和疏水性膜。喷淋头具有用于使反应气体通过的多个施配孔。疏水性膜包覆在喷淋板的表面和多个施配孔的表面上。本发明进一步提供一种使用沉积设备来形成金属氧化物层的方法。

公开(公告)号：CN112530838A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010980109.1

申请日：2020-09-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴明发 ,  何文龙 ,  杨怀德

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 一种净化半导体制造设备的方法，包括将一载气引入一半导体处理腔室，将一第一气体引入该半导体处理腔室，将一第二气体引入该半导体处理腔室，其中该第一气体与该第二气体反应并形成多个固体副产物，经由一涡流产生器从该半导体处理腔室抽吸该载气以及多个所述固体副产物，其中该涡流产生器生成一涡流污染气流，将该涡流污染气流流过一捕集腔室，其中该捕集腔室减少该载气中的多个所述固体副产物的一数量，将该载气流到一真空泵。经由这些方法，沿着抽吸管线的一部分的固体沉积物可以被移位以及去除，并且抽吸管线的一部分可以是自清洁的。

公开(公告)号：CN110412834A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910227714.9

申请日：2019-03-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴明发 ,  傅中其 ,  林俊泽 ,  郑博中 ,  杨怀德

IPC: G03F7/20

Abstract: 本公开涉及极紫外光设备及防止极紫外光光源装置被污染的方法。一种极紫外光微影系统，包括极紫外光光源及极紫外光扫描器。微滴产生器在极紫外光光源中提供微滴流。气体屏障是配置以包围微滴流。当激光与流中的微滴反应时，制造极紫外光辐射及离子化粒子。气体屏障可减少传送离子化粒子至微滴捕捉器的污染。极紫外光光源的构件可用电压偏压，以排斥或吸引离子化粒子，进而减少来自于这些离子化粒子的污染。