公开(公告)号：CN113948371A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110421104.X

申请日：2021-04-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 龙俊名 ,  王俊尧

IPC: H01L21/033

Abstract: 本公开涉及半导体图案化及所得的结构。一种方法包括在目标层之上沉积硬掩模。沉积硬掩模包括沉积具有第一密度的第一硬掩模层，以及在第一硬掩模层之上沉积第二硬掩模层，第二硬掩模层具有大于第一密度的第二密度。该方法进一步包括：在硬掩模之上形成多个心轴；在多个心轴之上并沿着多个心轴的侧壁沉积间隔件层；图案化间隔件层以在多个心轴的侧壁上提供多个间隔件；在图案化间隔件层之后，去除多个心轴；将多个间隔件的图案转移到硬掩模；以及使用硬掩模作为掩模来图案化目标层。

公开(公告)号：CN114975276A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210185634.3

申请日：2022-02-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 龙俊名 ,  张哲豪

IPC: H01L21/8238

Abstract: 一种半导体元件的制造方法，实施方式提供对于沉积在源极/漏极凹槽中的介电层的处理制程。该处理制程改变介电层的水平部位的蚀刻选择性，以使介电层的水平部位具有低于介电层的垂直部位的蚀刻速率。通过湿式蚀刻制程去除垂直部位，以在源极/漏极凹槽的底部留下介电层的一部位。

公开(公告)号：CN113764350B

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202110103497.X

申请日：2021-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈玟儒 ,  柯忠廷 ,  谢宛蓁 ,  龙俊名 ,  黄泰钧 ,  徐志安

IPC: H10D84/01 ,  H10D84/85

Abstract: 一种制造晶体管的方法包括在基板上方形成半导体层；蚀刻半导体层的部分以形成第一凹槽及第二凹槽；在半导体层上方形成第一掩膜层；对第一掩膜层执行第一热处理，第一热处理使第一掩膜层致密化；蚀刻第一掩膜层以便暴露第一凹槽；在第一凹槽中形成第一半导体材料；及移除第一掩膜层。

公开(公告)号：CN115483276A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202210507552.6

申请日：2022-05-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 龙俊名 ,  张哲豪 ,  吴振诚 ,  徐志安

IPC: H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请提供了纳米结构场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法，包括：形成突出于衬底上方的鳍结构，其中该鳍结构包括鳍和位于鳍上方的层堆叠，该层堆叠包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层；在鳍结构上方形成第一伪栅极结构和第二伪栅极结构；在鳍结构中在第一伪栅极结构和第二伪栅极结构之间形成开口；通过执行注入工艺将鳍的暴露于开口的底部的上层转化为种子层；在开口的底部的种子层上方选择性地沉积电介质层；以及在第二半导体材料的被开口暴露的相对侧壁上选择性地生长源极/漏极材料。

公开(公告)号：CN113764350A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110103497.X

申请日：2021-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈玟儒 ,  柯忠廷 ,  谢宛蓁 ,  龙俊名 ,  黄泰钧 ,  徐志安

IPC: H01L21/8238

Abstract: 一种制造晶体管的方法包括在基板上方形成半导体层；蚀刻半导体层的部分以形成第一凹槽及第二凹槽；在半导体层上方形成第一掩膜层；对第一掩膜层执行第一热处理，第一热处理使第一掩膜层致密化；蚀刻第一掩膜层以便暴露第一凹槽；在第一凹槽中形成第一半导体材料；及移除第一掩膜层。