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公开(公告)号：CN1940129A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610127751.5
申请日：2006-09-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/00 , C23C16/448 , C23C16/54
CPC classification number: C23C16/045 , C23C16/46 , C23C16/507 , H01L21/76837
Abstract: 本发明是有关于一种高密度电浆化学气相沉积反应器及方法。该高密度电浆化学气相沉积方法，首先，激发一气体混合物，以产生具有复数个离子的电浆，且引导电浆至一半导体晶圆上的密集区域中。接着，以额外的热源加热半导体晶圆。最后，于半导体晶圆上沉积电浆中的一物质。该高密度电浆化学气相沉积反应器包括一反应室；一激发源，用以激发一气体混合物；一半导体晶座，用以承载一半导体晶圆；以及额外的一加热元件，设置于该反应室内，以提供热能来加热该半导体晶圆。本发明可改善现有的高密度电浆化学气相沉积方法。
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公开(公告)号：CN110783198B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201910609308.9
申请日：2019-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/02 , C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: 在半导体鳍和栅极堆叠件上形成蚀刻停止层。利用前体材料的一系列脉冲形成蚀刻停止层。第一脉冲将第一前体材料引入半导体鳍和栅极堆叠件。第二脉冲引入第二前体材料，该第二前体材料转变成等离子体，然后在各向异性沉积工艺中导向半导体鳍和栅极堆叠件。因此，沿着底面的蚀刻停止层的厚度大于沿着侧壁的蚀刻停止层的厚度。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN107887264B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201710661042.3
申请日：2017-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/225 , H01L21/762 , H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种方法包括蚀刻半导体衬底以形成沟槽，半导体衬底的位于沟槽之间的部分是半导体条，以及在半导体条的侧壁上沉积介电剂量膜。介电剂量膜掺杂有n型或p型掺杂剂。用介电材料填充沟槽的剩余部分。对介电材料实施平坦化。介电剂量膜和介电材料的剩余部分形成浅沟槽隔离(STI)区。实施热处理以将介电剂量膜中的掺杂剂扩散到半导体条中。本发明实施例涉及在半导体条中形成掺杂区的方法以及相关半导体器件。
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公开(公告)号：CN111261524A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911212353.7
申请日：2019-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234
Abstract: 本公开涉及一种半导体装置的形成方法。该方法包括蚀刻栅极结构以形成沟槽延伸至栅极结构中，其中沟槽的侧壁包括金属氧化物材料；对沟槽的侧壁进行侧壁处理制程，其中侧壁处理制程的结果为移除金属氧化物材料；以及将第一介电材料填入沟槽以形成介电区，其中介电区接触栅极结构的侧壁。
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公开(公告)号：CN117577585A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311026833.0
申请日：2023-08-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开涉及用于隔离晶体管的隔离区域及形成该隔离区域的方法。一种方法包括蚀刻晶圆中的栅极堆叠以形成沟槽，沉积延伸至沟槽中的氮化硅衬垫，以及沉积氧化硅层。沉积氧化硅层的工艺包括使用包括氮和氢的工艺气体对晶圆执行处理工艺，以及使用硅前体对晶圆执行浸泡工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109841619B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN201810920097.6
申请日：2018-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 描述了切割鳍的方法和由此形成的结构。在实施例中，结构包括位于衬底上的第一鳍、位于衬底上的第二鳍以及设置在第一鳍和第二鳍之间的鳍切割填充结构。第一鳍和第二鳍纵向对准。鳍切割填充结构包括绝缘衬垫和位于绝缘衬垫上的填充材料。绝缘衬垫邻接第一鳍的第一侧壁和第二鳍的第二侧壁。绝缘衬垫包括带隙大于5eV的材料。本发明实施例涉及半导体结构切割工艺和由此形成的结构。
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公开(公告)号：CN108122742B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201710351793.5
申请日：2017-05-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本公开提供了半导体装置结构的制造方法。此半导体装置结构的制造方法包括形成一栅极结构于一半导体基板上，形成多个间隔构件邻接上述栅极结构的侧壁，形成一保护材料层于上述栅极结构上。上述形成上述保护材料层的步骤包括非等离子体步骤。此半导体装置结构的制造方法还包括沉积一介电材料层于上述保护材料层上。上述沉积上述介电材料层的沉积步骤包括等离子体步骤。
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公开(公告)号：CN110875394A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910757389.7
申请日：2019-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及半导体装置的形成方法。本公开涉及四层光致抗蚀剂与其形成方法。在一实施例中，方法包括形成半导体鳍状物；沉积目标层于半导体鳍状物上；沉积底部抗反射涂层于目标层上；沉积第一掩模层于底部抗反射涂层上，其中第一掩模层的沉积方法采用的等离子体源具有低于50瓦的射频功率；沉积第二掩模层于第一掩模层上，其中第二掩模层的沉积方法采用的等离子体源具有低于500瓦的射频功率；沉积光致抗蚀剂层于第二掩模层上；图案化光致抗蚀剂层、第二掩模层、第一掩模层、与底部抗反射涂层以形成第一掩模；以及采用第一掩模，自半导体鳍状物的第一部分选择性地移除目标层，且目标层保留于半导体鳍状物的第二部分上。
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公开(公告)号：CN108122742A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710351793.5
申请日：2017-05-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本公开提供了半导体装置结构的制造方法。此半导体装置结构的制造方法包括形成一栅极结构于一半导体基板上，形成多个间隔构件邻接上述栅极结构的侧壁，形成一保护材料层于上述栅极结构上。上述形成上述保护材料层的步骤包括非等离子体步骤。此半导体装置结构的制造方法还包括沉积一介电材料层于上述保护材料层上。上述沉积上述介电材料层的沉积步骤包括等离子体步骤。
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公开(公告)号：CN109801966B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN201811036921.8
申请日：2018-09-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供半导体结构与其形成方法。半导体结构包括栅极结构、栅极间隔物、源极/漏极结构、接点结构、粘着层、与阻障层。栅极结构位于鳍状结构上。栅极间隔物位于鳍状结构上与栅极结构的侧壁表面上。源极/漏极结构位于鳍状结构中并与栅极间隔物相邻。接点结构位于源极/漏极结构上。粘着层覆盖接点结构的下表面与侧壁表面。阻障层围绕接点结构的侧壁表面。粘着层的下表面暴露至阻障层。
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