发明公开
CN1940129A 高密度电浆化学气相沉积反应器及方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 高密度电浆化学气相沉积反应器及方法
- 专利标题(英): High aspect ratio gap fill application using high density plasma chemical vapor deposition
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申请号: CN200610127751.5申请日: 2006-09-01
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公开(公告)号: CN1940129A公开(公告)日: 2007-04-04
- 发明人: 刘中伟 , 刘沧宇 , 林剑锋 , 张振凉 , 陈明德 , 林嘉慧 , 蔡瑛修 , 吴斯安 , 李音频
- 申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
- 专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
- 代理机构: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司
- 代理商 寿宁; 张华辉
- 优先权: 11/218,695 2005.09.01 US
- 主分类号: C23C16/00
- IPC分类号: C23C16/00 ; C23C16/448 ; C23C16/54
摘要:
本发明是有关于一种高密度电浆化学气相沉积反应器及方法。该高密度电浆化学气相沉积方法,首先,激发一气体混合物,以产生具有复数个离子的电浆,且引导电浆至一半导体晶圆上的密集区域中。接着,以额外的热源加热半导体晶圆。最后,于半导体晶圆上沉积电浆中的一物质。该高密度电浆化学气相沉积反应器包括一反应室;一激发源,用以激发一气体混合物;一半导体晶座,用以承载一半导体晶圆;以及额外的一加热元件,设置于该反应室内,以提供热能来加热该半导体晶圆。本发明可改善现有的高密度电浆化学气相沉积方法。
公开/授权文献
- CN1940129B 高密度电浆化学气相沉积反应器及方法 公开/授权日:2011-04-20
IPC分类: